 |  | | | | 大哥又发帖了啊，上次您和dog72的那个讨论帖很好学了很多东西，期待ing~~ |
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| |  | | | | | | | 来了来了
这个问题是这样的，二极管关断的瞬间会产生磁芯复位电压，这个电压是饱和电感存储的部分能量（大约5%的总能量，其他的能量作为磁滞损耗发热了）在分布电容上产生的。
这回产生两个结果：
1、分布电容上的电压高于输出电压，则饱和电感正向矫顽，直至正向饱和（如果能量足够大，否则全部被负载和磁芯吸收掉）。如果能量足够，这个过程是个衰减震荡的过程，电感不断的双方向矫顽、饱和，直至能量全部被磁芯消耗掉，电感两端等电位。
2、分布电容上的电压低于输出电压，那么饱和电感上的压降会导致饱和电感再次反向矫顽直至饱和，产生衰减振荡。震荡过程同上。
这个震荡不会对系统造成什么影响，因为能量很小，最大只有饱和电感总能量的5%左右，不用去管它。 |
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| | | | | | | | | | | 你说这些之前，先回答我一个问题：上次我们讨论的boost变换器的续流二极管上串联可饱和电感，能通过这个过程把能量消耗掉吗？ |
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| | | | | | | | | | | | | | | 汗~
你这儿正向，反向怎么定义的啊？
我记得有问题的是二极管关断过程吧？这时候二极管上电压可是反向的。
我的意思实际上就是，其他拓扑也有同样的问题，只要你是把可饱和电感串联在二极管上。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 正向反向是用二极管的方向定义的。
在Boost中，饱和电感的正向复位是大问题，因为如果没有及时的正向复位并正向饱和，那么功率电感上的电流将在被饱和电感阻断，从而在分布电容上产生高压，击穿主开关MOS。
任何一种拓扑都有同样的问题，而且都是正向复位是大问题。 |
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| | | | | | | |  | | | | | | | | | | | 如果只是正向复位问题，那这个问题很简单啊：饱和电感上再并联一只二极管。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你这个问题实际上不是复位问题，而是导通延时的问题。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 也可以这么说。
这里复位的位置是指让饱和电感位于我们希望的常态工作点，我们一般都希望饱和电感位于正向饱和位置，这样插入的饱和电感不会影响电路的正常工作。 |
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| | | | | 我记得上次我们讨论的是，磁芯反向复位问题吧？
反向复位能量只能依靠二极管结电容和分布电容吸收。
在吸收过程中，二极管反向电压增加。如果电容容量足够大，那么可以在二极管击穿前把电压限制住，然后通过一个减幅振荡过程，能量被磁芯以及分布电阻吸收掉；反之，必然导致二极管被击穿，能量主要被二极管吸收。
正向问题，我更正一下，刚才又忘记了，如果在可饱和电感上并联二极管，将导致电感难以进入饱和状态。
通常，晶体管关断之后，可饱和电感饱和之前，是依靠晶体管的输出电容来吸收能量吧？不过当电流较大的时候存在危险。 |
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| | | | | | | 我那个贴子讨论的是正向复位。反向复位没有讨论过，但是讨论过开关管上串饱和电感的问题，和这个类似，结论是要有吸收电路。
整流二极管的反向复位是第一次讨论，不过通常电路都不考虑，因为整流二极管能承受的反向偏压余量很高，因为即便没有饱和电感，线路的分布电感也会因为反向恢复电流而产生反向冲击。饱和电感的储能甚至低于分布电感，所以基本上不需要考虑。
正向问题，通常是需要RCD吸收电路的，靠MOS的输出电容是吸收不掉的，因为要吸收的主电感的电流。但是电流很大的情况下，RCD吸收将产生很大的损耗，这损耗不比反向恢复电流的损耗小，所以我才设计了一个有源饱和变压器，用于饱和电感的正向恢复。 |
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| | | | | | | | | MOS电容吸收不掉的话，设法给电流提供另外的通路呢？
buck电路或许可以考虑把一只二极管并联在储能电感上。
boost电路到的确成了一个难题，必须采用耐压比输出电压高想当数值的开关管，然后采取措施来限制最高电压——不过你说这儿的功耗能和二极管的反向恢复相当，根据是什么？计算过吗？ |
