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未解决

三相半桥电机驱动 EMI 问题 请教

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邓工
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LV3
助理工程师
  • 2021-2-7 09:39:41
10问答币
A相.png
如图,是三相半桥中的其中一路
已经初步定位电机驱动 EMI 的问题来源是三相半桥电路
EMI 辐射超过的频端是 160MHz 处突起一个三角尖峰,最高处超 6db
输入到桥电路的 PWM 频率约是 10KHz
我的措施:
栅极的驱动电阻由原来的 22R 加大至 100R
栅极和源极之间增加一个 10K 的电阻
下桥源极增加一个 1uF 的电容连接到电源输入端
请教各位前辈
我这样的整改措施正确吗?或者有没有其他什么建议
nc965
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版主
  • 2021-2-8 14:54:05
 
优先做好脉冲电流环路最小化,其他问题再议,特别是电机驱动。
邓工
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LV3
助理工程师
  • 2021-2-18 11:45:01
 
好的
xkw1cn
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版主
  • 2021-2-9 23:28:50
 
一定有帮助,但无参数;无PCB;无负载连接情况;无测试曲线。无法确认。
邓工
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LV3
助理工程师
  • 2021-2-18 11:46:56
 
稍后整理一下上传,麻烦前辈有空指导一下
邓工
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助理工程师
  • 2021-2-22 10:02:08
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老师,PCB 我上传在了 7 楼,有空可以指导一下
jinlinqianshui
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LV6
高级工程师
  • 2021-2-20 13:34:11
  • 倒数10
 
发PCB吧,这个很重要。
增加到100R会导致开关损耗增加,要重新评估温升是否满足
邓工
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助理工程师
  • 2021-2-22 10:02:44
  • 倒数7
 
上传在 7 楼,烦请前辈有空指导一下
邓工
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助理工程师
  • 2021-2-22 10:00:24
  • 倒数9
 
三相半桥.png
如上,三相半桥的 PCB
左边是 PWM 输入,每一路 PWM 分别一个栅极电阻和一个开关管,三相一共有 6 路
中间就是 MOS ,MOS 是集成的 MOS ,两个 NPN,左上是 1 脚,其引脚定义:
1:S1     2:G1     3: S2    4: G2
5:D2     6:D2     7: D1    8: D1
电源电压从  5,6 脚进去
R47、R48、R49 是采样电阻
右边分别是每相对应的电源电压滤波的一个电解电容和小电容
R9、R6,R8、R4,R7、R3 是加在 MOS 栅源极的电阻
C16、C15、C6 是跨接采样电阻到电源电压之间的电容
C2、C3、C4 是采样电阻对地的小电容
下面是电机接口
邓工
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助理工程师
  • 2021-2-22 10:05:10
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右边下边电容 C9、C20 的线变细是软件原因
目前地线是从 MOS 中间穿行回到电源


邓工
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助理工程师
  • 2021-2-22 10:07:03
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测试是在电机空载的条件下测试的
栅极和源极之间添加 10K 的电阻之后就不能工作了,这个还需要重新考虑

邓工
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助理工程师
  • 2021-2-22 10:29:49
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上下桥目前死区时间是 490ns 左右
nc965
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  • 2021-2-22 11:51:12
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你还是发AD文档吧
AS-AS
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  • 2021-2-22 10:11:53
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采用Gate driver驱动MOSFET?那么G-S间不用再加电阻,gate driver内部有的,可以看看芯片规格书。栅极串联电阻会对EMI 有帮助,但是也会增加MOSFET的启动时间也热耗,同时死区设置也需要重新考虑。
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助理工程师
  • 2021-2-22 10:33:13
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是使用门极驱动器驱动的
刚刚查看了它的说明手册,并未找到相关栅极和源极之间有电阻的说明
在它的参考设计中也的确 MOS 的栅极和源极未添加电阻,但是不敢确定其内部已经含有
我会继续改变阻值试试
谢谢前辈
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