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全桥逆变空载时MOS严重发烫

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ccccxxxx
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高级工程师
  • 2020-9-16 14:37:48
10问答币
电路图如下,
使用的是IR2110驱动H桥,STM32产生带死区的SPWM信号。

目前我焊了两个。一个板子使用的是IRF840,GS电阻焊接了,DS反向二极管焊接了,G级电阻焊接了,没有焊G级哪儿的反向二极管。这个板子的mos发热严重。另一个板子用的是IRFP460,只焊接了G级电阻和反向二极管。发热正常。。。
两张板子的驱动信号是一致的,加的电压也都是310V,同样处于空载的状态。。
H桥.png

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有可能是死区时间内GS电压没有降低到关断值,存在瞬时直通造成的,还有
YTDFWANGWEI
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版主
  • 2020-9-16 16:24:00
 
有可能是死区时间内GS电压没有降低到关断值,存在瞬时直通造成的,还有

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参与人数 121币 +10收起理由
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ccccxxxx
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高级工程师
  • 2020-9-17 10:57:20
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加大死区时间后发热有所改善,多谢版主
wangdongchun
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总工程师
  • 2020-9-16 20:55:26
 
G极驱动电阻减小一些  GS泄放电阻换成10K试试看
ccccxxxx
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高级工程师
  • 2020-9-17 09:31:51
 
G级电阻已经是10R了 还需要减小吗?
wangdongchun
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LV10
总工程师
  • 2020-9-17 12:51:44
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有可能是驱动能力弱
xkw1cn
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版主
  • 2020-9-17 00:07:30
 
这个问题,在我的驱动专题中讲了N多次。只要将驱动电压降到12V以下,这种标准高压MOSFET就基本不会在空载半桥产生炮弹电流。
加反向二极管后;在标准配比下,可以在更高电压下避免这种问题。

至于1N4148,实在有点复读机了。再次强调下:
1)市面上的1N4148有两种,一种是点触式。也是传统结构。只适合做检流不适用于此。2A峰值电流就会出现失效。
2)现在;有些厂家把BAV19当成1N4148在卖。由于管芯是0.5A二极管,还是可以的。
所以;不适所有1N4148都能用。需要定型定厂家。做好是别用;很容易搞错。
ccccxxxx
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LV6
高级工程师
  • 2020-9-17 09:39:00
 
多谢版主解答,请教H桥是否需要RCD吸收电路,,G级的反向二极管是不用为好还是更换型号
nc965
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版主
  • 2020-9-17 09:48:07
  • 倒数10
 
你少画了啥东西
ccccxxxx
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LV6
高级工程师
  • 2020-9-17 10:01:04
  • 倒数9
 
H桥的话只有这些  母线VCC和GND没有截到。驱动IR2110的电路没有放出来
nc965
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版主
  • 2020-9-17 11:51:06
  • 倒数5
 
那你就不能叫逆变,只能输出产生带死区的SPWM信号
ccccxxxx
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LV6
高级工程师
  • 2020-9-17 12:59:13
  • 倒数3
 
电路图中vs1 vs2后端还有个LC滤波电路
nc965
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最新回复
  • 2020-9-17 20:29:18
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问题就出在那里
st.you
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总工程师
  • 2020-9-17 10:20:14
  • 倒数8
 
这样并二极管是没多大用的,因为外部二极管和MOS的寄生二极管,压降相当,负载的交换电流,同样会流经体内二极管,产生反向恢复电流的问题,从而空载发热。
ccccxxxx
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LV6
高级工程师
  • 2020-9-17 10:22:16
  • 倒数7
 
是要取掉DS间的反向二极管吗?
st.you
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LV10
总工程师
  • 2020-9-17 13:34:56
  • 倒数2
 
保留,然后四个MOS的D极串一个大电流的肖特基,挡住MOS的体内二极管的反向电流路径。
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