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单管实现等效双管正激的实践验证

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boy59
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  • 2021-5-20 17:28:44
  前文对用单管实现的等效双管正激、反激做了理论分析,这里准备实际操作一下验证这种方案的可行性。控制芯片采用UC3843/2,其它元件都是手上现有的,以理论验证为主顺带进行部分优化设计。
                                  1-1 单管实现等效双管正激电路
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nc965
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  • 2021-5-20 19:16:14
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关键参数是器件耐压,这个能等效才算等效
boy59
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  • 2021-5-21 08:55:32
  • 倒数8
 
不能完全等效,验证这个电路其中一个目的就是验证器件的耐压问题,比如能否用600V的管子做单管正激(800V耐压)。
耐压虽不及真双管正激,解决驱动、二极管反向恢复、漏感等问题可能有些优势。
nc965
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  • 2021-5-21 09:01:06
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现在附加绕组钳位不就是单管正激吗?与之相比,驱动、二极管反向恢复、漏感等问题还有优势?
boy59
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  • 2021-5-21 09:56:11
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区别在于多了个电容,下图是将此电容右移做一说明

上图(a)由于变压器同名端关系电容Cbus2同Cbus1一样相当于输入直接充电(Cbus2就是原电路的C)
上图(b)放电时两个绕组同时驱动磁芯(根据叠加关系两绕组电流可能不同)
所以这个电容可视为母线电容,变压器的复位绕组同时也参与驱动提高了绕组利用率。
同时这种拓扑结构为无损吸收结构,见下图

无损吸收拓扑不需要解决漏感问题,如果漏感适当的大一些可以解决CCM模式下输出二极管的反向恢复问题。
初级还有个绕组是为了解决MOS管耐压小于2倍Vin用的。

nc965
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  • 2021-5-21 11:00:51
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完了弄个三者对比表格来说明问题
PNWZDL
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  • 2021-5-21 13:10:38
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boy59
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  • 2021-5-21 15:42:37
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首先验证UC3843/2芯片的开关频率公式:
                                 图1-2 UC3843/2频率特性公式
本次实验电路希望最大占空比在0.45以下,根据图1-2公式(中)计算出所需Rt=674;当取Rt=674时图1-2公式(左)所对应的系数已远远偏离一般的估算值1.72,数据手册一般建议Rt不小于5kΩ;根据图1-2公式(右)可以算出期望开关频率下的电容值。
实测波形如下:
                     图1-3 RTCT震荡波形
图1-3实测波形跟Saber仿真软件基本一致,说明Saber软件自带模型(Vmax=2.7、Vmin=1)是准确的(实际Rt=747、Ct=15.14nF)。
                     图1-4 最大占空比波形
图1-4调节反馈端将占空比调至最大,最大占空比结果接近计算值。
参考手册中好像没有提到用这种方法来限制最大占空比的,根据实测结果这种方法的不利之处就是功耗会变大(从10mA增大到20mA),原因应当是震荡电阻Rt太小造成的。

boy59
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  • 2021-5-26 21:39:31
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实验原理图如下:
                               1-5 等效双管电路原理图
1-5目前采用开环控制,Vfb脚接地Comp脚通过一个2k的可调电阻接地(调占空比),变压器初级由两绕组构成其中一端分别接地或6V辅助电源来进行测试。
电路实物如下:
                                  1-6 等效双管实验电路
当前变压器直接用的以前的反激变压器感量较低,后期需要重新绕制。下面的是普通的带辅助绕组的单管正激与带6V辅助电源的单管正激波形对比:
                      1-7 普通单管正激与带辅助电源的单管正激对比
当前输入电压为16V、辅助电压6V
                                 1-8 输入的电压、电流
1-7(a)普通单管正激Vds电压为2*Vin=32V,多出的“尖尖”是由二极管正向恢复造成(或与导线寄生电感有关),图1-7(b)增加辅助电源后的Vds=2*Vin-Va=26V
实验结果初步验证了这种单管等效双管电路的可行性,与理论、仿真结果基本一致。
ADSTEC
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