| | | | | 这两个电容可以按个头选,它其实是一个桥臂,与MOS构成的桥臂在个头上大致可以比拟就行,比MOS大,比MOS散热器小这样子。
另一个办法是按脚距选,两只MOS和两只电容4个元件构成一个最小脉冲电流环路,怎么才能最小?一定有一个布局的最佳脚距,比如22.5mm。
个头和脚距一旦确定,容值往大的选有利(一直可以大成电解),当然耐压要合适,然后是热的问题、间距、风道等问题。
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| | | | | | | 这两个电容在电路里的作用是给MOS的开启提供能量吗? |
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| | | | | | | | | 提供一个中点电平。本来可以(应该)用电解,只是因为布局、以及散热、成本等原因可以用2只薄膜电容接力
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| | | | | | | | | | | 估计你很少做半桥的,呵呵。 成本没有什么区别。 各有个的优缺点而已。
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| | | | | 半桥分压电容,有两种选择。1 简单一种是利用电解电容分压, 也当作整流滤波大电容使用, 因为是串联,容量减半计算。 耐压250V以上。
2 利用CBB金属模电容分压, 因为CBB电容容量有限。不能当作整流滤波大电容使用, 母线需要有450V耐压电解电容。
(值的注意的是这两个串联 CBB分压电容的耐压不要取小,最好是630V的) 容量根据峰值电流大小决定。
楼主的电路中CBB采样250V耐压, 根据本人经验,CBB的耐压关系到这2个电容的温升, 耐压越高温升越小。 CBB也是对温升很明感的器件,
小到失效膨裂。 大到融化起火燃烧。面目全非, 非常可怕。
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| | | | | | | 大佬能解释一下半桥的电路的电流流向吗,我理解的是当上桥开关打开时,电流是通过上桥开关再经过初次绕组到电容EC5中,下开关导通的时候,电流通过EC5再经过主初次绕组到地
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| | YTDFWANGWEI- 积分:109908
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积分:109908 版主 | | | 如果前面有滤波电容,那么这两个电容可以小,再每个周期电容上电压波动在10%左右即可,没有滤波电容,就按照滤波电容选择。
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