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| | | | | | | 有两种可能:
1)变压器饱和,抓Ids看看
2)初次级共通,抓初次级驱动看看(示波器触发模式采用and模式)
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| | | | | 测一下电流采样电阻上电压的波形,反应原边电流大小。再测一下DS波形是否超额定电压。
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| | | | | | | DS电压是绝对没超,我测试过了,管子电流我这边没工具有点问题,但是有个问题是,我把过流点设定在6A过流就是一半的话,打嗝时间很长,就不会坏,但是我要改到15A的话,就很快,一下就炸了
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| | | | | | | | | 是不是过流电阻大小了,这相当于短路了,我电阻改0.2R就没事,但是出不来那没大功率
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| | | | | | | | | 换成肖特基试试。如果用肖特基还还,很可能变压器饱和 |
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| | | | | 这就是前端过流保护的缺点。采样电阻是不变的,芯片比较器的比较电压也不会改变。例如输入电压时250VDC, 电流设定1A保护。那么初级前端就是250W开始保护。 当输入电压400VDC时,同样也是要达1A才可以保护。那么前端的功率就是400W才保护。 楼主这个电源的问题就是出现在这里。因为该电源的MOS功率管功率严重不足导致的。在选择MOS管时也要注意MOS管的规格书最大功率。247.与220 封装同样型号MOS的区别就是功率项有区别。
如果过流保护在次级限制负载电流,就没有这个情况了,一般反激电源都是在初级保护,次级负载没有限制。
由来这个缺点,现在新型芯片都加入BO前输入电压的检测来纠正这个缺点。
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| | | | | | | 这个芯片也有限功率和二次侧保护,因为第一次用这芯片,有点不熟悉,那我现在换个MOS或者是把驱动电阻改大一点。
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