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波特率和时间的关系,以及三极管/MOS在通讯接口电平转换的应用问题

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QWE4562009
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  • 2021-1-22 16:33:04
10问答币
波特率和时间的关系,以及三极管/MOS在通讯接口电平转换的应用问题
MCU的串口电压域是3V的,传感器是5V的串口电压域。为了能正常的通讯且考虑成本,没有用TIsn74lvc2t45、润石的RS0102、瑞盟的MS4553M等那些电平转换芯片。而是用了两个MOS/三极管。
我的问题是,串口通讯的波特率或者其他通讯的通讯速率和三极管/MOS管导通速度的关系,如果导通不及时或者延时,可能就会导致数据丢失,这样双方收到的数据就是错误的信息。
比如串口通讯的波特率是115200bps1/115200 S 也就是传输一个位/一个码元要8.6us?一个字节是8.6*11=94.6uS(传送1个字节,有1位起始位,8位数据位、1位校验位、1位停止位,也就是说传一个字节要用11位的时间)那三极管导通的速度要<多少us或者ns
这样看来三极管用在串口通讯的电平转换是完全没有问题的?因为ns级别的导通速度是远远快于数据传输速度的?

波特率和时间关系.jpg (49.71 KB, 下载次数: 40)

波特率和时间关系.jpg

电平转换.png (13.26 KB, 下载次数: 38)

电平转换.png

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三极管 MOS导通时间.png
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nc965
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  • 2021-1-22 19:05:59
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MOS的GS电容很大,可能有较大延时,也不宜MCU直接驱动,用三极管吧,
QWE4562009
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总工程师
  • 2021-1-23 08:15:02
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三极管行不行
QWE4562009
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  • 2021-1-23 08:17:15
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我问的问题和你要回复的  不是一码事。。。。。。。。版主
nc965
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  • 2021-1-23 10:33:10
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你的R7=10K,Ciss=235pF,RC=2.35uS,这个延时会影响波特率,你问的不就是这个吗?



我说MCU不宜直接驱动MOS,是因为MCU输出有电流限制(极限参数),假定是5mA限制,5V电压需串Rg=1K(才能带容性负载)。此时RC=235nS,会影响波特率。

QWE4562009
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  • 2021-1-23 10:49:06
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还要看电容?这里的时间参数不是有嘛、、、、、按你说的  那如何解决呢
nc965
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  • 2021-1-23 10:50:58
  • 倒数5
 
它的时间参数的前提是Rg=1R,你若用1R会烧MCU,2楼所述可解此困局。
QWE4562009
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总工程师
  • 2021-1-23 13:39:49
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你和很多人说的都不一样
nc965
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版主
  • 2021-1-23 16:58:11
  • 倒数3
 
很多人都了解此事,糊涂蛋不会很多
QWE4562009
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总工程师
  • 2021-1-25 08:37:20
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如果改成8050  可以满足 要求不
nc965
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  • 2021-1-25 11:41:38
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1815吧,小信号三极管即可,记得按电流串电阻
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