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未解决

QR反激谷底导通方式

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chongwen
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  • 2020-9-22 14:50:02
10问答币
QR反激,芯片内部怎么做到谷底导通的?显然通过延时1/4个周期是不合适,毕竟原边谐振参数会改变
收藏收藏2
nc965
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  • 2020-9-22 19:47:56
  • 倒数9
 
原边谐振参数一般不会改变,过延时1/4个周期是好主意。

chongwen
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高级工程师
  • 2020-9-22 22:03:46
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这样的,我得变压器常温感量6mH,低温下就是4mH,MOS的等效电容不也是会变吗?
nc965
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  • 2020-9-23 08:22:06
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变压器参数显然不对,用顶楼表格复核先:
【原创】反激变压器设计要领
chongwen
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高级工程师
  • 2020-9-23 17:22:22
  • 倒数4
 
变压器参数没问题,我是一款灌胶开气隙的,高温下,胶膨胀顶开气隙加上磁导率变化,感量衰减是正常值,然后我看了您那个帖子,还是没弄明白,假设我检测到了膝点,然后延时1/4个周期就是波谷,就我这个例子,原边参数改变了,芯片怎么知道这个谐振周期呢,通过什么逻辑实现的这个周期检测呢
nc965
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  • 2020-9-23 19:35:58
  • 倒数3
 
你什么芯片?它手册里有讲
chongwen
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高级工程师
  • 2020-9-24 09:25:09
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NCP1207,手册讲的不全啊,就是辅助绕组过一个电阻,他就能检出谷底了,主要老是有强迫症,想知道它里面到底咋回事
nc965
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最新回复
  • 2020-9-24 12:06:36
  • 倒数1
 
他讲的不全是因为他估计讲全了你也不能理解。2楼讲的比较全,仔细看或许能解除你的强迫症。

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chongwen
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高级工程师
  • 2020-9-22 22:15:30
  • 倒数7
 
我看芯片都是检测副边电流过零点,即检测第一个谷底前1/4那个点,这样的话也没法算谐振周期啊,刚接触这块,真心有点晕
chongwen
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高级工程师
  • 2020-9-22 22:29:12
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刚看了一下您那个帖子,确实学到了很多,我再认真拜读一下
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