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未解决

全桥驱动MOS发热严重烧毁

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1
那个男人
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LV6
高级工程师
  • 2022-4-14 21:47:35
10问答币
小弟用俩ir2181配合dsp做LLC的全桥驱动,接入变压器和后级整流后,加入100v以上的电压mos就烧毁,将下图的Rg换成5欧姆也没有解决问题,这到底是为啥???着急!!mos使用的是irf840
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nc965
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版主
  • 2022-4-14 22:49:21
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既然加入100v以上的电压mos就烧毁,那么就只加入60V电压看波形找到100V烧毁的原因
那个男人
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LV6
高级工程师
  • 2022-4-15 08:51:21
  • 倒数6
 
谢谢,初步考虑可能是死区时间不够造成的瞬间左或者右半桥直连。
谢开源
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LV10
总工程师
  • 2022-4-15 08:09:57
  • 倒数7
 
带轻载来调试,1n4007换成肖特基·····
xkw1cn
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版主
  • 2022-4-17 22:09:04
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这就是工频与高频的区别意识。
板下布线工整;却违反了高频原则。
那个男人
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LV6
高级工程师
  • 2022-4-19 14:59:55
  • 倒数4
 
能不能细致说说 谢谢

xkw1cn
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版主
  • 2022-4-20 21:32:31
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同样寄生在连线的1微亨电感为例:
对于50Hz来讲,1微亨阻抗为0.3毫欧。
对于50kHz来讲,同样1微亨阻抗为0.3欧。
两者同样电流下的压降损耗差了1000倍。如果计入开关效应,小电流损耗差了100W倍。
所以,低频没啥事的电路,不一定在高频下可用。
那个男人
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LV6
高级工程师
  • 2022-4-21 15:45:44
  • 倒数2
 
十分感谢,那么想问问有没有较好的解决方案

xkw1cn
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版主
最新回复
  • 2022-4-21 23:14:13
  • 倒数1
 
缩短连线至极致的短。
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