请教各位前辈，LLC的死区时间是不是要大于mos管体二极管的反向恢复时间-综合电源技术-世纪电源网社区

liujie1012

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2021-7-26 18:33:42

10问答币

请教各位前辈，LLC的死区时间是不是一定要大于mos管体二极管的反向恢复时间？例如下图，体二极管反向恢复时间最大为490nS，是不是我死区时间也要做到大于490nS?

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llc反向恢复时间

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jiazifei0512

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这个问题，我不能很简单的把他讲明白，但是基本思路是突加载时，突加载有可能谐振腔进入容性区，这样MOS 就处于硬开关了，这个时候就需要反向恢复特性好的MOS来硬抗。关于这方面的资料，你可以搜一下FAIRCHILD 的一篇AN，大概内容是MOSFET 在 LLC 拓扑中失效模式分析，重点讲了，带载开机，突加载，短路测试三种模式下MOS处于硬开关导致的损坏，可以搜一下看看。不过有可能你得多看几遍，这资料对现在的你有点挑战。 ...

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		2 lexus lexus 离线 LV6 高级工程师积分：1430 \| 主题：2 \| 帖子：12 访问空间发消息积分:1430 LV6 高级工程师 2021-7-27 15:21:04 倒数10
		只要能保证不工作在容性区，小一点没关系；回复 \| 举报 \|

		3 xkw1cn xkw1cn 离线 LV7 版主积分：131400 \| 主题：37517 \| 帖子：55626 访问空间发消息积分:131400 版主 2021-7-27 23:07:23 倒数9
		无需。死区时间与反向恢复时间没啥关系。回复 \| 举报 \|

			6 liujie1012 liujie1012 离线 LV6 高级工程师积分：982 \| 主题：17 \| 帖子：79 访问空间发消息积分:982 LV6 高级工程师 2021-7-29 09:31:23 倒数6
			因为我在电源网上看到一个资料，上面说如果MOS体二极管反向恢复时间过长，死区不够的情况下，容易造成上下管直通，在大动态下会导致炸机。https://www.dianyuan.com/article/29842.html 回复 \| 举报 \|

				8 xkw1cn xkw1cn 离线 LV7 版主积分：131400 \| 主题：37517 \| 帖子：55626 访问空间发消息积分:131400 版主 2021-7-29 20:22:12 倒数4
				三十年前；就凭借CPLD实现自适应死区了。这些在高端电源；都是不存在的。回复 \| 举报 \|

					10 jiazifei0512 jiazifei0512 离线 LV8 副总工程师积分：3734 \| 主题：32 \| 帖子：141 访问空间发消息积分:3734 LV8 副总工程师 2021-8-2 09:33:42 倒数2
					老大，你说的自适应死区是应用在LLC拓扑上面的吗？我以前玩过自适应死区调节，不过是使用DSP，应用的拓扑也是硬开关全桥的有源吸收，用于吸收副边stress尖峰，没玩过CPLD 电源回复 \| 举报 \|

						11 xkw1cn xkw1cn 离线 LV7 版主积分：131400 \| 主题：37517 \| 帖子：55626 访问空间发消息积分:131400 版主最新回复 2021-8-2 21:23:46 倒数1
						CPLD强大的多，没有程序循环和中断响应概念。几乎可以在单时钟周期完成任何想做的动作。不过要从“0”组装“操作器”。 DSP只不过是被串成糖葫芦的半成品而已。回复 \| 举报 \|

		4 jiazifei0512 jiazifei0512 离线 LV8 副总工程师积分：3734 \| 主题：32 \| 帖子：141 访问空间发消息积分:3734 LV8 副总工程师 2021-7-28 11:47:55 倒数8
		你要知道，LLC 谐振腔在死区内做了什么事情(激磁电流，在死区时间内，把半桥MOS的结电容充满电，在这之后，MOS获得驱动信号，实现软开关），那么就可以通过电荷公式Q=IT=CV 的公式反推出你想要的死区了。回复 \| 举报 \|

			7 liujie1012 liujie1012 离线 LV6 高级工程师积分：982 \| 主题：17 \| 帖子：79 访问空间发消息积分:982 LV6 高级工程师 2021-7-29 09:32:03 倒数5
			因为我在电源网上看到一个资料，上面说如果MOS体二极管反向恢复时间过长，死区不够的情况下，容易造成上下管直通，在大动态下会导致炸机。https://www.dianyuan.com/article/29842.html 回复 \| 举报 \|

				9 jiazifei0512 jiazifei0512 离线 LV8 副总工程师积分：3734 \| 主题：32 \| 帖子：141 访问空间发消息积分:3734 LV8 副总工程师 2021-8-2 09:12:15 倒数3
				这个问题，我不能很简单的把他讲明白，但是基本思路是突加载时，突加载有可能谐振腔进入容性区，这样MOS 就处于硬开关了，这个时候就需要反向恢复特性好的MOS来硬抗。关于这方面的资料，你可以搜一下FAIRCHILD 的一篇AN，大概内容是MOSFET 在 LLC 拓扑中失效模式分析，重点讲了，带载开机，突加载，短路测试三种模式下MOS处于硬开关导致的损坏，可以搜一下看看。不过有可能你得多看几遍，这资料对现在的你有点挑战。回复 \| 举报 \|

		5 嘉立创创创嘉立创创创离线 LV2 本网技师积分：154 \| 主题：1 \| 帖子：4 访问空间发消息积分:154 LV2 本网技师 2021-7-28 14:17:56 倒数7
		猴赛雷猴赛雷回复 \| 举报 \|