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LV8

副总工程师

10问答币

图中MOSFET在并联设计中，为什么不在G-S之间接一个电阻？这样MOSFET可以可靠的关断吗？还是通过MOSFET驱动芯片内部的电阻？

parallel MOSFET.PNG (35.24 KB, 下载次数: 80)

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		2 scu18066116304 scu18066116304 离线 LV8 副总工程师积分：3378 \| 主题：184 \| 帖子：571 访问空间发消息积分:3378 LV8 副总工程师 2021-1-26 17:36:52 倒数8
		串电阻的话会影响延迟时间回复 \| 举报 \|

		3 nc965 nc965 离线 LV7 版主积分：93833 \| 主题：115 \| 帖子：27402 访问空间发消息积分:93833 版主 2021-1-26 19:13:05 倒数7
		GS电阻是防静电的，工艺要求回复 \| 举报 \|

		4 BomKing BomKing 离线 LV2 本网技师积分：183 \| 主题：0 \| 帖子：13 访问空间发消息积分:183 LV2 本网技师 2021-1-27 17:39:34 倒数6
		GS加个电阻肯定会更好，可以可靠关断，驱动芯片内部电阻和GS中间还隔了门极电阻呢，作用不到这来，一般加也是靠近GS脚去加回复 \| 举报 \|

		5 ZHIYIyunmeng163 ZHIYIyunmeng163 离线 LV8 副总工程师积分：3573 \| 主题：10 \| 帖子：433 访问空间发消息积分:3573 LV8 副总工程师 2021-1-27 20:11:38 倒数5
		5.1R不就是电阻吗？回复 \| 举报 \|

			6 BomKing BomKing 离线 LV2 本网技师积分：183 \| 主题：0 \| 帖子：13 访问空间发消息积分:183 LV2 本网技师 2021-1-28 08:54:31 倒数4
			那个是门极电阻，不是GS电阻回复 \| 举报 \|

		7 Q403920015 Q403920015 离线 LV8 副总工程师积分：2337 \| 主题：12 \| 帖子：288 访问空间发消息积分:2337 LV8 副总工程师 2021-1-28 12:50:08 倒数3
		建议实际布板中4个R2电阻统一靠近MOS G极。回复 \| 举报 \|

		8 beyond_笑谈 beyond_笑谈离线 LV8 副总工程师积分：3352 \| 主题：235 \| 帖子：789 访问空间发消息积分:3352 LV8 副总工程师 2021-2-24 11:18:48 倒数2
		GS电阻一般在驱动芯片内部回复 \| 举报 \|

		9 Allen_Sh Allen_Sh 离线 LV8 副总工程师积分：3497 \| 主题：301 \| 帖子：852 访问空间发消息积分:3497 LV8 副总工程师最新回复 2021-2-26 16:02:31 倒数1
		如果要快速关断，就采用驱动IC内部的MOS，否则就G-S串个电阻回复 \| 举报 \|

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