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LM5026有源钳位效率提升问题

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ruohan
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  • 2021-4-8 20:14:43
输入24V,输出13V/2.5A,主变压器初级电感48UH,钳位电容用两个103、500V的贴片电容,主频185KHZ.
VDS波形如下图:波形看着还可以,为什么效率提高不上去,现在只做到86左右,后边没有同步,变压器是:6:10,,EFD20的变压器。

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nc965
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版主
  • 2021-4-8 21:08:01
 
24:13对应6:10,明显不匹配
ruohan
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  • 2021-4-15 20:24:08
 
变压器不合理吗,
给看看,输入是15-28V,输出是13V,的
nc965
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版主
  • 2021-4-15 22:00:50
 
变压器应该有较大的优化余地,觉得更应该把有源钳位优化掉,附加绕组钳位试试?反激(更适应宽电压)试试?更何况这么小的功率提高那一点点效率有必要吗?你不觉效率提高4%(达到90%)所对应的那1.3W可能就是有源钳位电路的损耗吗?
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  • 2021-4-9 08:47:53
 
1 楼主变压器没有经过合理计算,  24V输入要估算最低电压,例子,按20V,  初级6圈,  20/6=3.33333v   .   13v+1/0.5D=28  28/3.33333=8.4T  取8圈
  关键是8T次级,变压器的窗口用最大的线径,能不能达到2.5A的电流( 7A/平方)。 不行的话可以减低初级为4圈。

2频率185KHZ 对有源正反激,频率过高,100KHZ为宜,

把变压器的线径电流做足了,效率就上去了。

ruohan
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  • 2021-4-9 17:09:53
 
输入范围是15--28V之间,
最大占空比用15V输入算的,。
现在波形很理想,就是效率低,,上不去,

VDS波形.jpg (189.76 KB, 下载次数: 45)

VDS波形.jpg
ruohan
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  • 2021-4-9 17:10:54
 
现在怎么存不了图了
ruohan
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  • 2021-4-9 17:12:33
 
再发张VDS,谐振电容加大的,还有VGS升沿和下降沿的,感觉是开启不是ZVS,而关闭是ZVS.

谢开源
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  • 2021-4-9 09:32:43
 
用红外拍一下看哪个元件异常热
ruohan
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  • 2021-4-9 17:17:03
 
次级电感热和整流管热,其他的都不热,
谢开源
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  • 2021-4-9 17:31:54
 
电感磁芯材质是什么?续流管用什么型号?换好材质的或并
ruohan
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  • 2021-4-10 16:35:00
 
电感就用那种5050的贴片电感,
现在调的接近90了,还是不理想,
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  • 2021-4-12 08:32:36
 
换成铁硅铝或合金材质的
ruohan
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  • 2021-4-29 07:29:25
 
现在效率是起来了,就是在同步MOS的时候,续流MOS的尖峰过大,用二极管就很小,
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  • 2021-4-29 08:39:43
 
加个RC钳位或改善续流layout或减小驱动
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  • 2021-5-5 08:26:35
 
RC效果不大,驱动也没有影响,,换成二极管就立马减小,
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  • 2021-5-5 09:11:59
 
Mos的体二极管先导通,且体二极管Trr过长所致。
建议找体二极管Trr小的Mos或并肖特基试试
ruohan
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  • 2021-5-6 08:11:34
 
BSC057N08NS3GATMA


能给推荐个不,,
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  • 2021-5-7 19:42:56
 
为什么反向恢复电流会造成这么大的尖峰电压啊,
是不是反向恢复的时候电流大,而此时二极管相当于个阻抗也大,然后大的电流在这个大的阻抗上面产生了大的尖峰电压啊,,
谢开源
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  • 2021-5-8 18:04:31
 
你这个管子已经很好了,没什么更好的推荐。可能是Trr大了,在反向恢复时间内续流管相当于短路,导致foward尖峰电流变大,从而使走线的寄生电感储存的能量变大,续流管的尖峰电压就变大了。
不知分析对不对。
实在不行续流管就串磁珠吧



ruohan
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  • 2021-5-10 15:40:11
 
串过,没有效果,换了一个国产的100V耐压的MOS后,满载尖峰变小了,可在空载的时候尖峰会超高,空载DCM下,尖峰变大,进入CCM后尖峰正常,由之前的95V变到85V,,
谢开源
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  • 2021-5-10 15:55:24
 
减小驱动:即增大驱动电阻或并C//Vgs (1n-3n3)
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  • 2021-5-10 15:59:34
  • 倒数10
 
比较一下国产的Mos哪个参数不一样?
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  • 2021-5-10 15:52:20
 
在反向恢复时间内续流管相当于短路,导致foward尖峰电流变大,从而使走线的寄生电感储存的能量变大,续流管的尖峰电压就变大了


反向恢复电流容易理解,就是不理解这个电尖峰电压和这个电流的关系,也不象走线的寄生电感引起的,这个尖峰电压和恢复电流是同时发生的,在二极管反向恢复阶段,该二极管可能等效成了一个电阻负载,这个电流才会同时产生一个尖峰电压。


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  • 2021-9-14 14:04:37
  • 倒数9
 
lm5026 开机的 MOS VDS出现高尖峰如何处理的,

lm5026开机波形 .jpg (242.85 KB, 下载次数: 34)

25Volt input

25Volt input
PSM4575
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助理工程师
  • 2021-9-18 10:20:48
  • 倒数8
 
@楼主  效率是如何提升的,本人做的30V8A效率才85%max,现在想如何提升效率到90%,差太大
PSM4575
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助理工程师
  • 2021-9-22 15:00:55
  • 倒数7
 
负载大VDS端尖峰电压大,不能使用更小电压的大电流MOS,  如何处理的? 输入25.4V 目前是输出30V8A .TRANS  NP/NS :2/6TS

30V6A 波形.jpg (250.16 KB, 下载次数: 31)

VDS波形前端尖峰72V

VDS波形前端尖峰72V

30v8a波形.jpg (103.94 KB, 下载次数: 29)

VDS波形前端尖峰100V

VDS波形前端尖峰100V
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  • 2021-10-18 14:18:17
  • 倒数6
 
这个有源钳位效率低,慢关断,尖峰小。快关断尖峰大,如图示

空载Vds.jpg (230.5 KB, 下载次数: 30)

空载Vds.jpg

满载Vgs,Vds.png (919.09 KB, 下载次数: 31)

满载Vgs,Vds.png
飞天小幻
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  • 2022-4-7 13:27:52
  • 倒数2
 
也正在调LM5026自驱正激,请问下楼主轻载时驱动有异常吗?现在也是,带载后有明显震荡和尖峰
PSM4575
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最新回复
  • 2022-8-29 10:51:46
  • 倒数1
 
LM5206明显震荡是反饋環路問題反饋非常容易被干擾,尖峰是交越了(也是反饋干擾產生的),容易高電壓擊壞功率件。
ruohan
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  • 2021-10-20 13:36:52
  • 倒数5
 
改了一版,换了个国产MOS ,尖峰下来了,
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  • 2022-4-3 12:02:34
  • 倒数4
 
这年头还有这种示波器??
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  • 2022-4-6 08:01:08
  • 倒数3
 
有个TDS3012B的,黑屏了,

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