| | | | | 加大测试条件:高压,高温下测试启动有无变压器饱和,共通现象
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| | | | | | | 你好,我只有个自耦变压器。如果您方便加个微信15033244855
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| | | | | | | | | 建议先详细了解客户失效的环境条件:温度,工作电压,带仔条件,配合什么系统。
解决问题的前提是能够重现问题,不然只是瞎猜。
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| | | | | 你假设市电飙到280V(甚至305V)以上,温度-40度和80度,分别再测老化几千次
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| | | | | | | 高温倒是能做,低温没条件。最关键的是,几次故障都是出现在常温下的。并且都是在启动的时候,所以不存在高低温情况。反复用示波器测试启动时漏极电压,都远小于额定耐压值。并且启动时没有明显尖峰。而且芯片加了限流电阻。
这样子的话能不能大概分析出问题的方向点?是变压器?芯片周边参数?还是环路?另,开关频率工作在130K。
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| | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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- 主题:142
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- 帖子:45909
积分:109774 版主 | | | 你就逮一下开通瞬间看DS电压能飙升到多少伏就清楚了。你现在正常反射电压多少伏?尖峰电压多少?
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| | | | | | | 示波器反复测试,启动尖峰不超600。正常也在550-570这样。247额定耐压750V吧
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| | | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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- 主题:142
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- 帖子:45909
积分:109774 版主 | | | | | 单脉冲触发模式捕捉到不超过600?理论上来说没有软起动,启动尖峰不应该跟正常尖峰一样高。
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| | | | | | | | | | | 说错了,不超过500V。这是照片,刚测量的。
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扫描
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单次
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| | | | | | | | | | | | | 输入电压277V下再看,最好能看见开始几个PWM占空比,你这个太粗糙
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| | | | | | | | | | | | | | | 这个是刚测试的,调压器最高能到250V。
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250V启动
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250v
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 看波形:
1、频率偏高,漏感偏大,全程连续模式了,变压器应该很差,效率应该不好
2、这不是最开始几个PWM,还无法追究开机烧毁的原因。
3、带载情况没有说明,无法评判占空比
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这个波形是示波器单次下降沿触发,电源启动的波形。至于说效率倒是问题不大要求不高。负载情况是带两个12W直流风扇,和几个芯片的控制电路,功耗可忽略。
如果上升沿触发,示波器只能捕捉上电瞬间的波形,捕捉不到后面的pwm。明天我再试试吧
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 是带风扇么?两个一起12W,还是分别12W的?
你的测试是带风机的么?负载性质很重要,另外还有续流的问题。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 都是带载测试,前两天又测试20000次启动,没有出现故障。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 关键是这个余量留的大呀,就算250V输入时,余量也有150V呀
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 如果是这样的话,就算设计没有问题,那么在输入电压到390V的情况下,Vds岂不是也得留有很大的电压欲量?
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| | | | | 稳定工作时的ds波形也是上面这样吗?如果是,那就完全不对劲。 |
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| | | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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- 主题:142
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- 帖子:45909
积分:109774 版主 | | | | | 前面说不到500V,这里都超过700V,到底哪个是对的?
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| | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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- 主题:142
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- 帖子:45909
积分:109774 版主 | | | | | | | 搞不懂你的探头,从你的波形看,你的输入应该是2格多一些,你一格多少伏?
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| | | | | 你这种情况不是Vds超标,属于EMC因素引起。主要原因是启动瞬间客人的负载与电源电路相互谐振和电网干扰引起内部芯片工作信号异常(例如:存储时间过长)造成炸机。 |
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| | | | | | | 这个现象不是VDS超标引起的,请问你电流取样电阻也炸么?版主的问题解决了么?
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| | | | | | | | | 这个没有电流取样电阻。TOP的芯片,控制和MOS在一个封装里的。这个损坏一般都是在启动的时候坏的
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| | | | | | | 存储时间过长是什么意思?电源的负载是固定的,就是带两个12W直流风扇。而且风扇串联了5欧姆NTC电阻。
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| | | | | | | | | 存储时间是指在功率管导通结束时未及时断开造成的延迟。常规受影响的是MOS管的输入电容和PCB分布电容以及容性负载……你这个属于内置MOS,基本可以忽略输入电容问题。建议查找方法:1.使用电力质量分析仪测试一下客户的电网质量;2.使用客户一模一样的负载,再用示波器对驱动波形和Vds以及IC供电等等进行监测。明确结果没有出来之前,我有点怀疑风扇串联的NTC是祸根。
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| | | | | | | | | | | 这个是设备上用的辅助电源,所以负载肯定一样的。风扇串联的NTC会有什么问题?会不会和管子的质量有关?好像买到的是散新件
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| | | | | | | | | | | | | 你的元件不是找代理拿的样品吗?常规来说,半导体元件只要能正常工作数小时基本不没有开机初期异常损坏的情况?有问题需要测试,验证……可以推测,却不能猜测。
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