给几个PWM仿真参数选取实例:
比如 OB2263:
就是普通的电流型反激,没有QR,就选择OSC_PWMCM模型,参数确定:
Fs:根据OB2263外接的RI确定,根据手册,外接100K电阻,频率为65KHz,则 Fs=65k
Dmax:根据手册,Dmax=0.75
Avcs:2
Vbias:内部图中一个二极管,Vbias=0.7
Kcs:可以按公式估算:Kcs=V*Rcs/(L*Fs)*η,V可按常用输入电压或最低电压取,Rcs电流取样电阻,L初级电感,η整机效率。比如按前例的变压器和负载,若电压取150V,Rcs=1.5欧,η=0.9,则 Kcs=150*1.5/(2.4m*65k)*0.9=1.3,要验证峰值电流*Rcs要稍小于相应的V
TH_OC限制。
Kse:0.2-0.5都可以,可以=0.4
Vout:查手册,Gate嵌位电压18V,受制于辅助电源电压,可以选14V
Rout:查手册,Gate驱动电流20mA,14/20m=700欧
光耦的负载电阻按手册取6K,电压源按手册取4.8V。
此模型没有CS脚的前沿消隐和Burst模式,CS脚的RC滤波要比手册上的取值要大。
再比如CR6890A:
普通QR+PFM+BURST,就选择OSC_PWMQR模型,参数确定:
FSmax:手册中没有明确指出,只给出工作频率65K,抖频+-6%,应该可以稍微扩大至75-80K,选75K
FSmin:手册中也没有明确指出,可以选FSmax的一半多一点,选42K
Dmax:根据手册,Dmax=0.8
Avcs:3.5
Vbias:内部图中一个二极管,Vbias=0.7 ? 怀疑内部结构图不准,后调整到1.2V,比较符合实际
Tqr:这个要先运行一遍,看Vds谷底周期,取周期的1/4时间。
TONmin:手册中没有明确指出,就选 2us
TOFFmin:=(1-Dmax)/FSmax=(1-0.8)/75k=2.67us,取2.5u
Tleb:CS脚前沿消隐时间=0.3u
Kcs:Vcs100/1V,100%占空比时CS引脚上峰值的电压和1V的比值,可以按公式估算:Kcs=V*Rcs/(L*Fs)*η,V可按常用输入电压或最低电压取,Rcs电流取样电阻,L初级电感,η整机效率。比如按前例的变压器和负载,若电压取150V,Rcs=1.2欧,η=0.9,则 Kcs=150*1.2/(2.4m*65k)*0.9=1.04,取1,要验证峰值电流*Rcs要稍小于相应的V
TH_OC限制。验证后Rcs=1欧,Kcs可以维持1。
Kse:斜波补偿电压系数,已归一化,通常可以取0.2-0.5,=0.4
Vpfm:进入PFM模式时FB引脚上的电压,=2.1V
Vcrm:进入CRM(Burst)模式时FB引脚上的电压,=1.2V
CRMhys:CRM模式回归PFM模式的HYS电压,手册查不到,参考其余IC,=100mV
FScrm:CRM(Burst)模式时的最低工作频率,按手册,=22K
Vout:查手册,Gate嵌位电压11.2V,=11.2V
Rout:查手册,Gate驱动电流20mA,11.2/20m=560欧
光耦的负载电阻手册没给,按FB开路电压/短路电流=5.8/0.2m=29K(直流),实际应该是交流阻抗,可以稍微取低一些=24K,电压源按手册取5.8V。
LP8773,数字锁谷:
数字锁谷QR+BURST,就选择PWM_QR_DIG模型,参数确定:
FSmax:手册中80K
FSmin:手册中52K
Dmax:根据手册,Dmax=0.65
Avcs:3
Vbias:调整到0.8V
Tqr:这个要先运行一遍,看Vds谷底周期,取周期的1/4时间。
TONmin:手册中没有明确指出,就选 2us
TOFFmin:手册中2.5u
Tleb:CS脚前沿消隐时间=0.25u
Kcs:Vcs100/1V,100%占空比时CS引脚上峰值的电压和1V的比值,可以按公式估算:Kcs=V*Rcs/(L*Fs)*η,V可按常用输入电压或最低电压取,Rcs电流取样电阻,L初级电感,η整机效率。比如按前例的变压器和负载,若电压取150V,Rcs=1.2欧,η=0.9,则 Kcs=150*1.2/(2.4m*65k)*0.9=1.04,取1,要验证峰值电流*Rcs要稍小于相应的V
TH_OC限制。验证后Rcs=1欧,Kcs可以维持1。
Kse:斜波补偿电压系数,已归一化,通常可以取0.2-0.5,=0.4
Vpfm:进入PFM模式时FB引脚上的电压,此IC没有PFM模式,=Vcrm=1.1V
Vcrm:进入CRM(Burst)模式时FB引脚上的电压,=1.1V
CRMhys:CRM模式回归PFM模式的HYS电压,手册查不到,参考其余IC,50-100mV,取80mV
FScrm:CRM(Burst)模式时的最低工作频率,按手册,=22K
Vout:查手册,Gate嵌位电压16V,受制电源电压,取14V
Rout:查手册,Gate驱动电流20mA,14/20m=700欧
VN:最大锁谷值,手册中 8
FBf1st:FB跌落时,从第一谷点到第二谷点的电压值,=1.6V
FBfend:FB跌落时,从最后一个谷点到进入PFM模式的电压值,其它的谷点电压为了简化,都维持等比关系,此IC没有PFM模式,=1.1V
FBrHys:相对应的谷点电压上升时的HYS电压值,手册中没给出,参考其余IC,400-600mV,取400mV
光耦的负载电阻手册中10K,电压源按手册取4.7V。
NCP1342:
数字锁谷QR+PFM+BURST,就选择PWM_QR_DIG模型,参数确定:
FSmax:选低频的一般参数75K,高频的500K没试过
FSmin:取45K
Dmax:没注意到,可以选0.7-0.8
Avcs:4
Vbias:调整到0.3V
Tqr:这个要先运行一遍,看Vds谷底周期,取周期的1/4时间。
TONmin:手册中没有看到,就选 2us
TOFFmin:手册中没有看到,就选 2us
Tleb:CS脚前沿消隐时间=0.265u
Kcs:Vcs100/1V,100%占空比时CS引脚上峰值的电压和1V的比值,可以按公式估算:Kcs=V*Rcs/(L*Fs)*η,V可按常用输入电压或最低电压取,Rcs电流取样电阻,L初级电感,η整机效率。比如按前例的变压器和负载,若电压取150V,Rcs=1.2欧,η=0.9,则 Kcs=150*1.2/(2.4m*65k)*0.9=1.04,取1,要验证峰值电流*Rcs要稍小于相应的V
TH_OC限制。
Kse:斜波补偿电压系数,已归一化,通常可以取0.2-0.5,=0.4
Vpfm:进入PFM模式时FB引脚上的电压,=0.8V
Vcrm:进入CRM(Burst)模式时FB引脚上的电压,=0.4V
CRMhys:CRM模式回归PFM模式的HYS电压,50mV
FScrm:CRM(Burst)模式时的最低工作频率,按手册,=25K
Vout:查手册,Gate嵌位电压12V
Rout:查手册,Gate驱动电流800mA,12/800m=15欧
VN:最大锁谷值,手册中 6
FBf1st:FB跌落时,从第一谷点到第二谷点的电压值,=1.4V
FBfend:FB跌落时,从最后一个谷点到进入PFM模式的电压值,=0.8V
FBrHys:相对应的谷点电压上升时的HYS电压值,=600mV