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| | | | | 5K-20KW igbt 10kw以上,晶闸管。 晶闸管热耗大。不是小。
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| | | | | 氮化镓和碳化硅 MOSFET应用建议
(1)所应用系统由于某些原因必须工作于超过200KHz以上的频率,首先碳化硅MOSFET,次选氮化镓晶体管;若工作频率低于200KHz,两者皆可使用;
(2)所应用系统要求轻载至半载效率极高,首先氮化镓晶体管,次选碳化硅MOSFET;
(3)所应用系统工作最高环境温度高,或散热困难,或满载要求效率极高,首选碳化硅MOSFET,次选氮化镓晶体管;
(4)所应用系统噪声干扰较大,特别是门极驱动干扰较大,首选碳化硅MOSFET,次选氮化镓晶体管;
(5)所应用系统需要功率开关由较大的短路能力,首选碳化硅MOSFET;
(6)对于其他无特殊要求的应用系统,此时根据散热方式,功率密度,设计者对两者的熟悉程度等因素来确定选择哪种产品。
国产碳化硅MOSFET和模块,电机控制.pdf
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