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| | | | | | | | | | | 另外的通路就是RCD。
功耗没详细算过，估算一下就知道，假如饱和电感要70ns才能导通，那么这段时间功率电感上所有的能量必须被吸收掉，这个跟二极管反向恢复70ns区别没多大。
另外我在考虑用TVS钳位 |
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| | | | | | | | | | | | | buck-boost情况也和boost一样吧？这个没太仔细想过。
或许你说的对，只有buck比较好办一些。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 这个主意似乎没问题：
图中，L2就是可饱和电感，用一根同轴电缆（比如一小段半刚性同轴电缆，这种电缆的外导体就是一根铜管）穿过非晶态钴基合金磁环即可。之所以用同轴电缆，是因为这样构成的1:1变压器耦合度比较高。
图中，二极管D 1阴极可按红线的接法接U i，也可以按虚线的接法接U o。两种接法的主要差异是对晶体管T r1的耐压要求有所不同：如果D 1阴极接U i，T r1的最大电压为U i+U o；如果接U o，则Tr1最大漏极电压为2U o。当然，两种接法可饱和电感饱和所需要的时间也有所不同。
考虑T r1开启时，二极管D的反向恢复过程，二极管D 1两端最大电压为2U o。
采用类似的方法，可以同样解决boost、buck-boost拓扑中可饱和二极管开启前可饱和电感的阻塞问题，而且理论上不消耗功率。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 这个就是把我那张图里的励磁电感改成二极管D1了。
二极管D正向导通的时候，饱和电感变成理想变压器，L1中的能量全部回馈电源，不用输出了。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 汗~
如果D1接输入，那么L2两端的电压就是Ui，很快就饱和了。当然，有效占空比变小是不可避免的。
如果你不喜欢把能量送回电源，那么就用绿色虚线的接法，直接往负载传输能量，只是这样晶体管的电压应力要大一些。
这样做，不需要外加控制，你不觉得这样更简洁一些？ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 第一个图，L2无法正向饱和的。当MOS关断的时候，L2相当于一个次级短路的变压器，你可以把输入电压正极作为参考点看。当MOS上的电压上升到输出电压之前，初级相当于开路，不会对L2的磁通产生任何贡献；MOS上的电压上升到大于输出电压时，次级电压开始上升，在次级电压上升到输入电压之前，次级相当于开路，L2正向矫顽。
但这个过程非常快，所以L2不可能饱和，很快次级导通，导致初级也导通，于是变压器开始工作。此时初级电压=电源电压+输出电压，初次级压降都是电源电压。然后次级对电源进行充电。
主电感以高于正常情况一个输入电压的去磁电压退磁，相当于拓扑发生变化。不过貌似也能工作。
第二个图，都向负载输出比较复杂，我要考虑一下。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 想清楚了，两图都能工作，但是无法阻止反向恢复电流。
因为，当L2成为理想变压器的时候，D1和D2上的正向电流相等并且等于主电感输出电流。
所以，当MOS开启的时候，D1和D2同时反向恢复，L2此时是个理想变压器，不能起到饱和电感的作用。
综上所述，这个方法其实就是插入了一个理想变压器，没有任何其他作用。  |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 拜托！
当磁芯饱和之后，这个变压器就不工作了，除非你的电缆长度能够和工作频率的四分之一波长相比拟——这显然是不可能的。
当晶体管再次开启的时候，D1肯定不会有正向电流流过，既然没有正向电流，哪儿来的反向恢复？ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这个变压器那么容易饱和？即便偶尔饱和，反向恢复的时候一定脱离饱和，那下一周期还是个变压器 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 大汗~
你脑袋短路了。
这个东西接成变压器，和你直接在这个可饱和电感上接二极管+TVS有多少区别？
假如这个TVS的击穿电压等于输入电压，那么变压器接法和二极管+TVS接法磁芯的dB/dt是一样的，经过同样的时间之后进入饱和状态。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我只是说考虑TVS，并没说TVS就能行啊。而且我说完就演练了一下，TVS确实不行，功耗很大，不过没写下来。
