| | | | | 没人回复,自顶一个。
是我没有表述清问题呢,还是这个问题没有什么意义呢?
我要求得米勒平台的电压值是为了较为详细的求出MOSFET开通时电流和电压交叠的时间。
大侠们,快来看看吧..... |
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| | | | | 自己的帖子自己回复真是蛋疼啊。可谁让这帖子没人看呢。
还有几个问题我很疑惑,希望高手解答啊。是关于MOSFET datasheet上的数据。
就以下面英飞凌这款Coolmos为例 吧
CoolMOS_IPP60R099C6.pdf
问题一:Datasheet中第6页的table 6,静态特性中的Gate Resistance典型值为1.6 Ohm指的是MOSFET自身含有的门极电阻吗?在table 7中最后四个时间参数的Test Condition里的R G=1.7 Ohm是指外加的门极电阻还是自身的门极电阻还是指的总共的门极电阻呢?
问题二:
我认为在米勒平台阶段,驱动电流基本恒定 i g=(V GS-V platuea)/R G=(13-5.4)/1.7=4.47A ;
那么米勒平台持续的时间为 t GD=Q GD/i g=61/4.47=13.56ns;
然后我认为米勒平台持续的时间就是MOSFET漏源极电压从V DS下降到0的时间;
Table 7中的t r是漏源极电压从90%下降到10%,我认为是米勒平台持续时间的80%,所以从这里得到的米勒平台持续时间为12/0.8=15ns;
最终得到个两个有微小差异的米勒平台持续的时间,我想问问大侠们我上面的思路有哪个地方有问题吗?
问题三:
我认为在米勒平台以前,为一个恒压源V r=13V通过R G对MOSFET的输入电容C iss充电。所以V GS从0上升到米勒平台5.3V的时间为t1=-R G*C iss*ln(1-5.3/V r)。从datasheet上看输入电容C iss在V DS大于50V后就保持不变,取其典型值2.66nF。R G取1.7 Ohm。求得t1~2.37ns;
Table 7 里的t d(on)是从V GS上升到10%到漏源极电压V DS下降90%的时间,我这里近似认为是V GS从0开始上升到进入米勒平台的时间,t d(on)=15ns;
为什么这个t1 和t d(on)会有这么大的差别,我有哪个地方想错了吗?望高手指点。谢谢
很想知道大侠们在选择MOSFET及其估算损耗时是如何利用Datasheet中的这些数据的。
我是新手,关于MOSFET的很多问题很让我疑惑。期待大家的指点与讨论。 |
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| | | | | | | | | 多谢关注啊!
我是新手,没多少经验。不知道具体在实际工程中是个什么过程。我只是在设计阶段想尽量详细的计算MOSFET开关过程中漏源极电压和漏极电流的变化的时间,一是为了估算所选择的MOSFET的开关损耗,一个是评估一下di/dt及dv/dt。
大家都是怎么在自己的应用中选MOSFET的呢?找同等电压等级下参数最优的?然后再在实验中慢慢调试,多次换RG值用示波器观测实际的电压电流波形?还是。。。。。 |
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| | | | | | | 你这么回答 完全不是个新手。
看了你的计算MOSFET 米勒平台的东西很不错,你也解释了一些
勒平台持续的时间就是MOSFET漏源极电压从V DS下降到0的时间
你那个Ciss Coss Cress 与Cgd Cds Cgs 有关系的 通过Ciss Coss Cress 去求得Cgd Cds Cgs
米勒电容就是Cgd
确实 你估算这个有助于你估算MOS的开关损耗,实际估算你只要知道他大致DS关断时间与电流下降的值与时间的乘积就能求得最大开关损耗的。
并DS电容会增长米勒平台时间, 增大ds电压也会改变米勒平台时间,改变驱动电压也会改变米勒电容
得研究米勒效应,再看MOS的米勒平台就会更好理解 不单单是mos有。许多有负反馈的电路,如运放 三极管都有米勒效应的
目前正在关注米勒平台问题,有时候米勒平台长点好,有时候可以选择短些好,仍在学习 希望多给些这方面资料 谢谢
邮箱 zdwabcdefg@126.com |
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| | | | | | | 帮楼主顶一下!
