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| | | | | 稳压管是防止驱动电压过高烧坏MOS管,增加的BJT是用来扩流的,提高驱动能力,使MOS管快速开通 |
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| | | | | 这个D12应该是防止VB-电压倒灌的,Q3应该是扩流增强驱动MOS开管的吧 |
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| | | | | 芯片和MOS的栅极之间存在比较大的压差,别的方式能实现也是可以的。要说益处,电路简单算不算益处? |
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| | | | | | | 芯片和MOS的栅极之间存在比较大的压差------------什么意思啊,MOS栅极电压不也是芯片来的吗。。。。。。。。 |
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| | | | | 如果电池电量低接上充电器后VB-端负压较大,可能导致充电MOS管半导通而充电控制端失效,加上PNP三极管后可以避免这种情况发生。
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| | | | | | | 可能导致充电MOS管半导通而充电控制端失效-----------为什么会半导通和失效 |
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| | | | | | | 如果电池电量低接上充电器后VB-端负压较大---------------为什么B-会有负压啊?本来就是GND啊 参考点啊
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| | | | | | | | | 芯片的参考地是电池的负极,而不是B- 这应该是个保护板,B-是保护板的输出负极,可以断开的,这时候的B-电位就不保证了。 |
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| | | | | | | | | | | 输出是P- 充电是C- B-就是电池负极啊 也就是电路的参考地啊
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| | | | | | | | | | | | | | | 不要生气。B-就是参考地GND 在电池包中。。。你可以找资料看看
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 分析电路要讲逻辑,既然你觉得B-和GND是同一个网络,也就是可以短路咯? 干脆MOS拿掉短路算了,省钱省事
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CH_FET是充电控制端高电平为充电,假设没有三极管CH_FET为0V时也会充电且MOS管Q1处于半导通状态。
如果CH_FET能提供负压这个问题就不存在了,没查到详细的资料只是猜测一下。
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| | | | | | | | | | | | | 上面分析的是没有三极管的情况,这两个MOS管Q1应该是防过充Q2是防过放的,把NMOS换成PMOS可能容易理解些。
两个图功能是一样的只是管子由低端放置高端NMOS换PMOS、PNP换NPN。
右图如果不加NPN三极管当充电电压V_Charge>V_Batter时由于MCU最大只能提供V_Batter的电压所以Q1管(PMOS)无法关断失去了防过充保护功能。
而如果MCU可以提供≥V_Charge的电压则三极管可以不加,同样的道理左图电路如果MCU能够提供负压则PNP三极管可以不加。
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