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反激主MOS开通时的原边电流振荡很厉害,怎么破?

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redsdzh
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LV4
初级工程师
  • 2021-12-12 17:00:35
DCM反激,输入电压范围50V-800V,输出20V/0-300mA, 原边反馈,变压器2.2mH,匝比4:1,开关频率135k
电源芯片无前沿消隐,CS过流保护门槛电压为100mV
发现MOS管开通时原边电流振荡非常厉害,而且最低振荡频率只有6Meg多点,200Ohm+2nF的RC滤波都滤不掉,导致有的开关周期过早关断
DCM无二极管反向恢复,所以这个振荡应该与变压器寄生电容、线路寄生电感等参数相关,原边绕组与辅助绕组之间寄生电容为56pF,原边绕组与副边绕组之间寄生电容为100pF。
目前除了变压器没调,Layout不确定有木有影响(MOS与控制芯片将近30mm),其他该调的都调过了(闭环参数,换MOS管,RCD断开与接入,二极管RC断开与接入,副边电路断开,甚至主MOS串10O欧电阻),该振荡几乎纹丝不动
大侠们支支招,看看有什么良策可以抑制此振荡幅度,或者提高振荡频率,使RC可以滤除?

如下是一些开关波形,包含好的周期与坏的周期
CH1:原边电流 CH2:芯片GATE脚输出 CH3:芯片CS脚电压 CH4:副边续流二极管电压


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redsdzh
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LV4
初级工程师
  • 2021-12-13 15:18:59
 
降低开关频率和增加Rg都有用
但还是不能到降到足够小,尤其高压下电流振荡峰值依然很高
只能想想动变压器了,目前漏感0.5%,Vds尖峰极小

顶一下


play__king
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助理工程师
  • 2021-12-14 11:09:01
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我也想知道
tigerzhang100
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LV8
副总工程师
  • 2021-12-16 11:39:28
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像是原边圈数不够,饱和的感觉,这个变压器的气息有多大?
redsdzh
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LV4
初级工程师
  • 2021-12-17 14:05:51
  • 倒数7
 
气隙未知,我们一般只提供基本参数给供应商。正常峰值电流是低压时的280mA,饱和电流设计在400+mA。Ae是58mm2, 原边100匝,两层,三明治
如果从最高的尖峰来看,确实可能饱和,尤其加到500V以上的时候,振荡峰值电流会到1A,但是时间很短,而且后面的尖峰不饱和。
目前看,如果工作在CCM,虽然振荡也厉害,但是能稳定工作。随着电压升高或者负载变轻进入DCM,且每个周期MOS关断时刻的峰值电流逐渐变小,小到这个峰值比最后一次振荡峰值低的时候,振荡会加剧,然后出现关断和不稳定现象。
id1001h
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LV6
高级工程师
  • 2021-12-17 13:21:05
  • 倒数8
 
可以试试在MOS的GS极间并一合适的电容,如果原MOS的Cgs为3.3nF,可以并一个1nF、2nF或者3.3nF试一下;

redsdzh
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初级工程师
  • 2021-12-17 14:14:21
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目前MOS的Ciss只有100+pF,高压小电流管子。换过1000+pF的管子,反而更差了。稳定工作范围更窄。
Rg的话,加大到47欧以后就没啥用了,100的也试过。开关频率降到100k了,芯片允许的最低工作频率。
Cgs可以并点上去再试试
redsdzh
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LV4
初级工程师
  • 2021-12-17 14:47:35
  • 倒数5
 
GS加了1nF,振荡电流峰值有轻微改善,轻载输入稳定点从360提升到370,重载输入稳定点从550提升到580,离800+的范围还差蛮多,而且MOS也烫了
id1001h
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LV6
高级工程师
  • 2021-12-17 15:53:21
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并Cgs后,驱动电阻再往小调,看看有没有效果

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LV3
助理工程师
  • 2023-6-13 14:18:01
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我也遇到同样的问题,麻烦问一下怎么解决的
行者不彳亍
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LV6
高级工程师
  • 2023-9-28 10:18:16
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顶一个,期待后续
星星点亮灯
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本网技师
最新回复
  • 2024-3-21 19:40:12
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