世纪电源网社区logo
社区
Datasheet
标题
返回顶部
未解决

请教,电源MOS动点pcb背面,对EMC是敷地好,还是不敷地好

[复制链接]
查看: 946 |回复: 4
1
zd305
  • zd305
  • 离线
  • LV6
  • 高级工程师
  • 积分:726
  • |
  • 主题:3
  • |
  • 帖子:4
积分:726
LV6
高级工程师
  • 2021-5-11 19:55:44
10问答币
请教,电源MOS动点(如PFC MOS D极,贴片mos)pcb背面,对EMC是大面积敷地好,还是不敷地好?

收藏收藏1
谢开源
  • 积分:11754
  • |
  • 主题:81
  • |
  • 帖子:2933
积分:11754
LV10
总工程师
  • 2021-5-11 20:43:36
  • 倒数4
 
D点是动点,面积越小EMI越好,但有时为了散热就不得不加大D的面积。
背面可大面积敷铜接地
nc965
  • 积分:93675
  • |
  • 主题:115
  • |
  • 帖子:27360
积分:93675
版主
  • 2021-5-12 07:52:17
  • 倒数3
 
一般过孔过去敷铜增加散热,敷地的话相当于增加Coss耦合,有害无益,特别是高速电路(比如GaN)更应避免。
zd305
  • zd305
  • 离线
  • LV6
  • 高级工程师
  • 积分:726
  • |
  • 主题:3
  • |
  • 帖子:4
积分:726
LV6
高级工程师
  • 2021-5-12 11:50:30
  • 倒数2
 
散热是靠S极打多过孔到背面敷铜, 我的理解是D极在top面, bot面  D极正下面建议不敷铜,敷铜会增大coss,  频率越高,emi越难整,不知道理解是否正确?

nc965
  • 积分:93675
  • |
  • 主题:115
  • |
  • 帖子:27360
积分:93675
版主
最新回复
  • 2021-5-12 13:03:29
  • 倒数1
 
多数贴片MOSFET,散热铜头是D(而非S),理想散热是D直接焊在金属(基)板上。GaN器件散热靠绝缘表面(而非D),这时就如你说的情况。
热门技术、经典电源设计资源推荐

世纪电源网总部

地 址:天津市南开区黄河道大通大厦8层

电 话:400-022-5587

传 真:(022)27690960

邮 编:300110

E-mail:21dy#21dianyuan.com(#换成@)

世纪电源网分部

广 东:(0755)82437996 /(138 2356 2357)

北 京:(010)69525295 /(15901552591)

上 海:(021)24200688 /(13585599008)

香 港:HK(852)92121212

China(86)15220029145

网站简介 | 网站帮助 | 意见反馈 | 联系我们 | 广告服务 | 法律声明 | 友情链接 | 清除Cookie | 小黑屋 | 不良信息举报 | 网站举报

Copyright 2008-2024 21dianyuan.com All Rights Reserved    备案许可证号为:津ICP备10002348号-2   津公网安备 12010402000296号