个人认为这些数据如td(on)与半导体厂商,比如英飞凌的测试平台,测试设备息息相关;厂家不同,设备可能不同,选择器件时直接对比这些参数意义并不大;同个厂家可以对比工参考使用;
最好在应用的平台上测试开关速度差异,或者制作测试平台,专测试开关损耗;
英飞凌的数据上有提供Eon,Eoff的曲线;这个实际应用意义更大。 |
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| | | | | 巧的很 我也遇上了同样的疑惑,也是没有办法确认Vgs,miller电压,有机会一起商量一下吧,另外提供楼主说的那篇“一店买齐”参考文章,原帖链接失效了 :slup169 Design And Application Guide For High Speed MOSFET Gate Drive Circuits By Laszlo Balogh slup169 Design And Application Guide.pdf |
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| | | | | 我近期正在看这方面的内容,目的是比较准确地计算MOS开通,关断的损耗,包括体二极管的反向恢复损耗等。
过去花时间看过不少,但都是一段一段的,这次希望彻底搞清楚,至少能够搞清楚全部过程,就算不能算准确,也要知道为什么我算不准确。
收集了不少的资料,正在繁忙地过滤,阅读,翻译,整理中,希望一个月后会有些结果,到时候可以给需要的兄弟们分享一下。 |
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| | | | | 好吧 等不及了 还是我自己解决吧。。大家帮我验证一下说的哪里不对咯。
关于楼主说的第一个公式“I<sub style="padding:0px;margin:0px;word-wrap:break-word;font-family:'Times New Roman';line-height:25px;">d[/sub]=g<sub style="padding:0px;margin:0px;word-wrap:break-word;font-family:'Times New Roman';line-height:25px;">fs[/sub](V<sub style="padding:0px;margin:0px;word-wrap:break-word;font-family:'Times New Roman';line-height:25px;">p[/sub]-V<sub style="padding:0px;margin:0px;word-wrap:break-word;font-family:'Times New Roman';line-height:25px;">gs(th)[/sub])” ,是在某一特定Vgs下,处于 饱和区工作状态的Mos管的Ids随着Vds的增大近乎不变。这也是为什么一站买齐那文章描述这个电流为“Maximum current”,而我之前被这个“maximum”的歧义误导到别处去了,也怪我书都白念了。。
至于跨导gm(即gfs),与其说“ 这是一个随I<sub style="padding:0px;margin:0px;word-wrap:break-word;">d[/sub]变化的非线性量”,不如说它随很多量变化。如果楼主不想用datasheet给出的值,自己查器件物理的书从原始定义慢慢推咯,不过W/L你只能从mos厂商那里得知,还是老老实实直接拿现成的用吧。
第二种:I<sub style="padding:0px;margin:0px;word-wrap:break-word;">d[/sub]=K(V<sub style="padding:0px;margin:0px;word-wrap:break-word;">p[/sub]-V<sub style="padding:0px;margin:0px;word-wrap:break-word;">gs(th)[/sub])<sup style="padding:0px;margin:0px;word-wrap:break-word;">2,这里的Id指的是mos处于线性区的Ids值,而K则是0.5*Un*Cox*W/L,这的确算是个常数,但只有mos厂商才知道确切值。[/sup]
澄清了这两个都很靠谱的公式之外,再说说米勒平台电压的计算,也就是我之前的“Id”的问题,我从另一份资料中找到了较为有用的信息提供给大家参考
Estimating MOSFET Parameters from the Data Sheet.pdf
“ Id=5A :the maximum drain current at full load.” 而在该文章后面计算Vmill的公式中,这个该死的Id直接被替换成了“ I_load” 所以我仍然拿不准这个“Id”到底该是个什么值。 请求指教。。 |
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| | | | | | | 或者这么问吧,请问比如在buck拓扑下,流过mos管的电流是什么样的。。最大值是多少?恳请指教~~ |
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| | | | | | | | | 没有人回答吗?一个很简单的问题,在buck拓扑中,流经mos管的电流Ids,最大值是多少? |
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| | | | | | | Estimating MOSFET Parameters from the Data Sheet,这里的K=I/(VGS-VTH)2,和其他地方的K=I/(VGS-VTH)又不一样,好几年前的帖子了,不知道楼主有最后答案吗?
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| | | | | 一楼给出的第二种公式,适用在饱和区范围,我现在也在思考相关问题,我不是很确定为何米勒平台中MOSFET的工况可以认为是在饱和区。
输出特性曲线上划分区域针对的是MOSFET导通之后,而米勒平台对应的Cgd放电阶段应该与导通之后有所区别。本人属电力电子电机控制专业,对半导体特性才刚入门,如有不懂,望大神们谅解!
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