饱和电感在这里的用法一定是要有辅助电路复位，否则肯定不行的，无论你想出多少精妙的结构，我都能一一的告诉你它为什么不行。 
你要仔细看我前面的分析过程 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 假如不考虑功耗，那TVS行不行？
我用TVS做比较，就是告诉你，这儿有足够大的电压加在可饱和电感/变压器初级上，变压器的饱和速度是有保证的。
变压器饱和之后，辅助二极管D1上还有电流吗？
没有电流，那哪儿来的反向恢复？
当晶体管下一次开通的时候，D1因为没有正向电流，所以是关断的（最多有个结电容充电电流）。所以变压器次级没有电流，变压器初级也就不会有相应的感生电流存在，只存在磁化电流，这个磁化电流和没有次级的饱和电感有什么差别？ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你仔细看我前面的分析过程，这里面饱和电感唯一一次可能饱和的机会就是“MOS上的电压上升到大于输出电压后，在次级电压上升到输入电压之前”。这段时间导致MOS电压上升的是主电感电流对MOS结电容充电，I=C*dv/dt（dv=电源电压）。饱和电感的正向压降就是dv，最大值是电源电压。
可以估算一下，在dt时间内如何才能让电感饱和（饱和电感的磁通都是uwb级别的），都不在一个数量级，基本不可能 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我就假如没有你所说的那个过渡过程，假设Tr1瞬间关断，然后变压器次级电压瞬间上升到Ui，D1也随之开启。
那么你是不是认为这个变压器永远不会饱和了？
当D1开启之后，变压器初级两端有没有电压？这个电压会不会导致磁芯中的磁通增加？
这是后磁通肯定是按公式：
dB/dt=Ui/Ae
随时间增加的。
想想看 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | D1开启了，D也开启了，两边电流大小相等方向相反,变压器dB=0，如何饱和？ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 所以我说你脑袋短路了。
变压器中，互感电流和励磁电流各是各的，不会互相影响。
按你的说法，难道变压器磁芯就没有饱和的危险了？ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 励磁电流反向恢复一开始就给抵消了，然后就变成变压器，互感电流相等。
貌似你每次给我扣帽子的时候，都会犯错误，这次也不会例外。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 假如忽略漏感（显然你的论述是忽略了的），那么变压器的模型就是理想变压器上面并联一个电感——这没错吧？
互感电流是从理想变压器上面流过的，由于理想变压器电感无穷大，这就要求理想变压器两边的电流与变比的乘积绝对值绝对要相等，方向必须相反。
而那只并联的电感呢？流过这只电感的电流就是励磁电流，励磁电流和理想变压器的电流是无关的。
如果上面所说的变压器就是我图中的变压器，那么这个电感就是没有次级时的那个可饱和电感。增加了次级，只是给初级电流提供了另外一个通路，并不会影响原本电感的电流规律，只不过因为有了次级，这个电感被称为励磁电感。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你以为哪张图？
你不是说我的图有问题吗！我这不一直在跟你分辨吗？
我一直在告诉你：你所说的两只二极管一起进行反向恢复过程是不成立的，因为主开关开启之前，D1是没有电流的。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 刚才不是集中讨论我那张图呢吗？所以没反应过来
你说的模型是对的，但是能不能饱和要看电压和时间。如果初级电压低，则饱和时间长，如果初级电压高，MOS的压力大。
同时，输出能量会减少。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 饱和时间和MOSFET的电压应力肯定是个不可调和得矛盾，这肯定是无法解决的问题，除非你不用可饱和电感。至于能不能饱和我到认为不是问题，除非没有接可饱和电感之前电路就要求在接近100%的占空比下工作。
至于输出能量问题到好办，D1接输出就把这部分能量利用起来了。如果嫌Tr1电压应力太大，可以把变压器次级的另一端不接地，改接输入电压，这样Tr1的电压应力就变成了2Uo-Ui。 |
