| | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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积分:109774 版主 | | | 1、你的驱动电阻是多大的,如果本身驱动电阻就小,影响就不明显。
2、加反向二极管会加快你的驱动波形的关断速度,对开通速度影响不大。
3、你的驱动的带载能力如何?如果本身带载能力小的话,也可能影响不大。 |
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| | | | | 谢谢大师指点
我的驱动电阻是两个47欧姆的电阻串联,然后在一个驱动电阻上反并一个二极管,带载能力在120W左右. |
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| | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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积分:109774 版主 | | | | 呵呵,你的驱动电阻好象太大了啊,现在驱动波形上升时间是多少?下降时间是多少?还是建议你减小驱动电阻好一些,同时反并联的二极管等于还是串联一个47欧姆的电阻,所以你看到效果不明显。 |
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| | | | | | | | | 为什么要加那个驱动电阻,加她后她产生效果的工作过程和原理是怎么样的?谢谢 |
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| | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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积分:109774 版主 | | | | | | 你最好提供你的原理图指明那个电阻,否则我说的跟你理解的可能不一样。 |
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| | | | | 大师你好:
我刚才又测试了一下,我把两个驱动电阻(包括反并二极管)短路了,结果在驱动的开始,有一个大约5V的小尖峰,请问大师这该如何解释?谢谢!!
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| | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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积分:109774 版主 | | | | 论坛是有大师级人物,但绝对不是我这级别的,我觉得没有电阻,可能是你布线电感跟你的芯片电容形成的一些震荡吧,你可以加10欧姆左右的驱动电阻就可以了。你可以将两个47欧姆电阻换成一个10欧姆的,拿一个MBR1100跟这个电阻反并联看看你的驱动。 |
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| | | | | 您太谦虚了,我很是佩服像您这样的技术高手.以后还请多多指教!
我按照您说的方法试一试,看看驱动波形. |
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| | | | | 另外,请问大师:MOS在关断时栅极的电压尖峰是由于栅源极之间的电容Cg引起的,还是由Vd在MOS关断时通过栅漏极之间的电容Cgd造成的???
谢谢!! |
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| | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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积分:109774 版主 | | | | 你说的这个电压尖峰是哪个?能不能画个草图都可以?还有再提大师我可真要去跳楼了。 |
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| | | | | | | 很多人都认为是Cgd与引线电感的振荡,我不同意这种看法,据我对波形的观察和分析,振荡不是Cdg造成的,而是Cds和引线电感造成的,MOS导通期间,漏极电流流过引线电感,管子突然关闭后,这个电感中的电流会继续流动,其与Cds电容形成振荡,在漏极形成一个很强的振铃,这个振铃的幅度甚至要比栅极电压高得多,这个振铃也会通过Cdg和Cgs分压,并耦合到栅极,如果没有栅极串联电阻,就会向前级传递,所以,这个串联电阻其实是一个隔离电阻。 |
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| | | | | | | | | 另外,我们经常见到在栅极并联一个稳压管,这个稳压管的作用,常规说辞无法解释它的作用,真实作用,就是用来削减过高的振铃分压。 |
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| | | | | | | | | 此外,这个电阻还有一个作用,就是导通瞬间,栅极电压迅速上升,漏极电压迅速下降,由于Cgd的密勒效应,会从栅极瞬间抽走电流,如果没有这个串联电阻,也会对驱动源造成冲击,从这个角度讲,这个电阻的作用也是隔离。 |
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| | | | | 呵呵,顶一个。
同意WANGDASHI的看法。关断尖峰是由引线电感和栅极电容振荡产生的。串个电阻可以damp掉振荡。过大则边沿过缓。 |
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| | | | | | | 本人与版主及楼上的看法有所不同,Rg较大时,即Vgs上升较缓时,副边二极管的关断振铃幅度可明显降低,辐射EMI亦会减少.一般认为Rg偏大会增加开关损耗,而事实却是:适当增加Rg阻值能改善整体效率.不同时期不同品种的MOS FET的传导数学模型是有较大区别的. |
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| | | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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积分:109774 版主 | | | | | 是的,从副边整流二极管反向尖峰来说,开通速度慢可以减少尖峰及振铃,因此开关速度并不是越快越好(特别是硬开关条件下)。 |
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| | | | | | | | | 这个观点我有点认同,我在做之前一款用3843做正激的时候驱动电阻就是一个39欧姆和一个22欧姆串联的,在22欧姆的电阻上反向并联一个二极管,但是这个驱动电阻不是在每个电路里都适合,在24V/4A输出的情况下这个效率还可以但是当用在12V/8A的情况下就不行了,驱动波形的上升沿有一个阶梯型信号,使MOS管的开关损耗增加不少,效率上不去,我正在试验将前面的39欧姆电阻换成10欧姆的,这样一起20欧姆估计差不多合适,等待试验结果 |
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| | | | | | | 个人觉得关断尖峰是由引线电感和Cgd电容振荡产生的 |
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| | | | | 很多驱动上都是这样用的。反向二极管的作用是加快MOSFET的关断。 |
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| | | | | | | 反向二极管,加速关断,我测过,例如20K的频率,没加是下降沿2us,加了反向二极管后,下降沿是1.4us。 |
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| | | | | | | 请问如何加速关断,电流由Cgs端经二极管流向哪里呢
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| | | | | | | | | 可以看下驱动芯片的内部,驱动IC内部下管打开后,MOS门极的能量经过电阻和驱动IC内部的JFET管导通到地,进而关断MOS管。
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| | | | | 这个要看MOS管结电容大小,还有驱动电路的驱动能力,还有驱动电阻多大。 |
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| | | | | | | 如果本身关断都很快的话,那是不是加与不加都没什么区别了? |
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| | | | | 楼主现在问题解决没,二极管的作用是不是加速关断的????求答! |
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| | | | | 我们知道驱动电阻两端反并二极管是为了加速MOS管关断,但是为什么MOS管在这个时候不需要进行加速开通呢? |
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