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未解决

三相半桥电机驱动 EMI 问题请教

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1

邓工

邓工
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LV6
高级工程师

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帖子：48

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LV6

高级工程师

2021-2-7 09:39:41

10问答币

如图，是三相半桥中的其中一路
已经初步定位电机驱动 EMI 的问题来源是三相半桥电路
EMI 辐射超过的频端是 160MHz 处突起一个三角尖峰，最高处超 6db
输入到桥电路的 PWM 频率约是 10KHz
我的措施：
栅极的驱动电阻由原来的 22R 加大至 100R
栅极和源极之间增加一个 10K 的电阻
下桥源极增加一个 1uF 的电容连接到电源输入端
请教各位前辈
我这样的整改措施正确吗？或者有没有其他什么建议

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		2 nc965 nc965 离线 LV7 版主积分：93647 \| 主题：115 \| 帖子：27352 访问空间发消息积分:93647 版主 2021-2-8 14:54:05
		优先做好脉冲电流环路最小化，其他问题再议，特别是电机驱动。回复 \| 举报 \|

			4 邓工邓工离线 LV6 高级工程师积分：451 \| 主题：7 \| 帖子：48 访问空间发消息积分:451 LV6 高级工程师 2021-2-18 11:45:01
			好的回复 \| 举报 \|

		3 xkw1cn xkw1cn 离线 LV7 版主积分：131400 \| 主题：37517 \| 帖子：55626 访问空间发消息积分:131400 版主 2021-2-9 23:28:50
		一定有帮助，但无参数；无PCB；无负载连接情况；无测试曲线。无法确认。回复 \| 举报 \|

			5 邓工邓工离线 LV6 高级工程师积分：451 \| 主题：7 \| 帖子：48 访问空间发消息积分:451 LV6 高级工程师 2021-2-18 11:46:56
			稍后整理一下上传，麻烦前辈有空指导一下回复 \| 举报 \|

			8 邓工邓工离线 LV6 高级工程师积分：451 \| 主题：7 \| 帖子：48 访问空间发消息积分:451 LV6 高级工程师 2021-2-22 10:02:08 倒数8
			老师，PCB 我上传在了 7 楼，有空可以指导一下回复 \| 举报 \|

		6 jinlinqianshui jinlinqianshui 离线 LV6 高级工程师积分：1622 \| 主题：6 \| 帖子：122 访问空间发消息积分:1622 LV6 高级工程师 2021-2-20 13:34:11 倒数10
		发PCB吧，这个很重要。增加到100R会导致开关损耗增加，要重新评估温升是否满足回复 \| 举报 \|

			9 邓工邓工离线 LV6 高级工程师积分：451 \| 主题：7 \| 帖子：48 访问空间发消息积分:451 LV6 高级工程师 2021-2-22 10:02:44 倒数7
			上传在 7 楼，烦请前辈有空指导一下回复 \| 举报 \|

		7 邓工邓工离线 LV6 高级工程师积分：451 \| 主题：7 \| 帖子：48 访问空间发消息积分:451 LV6 高级工程师 2021-2-22 10:00:24 倒数9
		三相半桥.png (77.26 KB, 下载次数: 91) 下载附件 2021-2-22 09:46 上传如上，三相半桥的 PCB 左边是 PWM 输入，每一路 PWM 分别一个栅极电阻和一个开关管，三相一共有 6 路中间就是 MOS ，MOS 是集成的 MOS ，两个 NPN，左上是 1 脚，其引脚定义： 1：S1 2：G1 3： S2 4： G2 5：D2 6：D2 7： D1 8： D1 电源电压从 5，6 脚进去 R47、R48、R49 是采样电阻右边分别是每相对应的电源电压滤波的一个电解电容和小电容 R9、R6，R8、R4，R7、R3 是加在 MOS 栅源极的电阻 C16、C15、C6 是跨接采样电阻到电源电压之间的电容 C2、C3、C4 是采样电阻对地的小电容下面是电机接口回复 \| 举报 \|

			10 邓工邓工离线 LV6 高级工程师积分：451 \| 主题：7 \| 帖子：48 访问空间发消息积分:451 LV6 高级工程师 2021-2-22 10:05:10 倒数6
			右边下边电容 C9、C20 的线变细是软件原因目前地线是从 MOS 中间穿行回到电源回复 \| 举报 \|

				11 邓工邓工离线 LV6 高级工程师积分：451 \| 主题：7 \| 帖子：48 访问空间发消息积分:451 LV6 高级工程师 2021-2-22 10:07:03 倒数5
				测试是在电机空载的条件下测试的栅极和源极之间添加 10K 的电阻之后就不能工作了，这个还需要重新考虑回复 \| 举报 \|

			13 邓工邓工离线 LV6 高级工程师积分：451 \| 主题：7 \| 帖子：48 访问空间发消息积分:451 LV6 高级工程师 2021-2-22 10:29:49 倒数3
			上下桥目前死区时间是 490ns 左右回复 \| 举报 \|

			15 nc965 nc965 离线 LV7 版主积分：93647 \| 主题：115 \| 帖子：27352 访问空间发消息积分:93647 版主最新回复 2021-2-22 11:51:12 倒数1
			你还是发AD文档吧回复 \| 举报 \|

		12 AS-AS AS-AS 离线 LV8 副总工程师积分：2425 \| 主题：149 \| 帖子：560 访问空间发消息积分:2425 LV8 副总工程师 2021-2-22 10:11:53 倒数4
		采用Gate driver驱动MOSFET？那么G-S间不用再加电阻，gate driver内部有的，可以看看芯片规格书。栅极串联电阻会对EMI 有帮助，但是也会增加MOSFET的启动时间也热耗，同时死区设置也需要重新考虑。回复 \| 举报 \|

			14 邓工邓工离线 LV6 高级工程师积分：451 \| 主题：7 \| 帖子：48 访问空间发消息积分:451 LV6 高级工程师 2021-2-22 10:33:13 倒数2
			是使用门极驱动器驱动的刚刚查看了它的说明手册，并未找到相关栅极和源极之间有电阻的说明在它的参考设计中也的确 MOS 的栅极和源极未添加电阻，但是不敢确定其内部已经含有我会继续改变阻值试试谢谢前辈回复 \| 举报 \|

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