 |  | | | | 倒数第二个，VGS电压越高，MOS内阻越低，能流过得电流肯定越大；不知道理解得对不对  |
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| | |  | xkw1cn- 积分：131400
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积分:131400 版主 | | | | | 额？
建议看看VGS在0V和15V的RDS。在开关工作范围，看看ID有多大影响。
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| | | | | | | | | 建议看看倒数第二的fig3, 
那里就是不同VGS与RDS(0N)的关系了
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| | | | | 第二张图
1.
Rthja : 介面到外壳的热阻
Rthja : 介面到大气的热阻(这里在通常会有附注测试条件，不是每家所测试的散热条件都相同)
可参考附图，图中Rthja则是所有Rth的总和
2.
当栅极-源极电压为零时，流入漏极端子的电流。
3.
gfs = ΔIds/ΔVgs (相同Vds)
只是确认操作区间，Vgs-th以上的电压可通过的Id电流
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| | | | | 第三张图
1.
通常这个是看图，多少时间内通过多少电流会将MOSFET击穿，能够耐受多少功率,一般我都是看安全操作区间的图
2.
在足夠的散熱條件下，最高忍受的瓦數
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| | | | | 第四张图
1.是的
2.第一个图是说当不同Vgs的情况下，多少Vds可流过的Id电流，这张重点是看你使用Vgs的值是否包含所设计的Vd与Id范围内
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| | | | | 第五张图
逆回复时间(trr)指开关二极体，从开启状态到完全关闭为止所花费的时间。
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