问题1： 常规的BUCK电源管理芯片放在低压端（电源地）驱动MOS管极限电压25V以内， 当输入电压超出25V时， VCC供电就需要稳压和驱动隔离， 电路就复杂多了，
该电路是高压220vAC输入/低压，为了简洁电路，采用芯片放在高压端，利用悬浮方式简化MOS驱动和VCC供电，非常巧妙。
原理：输入高压经过芯片GND到输出经过R1假负载回到电源地，芯片内部有自供电给VCC端的 C3充电，充到开启工作时，MOS被驱动开通，输出端就得到电压。又通过D3单向二极管作为输出电压反馈环控制稳定输出电压，（同时又对C3充电）。这时MOS管被反馈环控制而关闭，D2续流释放电感L3存储能量时，芯片GND脚电压接近输入输入与输出的共地，电感输出端比输入端变高。 输出电压就可以对C3充电，续流结束后 ，接着芯片GND电位又上升，芯片MOS第2次开通，C3上存储能量保持对芯片供电，周而复始的工作下去。 因此，芯片GND是上下高幅度的频率周期变化，D2与C3就是芯片的充电泵。
问题2：芯片内部电阻Rcs是电流采样电阻， 采样的是GND与MOSS的电流，通过芯片内部电路实现的， GND电位变化与芯片工作过程无关，把芯片看成一个整体工作在悬浮状态。 一般BUCK电流采样都是半周期的， 也可以在续流端采样。(这里不适合）
关键点： R1 假负载电阻， 这个电阻取值决定电源启动顺利和芯片内部的VCC启动源的电流。需要慎重。
津公网安备 12010402000296号