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换管子，耐压高了内阻大，解决这些问题不比解决反向恢复容易啊。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 其实，37楼的帖子是在 joezzhang发言之前就开写了，只不过我发的慢。加上你们讨论的激烈，你没看见。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我的理解有两个核心问题吧：1、此饱和电感剩磁Br要高；2、每个周期MOSFET关断时，此饱和电感一定要处于正向饱和状态。不知道对不对？
请问，能否给定一个这个思路对多大电流适用？电流太小，此电感和外加励磁电路的损耗可能都比二极管的开关损耗大了。而且这个正向励磁电流什么时候给也是个关键问题，是MOSFET关断的过程中给（可以降低开通损耗，但是励磁电流可能要更大一些），还是在MOSFET关断之后给（开通依然是硬开启，但励磁电流很小）？ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 链接不对。。。应该是 https://bbs.21dianyuan.com/40323.html
想法是好，但是您这个励磁电流什么时间给是个问题啊？难道一直通着？
如果恒流源一直通电，那么在二极管反向恢复时会有一个反压感应过来，这个电压高了损耗很可观啊；而且反向恢复完成后，恒流源继续通电，二极管的结电容被充电导通，假设此时MOSFET还没有关断，那么一个周期内就可能多次出现反向恢复电流。最佳励磁时机是MOSFET的Vds刚好达到输出电压的时候，饱和电感也刚好正向饱和，不过这个没法精确控制。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这个励磁电流很小，可以一直通着。感应的反压被大电感阻断不能产生电流，损耗不会大的。其他的估算后面都有 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 
如图，红线指反向恢复电流，此电流通过L3给恒流源支路感应出一个反压，等效为恒流源的负载，会加大损耗；蓝线指正向励磁电流，MOS导通期间如果继续励磁，电荷累积可能会开通D1，那么C1就会再次通过D1和Q2支路放电，类似反向恢复电流。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这个图是因为仿真软件无法仿真饱和变压器，所以无奈用恒流源驱动，损耗是不小的。
你看二楼的图
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 一样的啊，只是你这个图没有画出MOS，我不好标反向电流通路。反向恢复的时候C1，T1，D1和MOS之间的通路依然存在啊。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这个感应电压在励磁端叠加在励磁电源上，给恒流源充电。但是因为限流电阻的作用，以及恒流电感很大，所以感生的电流很小。这样就可以控制损耗了 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 是的，但绝对的恒流做不到，至少用大电感只能做到相对。这个励磁电流会有微小的波动，反向恢复的时候变大，反向恢复结束减小，因为反向恢复电流是个三角波，最终归零，变压器初级磁通变化为零。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 明白，损耗等于感应电压*恒流源电流。
但是正常的反向恢复电流远大于饱和电感的矫顽电流，这个恒流源电流=矫顽电流/匝数。
实际上就是折射到主回路，损耗=输出电压*2矫顽电流，远小于正常反向恢复损耗的 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 时间是反向恢复时间，很短。随后电流为零，不再产生消耗。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 还琢磨你这个电路啊，的恒流源驱动的线圈打算绕多少圈？相应的感生电压是多少伏？你打算用多大的电感来阻挡这个电压？ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 都给你算过可惜你不看，饱和电流才30毫安，3.3V才90毫瓦，我就算不绕都没啥关系，绕个三四圈就剩10毫瓦了。
感生电压也就几十伏，反向恢复时间几十纳秒，弄个几百微亨的电感足够。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 30mA到是够小的，用单圈问题也不大，至于电压，那还要看工作电压是多少才行。
你这个电路的恒流源控制吗？ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 不控制恒流源，自生自灭。
工作电压怕啥啊，这里一个半导体都没有，就跟个电流互感器差不多。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 恒流源从哪儿供电？是一只通电还是随着某一个电压变化而变化？
