| | | | | 看下DCG有没有针对DC+的电压,最大差压多少,有可能是电流从MOS的体二极管及4007流过导致的
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| | | | | | | 没有,只是普通的整流桥整流后接大电容,没有反向电流。
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| | | | | 搞不明白加这粒二极管 干什么?
会不会是 二极管封装画反,MOS 导通时 短路?
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| | | | | 该二极管属于画蛇添足设计 如果是感性负载其做为续流二极管还有情可原 单纯的电阻元件没有必要 直接省略即可
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| | | | | | | 我选的是绕线电阻,绕线电阻皮实,缺点就是电感大。
现在只是技术层面上讨论下,二极管挂掉的原因。
封装没反,炸二极管的时候交流升压,MOS并没有开启。
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| | | | | | | | | 可以再在MOS管D极到地加一个大一点的电阻试试, 二极管反向电压虽然高,正向电压只有0.5-0.7V就会导通.
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| | | | YTDFWANGWEI- 积分:109861
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积分:109861 版主 | | | | | |
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| | | | | | | 家这个二极管在这没什么作用,做反向电流吸收也不是这加的。这样加二极管肯定热炸1N4007是慢管,用也要用快管。
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| | | | | 可能原因:当交流电压逐渐增大时绕线电阻中的电感在蓄能,当交流电压逐渐减小时(过顶点220V)电感通过二极管1n4007释放能量。
此时巧好MOS管进行导通放电由于1N4007是慢恢复二极管所以会产生一个短时间的直通并导致炸管。
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| | | | | | | 加二极管干啥?稳压应该用稳压二极管吧?好像这个二极管没啥用,如果要它的话是不是应该并个电容啊?
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| | | | | | | | | 加二极管是想降低关断时MOS管上的压降吧,类似继电器的应用,在恒压供电及慢开关速度下是可行的。 |
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| | | | | 去掉1N4007。
另外,470R/3W 功率小了点吧。
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| | | | | | | 功率不小,应用需求是等 整流桥前的交流值变小时,快速放电,让DC输出快速跟随,并非一直用。
现在去掉二极管是没有问题的,只是纠结为什么二极管存在时会炸的原因。
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| | | | | | | | | | | 这个得下批板子回来,5块炸完了,焊盘都飞了。
话说这个理论上没法解释。
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| | | | | 把1N4007拿掉,在MOS的D-S并个稳压二极管
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| | | | | | | 我只要去掉1N4007就可以,加稳压二极管根本不合适。现在求助的是原因,为什么会炸。
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| | | | | 绕线电阻R34电感大,MOS关断期间电感上的电流会通过二极管D27续流,
此时三极管Q2漏极电位被拉高至DC+,此时开通MOS管将导致DC+和DCG短路,
短路电流大直接炸毁1N4007和MOS |
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| | | | | | | 朋友,二极管续流时正偏,此时我即使开启MOS管Q2,二极管也不可能反向导通啊,恢复时间没那么长,能量也没那么高啊
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| | | | | | | | | 二极管只要有电流通过就相当于导线,二极管续流已经让二极管开通,并没有反向导通
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| | | | | | | | | | | 这个 说法不合适吧,简单 的 BUCK续流二极管每周期都导通,断续模式下,负载电容并不可能通过续流二极管把电放 掉吧 。
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| | | | | 将电阻R34由线绕电阻换成碳膜电阻,这个问题可以解决。在大电流电路中,电感不容忽视,线绕电阻可能不能快速泄放电压造成IN4007炸管。
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| | | | | | | 原因不在这,后面分析后得出,二极管的寄生电容 竟然是小于MOS的体二极管寄生电容的,这个真是没想到
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| | | | | | | | | 楼主,如果是寄生电容的问题,选用碳化硅肖特基二极管,会解决这个问题。或者你直接选用碳化硅MOS,其体二极管的寄生电容极小。 |
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| | | | | | | | | | | 非常感谢,这个MOS比较大,单次击穿 能量很高,我把二极管去掉,直接让MOS扛,就没有问题了
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| | | | | Mosfet 島通時diode 上面應該是220V*1.1414=311V 這Diode 耐壓有問題嗎? 耐壓沒問題那就在diode串電阻限流,看還會不會damage
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| | | | | | | 谢谢,这个帖子已经过去好久了。
最终用的时候,还是把二极管去掉了,MOS自己扛。
耐压足够,这个就是个普通整流二极管,1A的,再说,二极管瞬态单次电流可以达到额定电流的十倍、几十倍,电流不是问题。还是在寄生二极管上的。
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| | | | | 考虑下是否是因为寄生电容导致的,二极管分压太多导致过压击穿呢。 |
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| | | | | | | 谢谢,开始想多了,认为绕线电阻 电感大,所以 加了 个放电回路
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| | | | | 是二极管的反向恢复造成的,刚开始没有放电的时候Q2的漏极是DC+点位,二极管两端的电压是0V,并没有开始反偏,开关管导通的瞬间,二极管翻篇,有很大的恢复电流。你可以试一试,把驱动电阻放大一点,让Q2开的慢一些,或者把二极管换成一个高压的超快恢复二极管,再试一试。换成超快恢复的二极管应该就不会炸机了。等你测试的结果哦! |
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| | | | | | | 二极管没有正向电流时,会有反相恢复电流吗?这个应该不会。
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| | | | | | | | | 二极管的反向恢复实际上是由电荷存储效应引起的,二极管虽然没有正偏,但是里面PN结的掺杂浓度会产生一定的电荷偏移。突然加反向电压,也会有反向电流。
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| | | | | | | 那个DC+是全桥整流后经过4*470uf/450V的电容滤波的结果。
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| | | | | | | | | 当交流电压逐渐增大时绕线电阻中的电感在蓄能,当交流电压逐渐减小时(过顶点220V)电感通过二极管1n4007释放能量。
此时巧好MOS管进行导通放电由于1N4007是慢恢复二极管所以会产生一个短时间的直通并导致炸管。
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| | | | | | | | | 可以把电路探头串联到二极管两端,看看是否有浪涌电流
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| | | | | 去掉1n4007,或者在二极管上串联个电阻试试呢?
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| | | | | 线绕电阻是寄生电感大,不加4007影响较大,加了4007之后要小,而楼主情况刚刚相反,是加了4007才出故障。所以寄生电感影响电路说法不太合理。
普通的1n4007结电容是比较大的,mos导通瞬间,4007结电容造成大电流损坏mos管(因为楼主的电容太大)可能性,看大家回复的情况,应该是比较可能的。
实际通过简单测试就很容易知道是不是这样的了。
1,如无示波器,在dc+再多串联一个几十欧姆1w或者2w的普通电阻,串联在r34和d27
的上面,看情况有无改善。
2,1n4007跟换成uf4007或者其他超快恢复二极管。
3,如果有示波器,r34d27上面串联小阻值电阻,用示波器观察mos开通瞬间有无尖峰。 |
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| | | | | 电路形式没有什么大问题,1N4007的电流能力太小了,换成5A或者以上的二极管应该就可以了
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| | | | | 你好,放电电路二极管1N4007的问题解决了吗?有做过哪些验证措施?
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| | | | | | | 当然解决了,直接去掉多余那个1N4007,MOS管有单次击穿能量参数可以抗住,那个电阻改成金属膜电阻,不再是绕线电阻。验证方式很简单,原先的是个板子就炸二极管、击穿MOS,如上改了,10多块板子用一年了,没出问题。
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