驱动芯片的自举电压在启动的一瞬间由12V抬升到20V！-综合电源技术-世纪电源网社区

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2021-6-30 14:34:12

10问答币

各位大佬，小弟在做无刷电调的时候发现，在大电流启动的时候，自举电压有异常的抬升，U相还好，V相，W相越来越大。如下图所示：

1、自举电容两端电压（Vb Vs）：

U相自举电压（黄色为U相电流、绿色为U相自举电容电压）：

V相自举电压（黄色为U相电流、绿色为V相自举电容电压）：

W相自举电压（黄色为U相电流、绿色为W相自举电容电压）：

2.12V电压是稳的

3.原理图如下

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能源消耗

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		2 YTDFWANGWEI YTDFWANGWEI 离线 LV7 版主积分：109874 \| 主题：142 \| 帖子：45925 访问空间发消息积分:109874 版主 2021-6-30 16:23:31 倒数10
		那个红叉代表什么？二极管去掉了？回复 \| 举报 \|

			3 ricWang ricWang 离线 LV2 本网技师积分：166 \| 主题：1 \| 帖子：6 访问空间发消息积分:166 LV2 本网技师 2021-6-30 16:57:01 倒数9
			红叉是我之前选的二极管耐压不够，换成100V耐压的二极管了回复 \| 举报 \|

		4 能源消耗能源消耗离线 LV10 总工程师积分：14110 \| 主题：54 \| 帖子：3311 访问空间发消息积分:14110 LV10 总工程师 2021-7-1 08:23:15 倒数8
		这是不可能的，测量方式不对。看上面波形，还没有工作，电压幅度就12V了。示波器不是在电容2端，下桥臂没有工作之前，自举电容不会有电压的，但你上面图开始就是12V。而且电容两端的电压不会像你波形这样变化激烈，总体说明，你测试方式不对。回复 \| 举报 \|

			5 ricWang ricWang 离线 LV2 本网技师积分：166 \| 主题：1 \| 帖子：6 访问空间发消息积分:166 LV2 本网技师 2021-7-1 09:20:49 倒数7
			不好意思，我这也没有隔离探头，把示波器的地线剪了，然后普通低压探头测得自举电容两端，不知这样是否准确？我用同样的方法测了其他公司的产品是可以稳在12V的。回复 \| 举报 \|

				6 能源消耗能源消耗离线 LV10 总工程师积分：14110 \| 主题：54 \| 帖子：3311 访问空间发消息积分:14110 LV10 总工程师 2021-7-1 09:59:53 倒数6
				示波器不接地，直接探头测3个臂，发现3个波形不同，就判断不对，这是不合理的怀疑。回复 \| 举报 \|

					7 ricWang ricWang 离线 LV2 本网技师积分：166 \| 主题：1 \| 帖子：6 访问空间发消息积分:166 LV2 本网技师 2021-7-1 10:52:09 倒数5
					大佬，主要是我最近驱动芯片一直损坏（V相或W相上边没输出）才来找原因，目测应该就是这里过压导致的。下图是驱动芯片突然上桥没有输出，导致没有正向电流的波形。大佬能帮我分析分析吗驱动芯片损坏.jpg (153.03 KB, 下载次数: 47) 下载附件 2021-7-1 10:51 上传回复 \| 举报 \|

						8 能源消耗能源消耗离线 LV10 总工程师积分：14110 \| 主题：54 \| 帖子：3311 访问空间发消息积分:14110 LV10 总工程师 2021-7-1 11:34:11 倒数4
						驱动芯片损坏，特别是自举驱动芯片，由于上桥臂供电是被动的，与下桥臂供电不同。损坏率较高。主要是自举由电容半周存储能量来维持，驱动能力有限。这跟功率MOS管的匹配很重要，一般自举驱动只能承受单只有限功率的MOS。不知道楼主的产品功率管和电机功率情况？贴个电路图看看。回复 \| 举报 \|

							9 ricWang ricWang 离线 LV2 本网技师积分：166 \| 主题：1 \| 帖子：6 访问空间发消息积分:166 LV2 本网技师 2021-7-1 13:57:02 倒数3
							大佬帮忙看看，做的一款无刷电调，56V电源，功率5.5KW左右。驱动芯片部分上面贴了，这是MOS管部分，图中的小电容全部去掉了，换成220uF电解电容。mos管换成了IPB017N10N5，目前测试只用了两路。 mos管原理图.JPG (104.06 KB, 下载次数: 40) 下载附件 2021-7-1 13:56 上传 mos管参数： MOS管参数.JPG (89.01 KB, 下载次数: 41) 下载附件 2021-7-1 13:56 上传回复 \| 举报 \|

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2021-7-1 16:45:29
倒数2

我也猜测你肯定多MOS管并联。所以毁坏驱动芯片。 15年前，我也开发过，跟你类似的三相电机控制器，48V 5KW电机驱动，采样IR 三相驱动芯片。一天测试下来坏50只，总共坏了80个。后面放弃使用驱动芯片，模拟芯片自举电路自己搭建分立件电路，解决了当时问题。没症状，没有测试机会，电机开始转一下，驱动芯片就坏，不是击穿。

主要原因是自举供电不足引起芯片内部的图腾柱上管因电压不足饱和反灌引起前级元件损坏。
为什么会这样呢？
当占空比小的时候，自举充电时间非常短，（因此自举电容尽量采用小容量多并），特别是电机驱动，占空比从小到大调速，前周期自举充电，供后周期驱动供电，这个是有时间差，充电时间短，用电时间长。电压会迅速掉落。多管并联，MOS总计结电容很大，驱动电流开始期间相当对容性负载电流非常大。

因此，在平时开关电源驱动芯片应用时注意这一点，大功率多管并联驱动不要用自举供电，可以辅助绕组独立VCC供电。

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									11 ricWang ricWang 离线 LV2 本网技师积分：166 \| 主题：1 \| 帖子：6 访问空间发消息积分:166 LV2 本网技师最新回复 2021-7-2 09:35:44 倒数1
									谢谢大佬经验分享。但是我这个是六步方波控制，采用H-PWM L-ON 的调制，下桥常开，在小占空比的时候充电时间应该也是够的。自举电压抬升我现在怀疑是跟寄生电感有关，跟电流大小相关。回复 \| 举报 \|