难道你所说的电感是个互感器？从哪儿感生电流？ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 反向恢复的原理是P区和N区的载流子各自归位，这个电荷量对选定的二极管是固定的。只要二极管从正向导通到反向截止并达到反向电压U，那么损耗的能量就是QU。但导通二极管的等效模型是扩散电容Cd//势垒电容Ct//导通电阻Rd，关断的过程除了结电容的损耗还有反压U加在Rd上的损耗，如果关断时间越长，那么这个损耗就越大。
仔细想想，如果加了饱和电感，相当于在正偏电压消失的瞬间，让二极管PN结暂无反偏电压，让扩散的载流子有一个短时的自由恢复过程。显然，很小的饱和电感不可能支持扩散电容完全放电，所以只是减少了恢复过程中的一部分电荷Q1，那么减少的损耗P=Q1*U/T+I^2*Rd*Q1/（I*T）也相当有限。
虽然增加的励磁部分耗能不高，但和减少的损耗比起来到底是多是少还是没有数据支撑啊。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 结电容的放电电流还是有几十毫安的，应该放的干净，如果放不干净饱和电感就会反向饱和那损失更大了，不过计算一下还是有必要的。
另外，反向恢复还会造成MOS上的导通损耗，他会在MOS上造成一个瞬间的电流尖峰，甚至造成震荡，这部分损耗（输出电压*瞬间电流*时间）也不能忽视。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 压降0.5V，扩散电容至少几十pF，用几十mA的电流放的话，那也是nS级别的啊，整个恢复时间也是nS级别的， |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 纳秒级还不够小吗？现在那个大功率电源做到兆赫兹了？ |
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普通PN结是属于少数载流子导电，并与多数载流子复合的方式正向导电的。关断的时候必然存在一个载流子存储效应——实际上是因为载流子复合需要时间。
如果只是进入另一种载流子导电区域的载流子问题，或许难以解释Qrr的大小，因为在半导体中的少数载流子的浓度是有限的，恐怕其数量不至于打到Qrr的数量级。或许这儿还存在少数载流子注入效应——虽然这些载流子并不是真正由基极注入的，而是上一个工作阶段残留下来的。载流子注入效应实际上使得二极管变成了一个临时的三极管，这将使Qrr的总量比存储的少数载流子多若干倍。
另外，二极管正向导通之后，如果不加反向电流，而让二极管两端电压为零，二极管也会自动关断的。这就完全依靠载流子的复合过程，将越过PN结的少数载流子完全消耗掉。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 基本同意你的观点。二极管有没有反向偏压，其反向恢复电流有天壤之别，但偏压并不会影响反向恢复时间，反向恢复时间是由二极管节电荷融合速度决定的。 |
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上图是MBRB20200CT肖特基的结电容曲线。我的理解有误，更正一下，反压U越高，结电容C越小，但Qr越大，所以如果能在恢复过程中大大降低反压的话，就能大幅减少损耗。那么在反向恢复的过程中，该饱和电感压降越大则反向恢复的电流和损耗就越小。如果Vo=400V，那么该饱和电感能在nS时间内承受多少压降Vr而不反向饱和呢？漏感需要多大，才能让Vr在励磁线圈上的感应电动势可以忽略？Vr太小，减少的损耗很有限；Vr太大的话，算上励磁线圈的匝比，那个感应电动势可能上百伏吧，怎么能一句nS级别就忽略了呢？ |
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1、假设匝数比为1:1，漏感为零，完全耦合。那么次级扼流圈直接耦合到初级，假设恢复时间为30ns，电压为400V，根据U=L*dI/dt可得：dI=400*30E-9/L=12E-6/L。即12uH的电感会产生1A的反向恢复电流，事实上这个数还要除以2，因为恢复电流是个三角波。600uh就能抑制在10mA左右。
2、考虑极限情况原副边完全不耦合，那实际上就是饱和电感阻挡U=400V的电压，根据式子U=dΨ/dt，得磁芯总磁通的两倍2Ψ=U*dt。取1005（直径10mm，高5mm）的钴基非晶，2Ψ=5.4uWb=400*dt；得dt=13us。远大于反向恢复时间。
3、第三种情况，是上述两种情况的中间结果，即所需扼流圈小于600uh。 |
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那么励磁圈数倍于主回路圈数时，即使有漏感，感应电压也有几百伏甚至上千伏，这个高压怎么处理？还有假设完全不耦合，dt=5. 4uWb/400V=13.5 nS 而不是uS，所以反向恢复时间太长的话，你这个小磁芯会反向饱和。 |
