| | | | | 关注中,没用过。不知Mos做LDO有什么好处?
Vgs=24V-Vzenner, Vgs<Vmillers才是放大区吧?
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| | | | | | | 好处之一,起到降压作用时降低电源成本。高压的LDO或者时DCDC的效率或者成本都不容乐观。其他还不知道...
实际这个模型不能理解的是源极浮空,GS的电压形成回路是啥?NMOS的高端驱动一直有点迷糊。
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| | | | | | | | | 这种管子做过特殊处理,稳压范围小吧。发热厉不厉害? |
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| | | | | | | | | | | 很一般的mosfet,选个内阻小点的mosfet。没温度测试看起来。
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| | | | | | | 结果时,S的电压相当稳定。跟随器?能不能详细描述下。
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| | | | | | | | | 这种MOS的源极跟随器比用三极管的射极跟随器输出电压变化要大得多。
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| | | | | 这就是类似于射极跟随器,如果想温漂性能好一点,把稳压管换成TL431
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| | | | | M1在这里应当是起到预稳压的作用,输出电压大约等于VDZ - V(Gth),从后面有三端稳压器的情况来看,这里不需要预稳压电路有多高的精度。以前在一张BMS板子上见到过这个,后级负载一般都挺小的,可以通过M1压降和流过的电流简单计算一下功耗,选择合适的管子 |
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| | | | | | | 结果和你的结论是一致,但是不能理解的是源极S接后端的LDO,那NMOS的沟通形成条件怎么来的?之前接触的NMOS驱动一般是源极(S)接地,栅极(G)给到信号后,GS之间会有回路的存在形成固定电压。但是这个电路中,无论是电压还是电流GS的回路是怎么形成的DS导通或者是半导通状态?
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| | | | | | | | | 一开始,MOS的 S电位是0V 但是G的电位是稳压管稳压值,这样MOS就能形成导通条件了。后面MOS导通后,S电位上升,但会维持在某个值,这个值由GS&ID曲线决定。
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