| | | | | 降低开关频率和增加Rg都有用
但还是不能到降到足够小,尤其高压下电流振荡峰值依然很高
只能想想动变压器了,目前漏感0.5%,Vds尖峰极小
顶一下
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| | | | | 像是原边圈数不够,饱和的感觉,这个变压器的气息有多大?
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| | | | | | | 气隙未知,我们一般只提供基本参数给供应商。正常峰值电流是低压时的280mA,饱和电流设计在400+mA。Ae是58mm2, 原边100匝,两层,三明治
如果从最高的尖峰来看,确实可能饱和,尤其加到500V以上的时候,振荡峰值电流会到1A,但是时间很短,而且后面的尖峰不饱和。
目前看,如果工作在CCM,虽然振荡也厉害,但是能稳定工作。随着电压升高或者负载变轻进入DCM,且每个周期MOS关断时刻的峰值电流逐渐变小,小到这个峰值比最后一次振荡峰值低的时候,振荡会加剧,然后出现关断和不稳定现象。
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| | | | | 可以试试在MOS的GS极间并一合适的电容,如果原MOS的Cgs为3.3nF,可以并一个1nF、2nF或者3.3nF试一下;
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| | | | | | | 目前MOS的Ciss只有100+pF,高压小电流管子。换过1000+pF的管子,反而更差了。稳定工作范围更窄。
Rg的话,加大到47欧以后就没啥用了,100的也试过。开关频率降到100k了,芯片允许的最低工作频率。
Cgs可以并点上去再试试
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| | | | | | | | | GS加了1nF,振荡电流峰值有轻微改善,轻载输入稳定点从360提升到370,重载输入稳定点从550提升到580,离800+的范围还差蛮多,而且MOS也烫了
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