65W 氮化镓 高功率密度 PD快充方案【全套国产芯片RM6601SN+RM3410T】

分享一下亚成微电子 65W 氮化镓 高功率密度 PD快充方案

1.方案介绍
亚成微电子基于CCM/QR反激控制芯片RM6601SN+同步整流芯片RM3410T的高功率密度 65W GaN快充方案，具有体积小、效率高（效率Max >93%）、待机功耗低（功耗<60mW）、成本低等特点，采用专有驱动技术，直驱E-MODE GaN功率器件，省去外置驱动器件，并通过高度集成的芯片设计以及巧妙的结构组合，实现了精简的外围电路和紧凑的PCB布局，有效的提高了产品效率及功率密度（尺寸： 62mm（L）x30mm（W）x23mm（H），功率密度达到了1.52W/cm³ ）


2.方案特点

■ 输出规格：5V/3A，9V/3A，12V/3A，15V/3A，20V/3.25A；
■ 效率(Max)>93%，待机功耗<60mW，满足六级能效标准，EMI特性优良；
■ 采用专有驱动技术，直驱E-MODE GaN功率器件，提高产品效率及功率密度，简化EMI滤波电路设计，降低EMI器件成本；
■ 支持CCM/QR混合模式；
■ 支持最大140KHz工作频率；
■ 内置700V高压启动，集成X-CAP放电功能；
■ 低启动电流和低工作电流设计；
■ 内置特有抖频技术改善EMI；
■ Burst Mode去噪音；
■ 集成斜坡补偿及高低压补偿功能；
■ 集成AC输入Brown out/in功能；
■ 外置OVP保护，具有输出肖特基短路保护/CS短路保护；
■ 内置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多种保护。


3.方案原理图



4.待机功耗



6.温升测试



7.EMI测试

5V/3A（L）


5V/3A（N）


20V/3A（L）


20V/3A（N）