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呵呵我算错帐了，但是1005是最小的，而且用超微晶的话是11.3uWb，算下来是近30ns。
这么高的电压，应该用大一些的铁芯比如2105是28.27uWb |
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铁芯不能反向饱和是基本条件，是要用大一个号的。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 其实我真实的目的并不是抑制二极管的反向恢复电流，当然讨论是按照抑制它来讨论的。我在原帖15楼透露了我的目的，那就是消除同步整流的死区时间。同步整流MOS的体二极管压根就没电流，直接遏制MOS的导通电流，让同步MOS在零电流零电压状态下关断。
但这会带来其他问题.... |
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但如果，消除死区，通过这个电路让MOS零电压电流关断，会因为很高的dv/dt击穿MOS。目前还找不到办法解决这个问题，正在思考中 |
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但如果这个电流比沟道电流小几个数量级，讨论这个电流有什么意义？ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你这图的小辫子被揪住了啊。
为了辅助电源电流小，那么辅助绕组必然圈数多，你这儿实际上也是一个变压器，当可饱和电感起作用的时候，这个变压器上面会感应多高的电压呢？电压高了，那么你的扼流电感又该有多大？ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 感觉就是损耗大了，如果这个励磁回路处理不好，可能损耗还要大于二极管的反向恢复损耗。如果有实物的话还好说，就这么干分析很难计算出来啊。反向恢复电流和压差，结电容都有关系 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我确实没仔细算，因为反向恢复时间很短。这个图，实际上就是等效的将扼流电感和限流电阻反射到主电路。
这么看：在反向恢复的时候，把励磁电路去掉，在主回路中二极管后面串入扼流圈和限流电阻就是反向恢复期的等效电路。
由于有这个扼流圈，二极管的反向恢复电流被钳位在最大两倍饱和电感矫顽电流以下。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 如果限制了最大电流，那么就会延长恢复时间，It=CU，反向电压和结电容乘积大致固定，那么反向恢复电流越小则恢复时间越长。多加的那个R还比较有用，按照你的等效电路，损耗将由（I1^2）*Rd*（t1/T）变成（I2^2）*（R+Rd）*（t2/T）。假如不考虑外加电路的效率，只要大扼流圈上有反压，那么损耗就是降低了。I1为不加电路的反向恢复电流，I2为2倍最大矫顽电流，Rd为二极管等效导通电阻。理想条件下就是等效为用一个扼流圈来减小二极管的反偏电压，扼流圈上反压越高则损耗越低，但你这个电路本身也有效率，到底降没降或者说降多少损耗就取决于你这个电路本身能做到多高效率了。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 有两点需要说明：
1、这里完全没有考虑漏感，实际上漏感是很严重的，所以扼流圈不需要很大，因为漏感大部分作为硬磁被铁芯消耗了。
2、电路的损耗是固定的，励磁电压平方/限流电阻。至于反向恢复时产生的反压，存在时间是纳秒级的，基本可以忽略。 |
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| | | | | | | 你好，我对你的这个boost仿真很感兴趣，能发一下saber文件吗？想具体研究研究，谢谢了！ |
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| | | | | | | | | | | 我想问一下这款电路的仿真时间是怎么设定的？ 
END TIME 和TIME Step的具体值是多少？一般电路的这两个值设定又有什么标准呢？ |
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| | | | | | | | | | | | | 最初可以设置为
End Time =1m
Time Step=1u
要看清楚细节下面这一项还要设置一下:
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