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| | | | | | | 麻烦问下,其他是指的是开通瞬间的电流尖峰很高是吗? 我就是看了您先前回复的一个帖子,然后改了下,发现没什么变化。嗯,一个一个解决。 |
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| | | | | | | | | 其他问题很多,一两句说不清,生手才这样,先改变压器吧,要三明治
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| | | | | | | | | | | 把变压器从 初级一半——主输出——VCC——初级另一半 的方式改成了 初级一半——主输出一半——VCC——主输出另一半——初级另一半的方式,同时把原边匝数从260T改成了220T,但厂家绕的漏感在1KHz下没有太大变化,算是从1.8mH降到了1.4mH,这应该是匝数减少,气隙变小的原因。主要还是2845的驱动加了图腾柱之后才稍微好点。不知道为什么在1KHz下的漏感降不下来。新合作的厂家,且只能在这厂家做。图形就是gs和ds的波形,比之前好些,驱动开通的时候也不会有明显的坑了。
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| | | | | | | | | | | | | 给你点建议:
1、这么小的功率以及较高的电压,不要用3842了,很不匹配。在网上按关键词【内置800V】寻找一款(带启动的)芯片来做才合适。
2、D12耐压要与MOS要一样,要超快恢复,最好串个220R电阻(缓冲反向恢复电流)
3、L9、C33、R3、R5(至少在调试时要)拿掉
4、R4耐压不够,至少要两只串,最好3只串(总电阻先放500K调试)
5、变压器核算如下:
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| | | | | | | | | | | | | | | 好的,谢谢了。是因为面对的客户比较特殊,要求必须100%国产器件,所以能选择的比较少,我再了解下内置MOS这方面的信息。您说的D12用快恢复指的是超快恢复,反向恢复时间短的吧,像那种75nS的。FR107是1kV,但是反向恢复时间是500nS的。您说的D12上串一个电阻,这个倒是没见过,能麻烦方便说下什么原理吗? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 很多,很常用,自己百度,多半是国产,这种集成芯片是国产的强项,外围3、5个元件就搞定。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 好的,谢谢了,我找下。不知道您有没有时间,有个5V/10A反激 Vcc从空载的11V到满载的25V的问题想咨询下您。这是链接,但不知道为什么一直没审核通过。https://bbs.21dianyuan.com/thread-334087-1-1.html?fromuid=429417
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| | | | | 有两个方面楼主需要注意一下:首先是变压器的绕组以及磁芯气隙;再者电感的质量也要关注一下
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| | | | | | | 用的三明治绕法,第一层初级一半,再次级,再VCC,再初级的另一半。先让厂家试试不改绕组的情况下,能不能减小1KHz下的漏感。减小不了,打算把原边分成三部分,在次级和VCC之间加进去个原边 |
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| | | | | | | | | | | 把变压器从 初级一半——主输出——VCC——初级另一半 的方式改成了 初级一半——主输出一半——VCC——主输出另一半——初级另一半的方式,同时把原边匝数从260T改成了220T,但厂家绕的漏感在1KHz下没有太大变化,算是从1.8mH降到了1.4mH,这应该是匝数减少,气隙变小的原因。主要还是2845的驱动加了图腾柱之后才稍微好点。不知道为什么在1KHz下的漏感降不下来。新合作的厂家,且只能在这厂家做。图形就是gs和ds的波形,比之前好些,驱动开通的时候也不会有明显的坑了。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 低压大电流是会出现这种情况的,归根结底是因为漏感造成的。首先减小变压器绕法增加耦合比如:初次初次,VCC靠近次级平铺一层。次级主输出LAYOUT尽可能短粗,电路回路尽可能小。当然这只能改善,让变化范围小一些。
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