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MOSFET的线性降压应用原理

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雨随_Lyn
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LV6
高级工程师
  • 2020-12-10 15:10:57
10问答币

如图:M1增强型NMOS,G极上拉到输入电压,稳压管使G极电压稳定在固定值,S极为输出极。
问:这个模型如何保证S极会有稳定的输出电压?如果NMOS工作在可变电阻区,条件VGS>VGS(th),VDS<VGS—VGS(th)的建立过程?

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一开始,MOS的 S电位是0V 但是G的电位是稳压管稳压值,这样MOS就能形成导通条件了。后面MOS导通后,S电位上升,但会维持在某个值,这个值由GS&ID曲线决定。
谢开源
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LV10
总工程师
  • 2020-12-11 09:06:00
 
关注中,没用过。不知Mos做LDO有什么好处?
Vgs=24V-Vzenner, Vgs<Vmillers才是放大区吧?
雨随_Lyn
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LV6
高级工程师
  • 2020-12-11 10:11:30
  • 倒数10
 
好处之一,起到降压作用时降低电源成本。高压的LDO或者时DCDC的效率或者成本都不容乐观。其他还不知道...
实际这个模型不能理解的是源极浮空,GS的电压形成回路是啥?NMOS的高端驱动一直有点迷糊。
谢开源
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LV10
总工程师
  • 2020-12-11 10:37:43
  • 倒数8
 
这种管子做过特殊处理,稳压范围小吧。发热厉不厉害?
雨随_Lyn
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LV6
高级工程师
  • 2020-12-11 13:59:54
  • 倒数7
 
很一般的mosfet,选个内阻小点的mosfet。没温度测试看起来。
st.you
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LV10
总工程师
  • 2020-12-11 10:11:42
  • 倒数9
 
就是个跟随器,S电压没法保证稳定。
雨随_Lyn
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LV6
高级工程师
  • 2020-12-11 14:00:55
  • 倒数6
 
结果时,S的电压相当稳定。跟随器?能不能详细描述下。
st.you
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LV10
总工程师
  • 2020-12-11 14:04:51
  • 倒数5
 
这种MOS的源极跟随器比用三极管的射极跟随器输出电压变化要大得多。
beyond_笑谈
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LV8
副总工程师
  • 2020-12-11 14:58:18
  • 倒数4
 
这就是类似于射极跟随器,如果想温漂性能好一点,把稳压管换成TL431
沧海一粒
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LV6
高级工程师
  • 2020-12-12 20:35:44
  • 倒数3
 
M1在这里应当是起到预稳压的作用,输出电压大约等于VDZ - V(Gth),从后面有三端稳压器的情况来看,这里不需要预稳压电路有多高的精度。以前在一张BMS板子上见到过这个,后级负载一般都挺小的,可以通过M1压降和流过的电流简单计算一下功耗,选择合适的管子
雨随_Lyn
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LV6
高级工程师
  • 2020-12-14 09:27:42
  • 倒数2
 
结果和你的结论是一致,但是不能理解的是源极S接后端的LDO,那NMOS的沟通形成条件怎么来的?之前接触的NMOS驱动一般是源极(S)接地,栅极(G)给到信号后,GS之间会有回路的存在形成固定电压。但是这个电路中,无论是电压还是电流GS的回路是怎么形成的DS导通或者是半导通状态?
st.you
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LV10
总工程师
最新回复
  • 2020-12-14 12:11:58
  • 倒数1
 
一开始,MOS的 S电位是0V  但是G的电位是稳压管稳压值,这样MOS就能形成导通条件了。后面MOS导通后,S电位上升,但会维持在某个值,这个值由GS&ID曲线决定。
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