如何避免驱动三极管的PSR系统短路炸机？

赛威科技(SiFirst Technology)继在离线式(AC/DC)小功率充电器领域推出驱动MOSFET的SF5920系列之后，近期又推出两款全新的驱动功率BJT的PSR架构芯片SF6010和SFL658。其中，SF6010适用于充电器领域，可以实现30mW的超低待机功耗和小于±5%的高精度恒压恒流(CV/CC)特性; SFL658适用于小功率LED照明领域，可以实现小于±4%的高精度恒流。赛威这次发布的PSR控制器SF6010和SFL658分别采用新颖的“多模式控制”和“智能短路保护”技术，大大提高了系统可靠性。
　　众所周知，原边反馈(PSR)控制架构由于其可省去传统反激架构中的光耦和辅助元件而成为小功率充电器领域的主流架构。近年来，驱动功率BJT的PSR架构由于其系统成本低，因而受到了电源厂家和LED照明驱动厂家的青睐。然而由于功率BJT的耐压比功率MOSFET要低，在极端情况下诸如短路或这过载时容易发生击穿现象从而导致系统损坏。
　　赛威科技这次发布的SF6010和SFL658采用了专利的 “多模式控制”和“智能短路保护”技术，克服了目前驱动BJT的PSR技术的缺陷，大大提高了系统的可靠性。赛威科技IC研发总监林官秋指出：目前的模拟类PSR系统大都采用PFM控制，PFM控制的好处是其优异的EMI性能。然而在小功率充电器领域，纯粹PFM架构容易导致变压器发生饱和现象，从而导致系统在过载时损坏。赛威发布的SF6010和SFL658采用“多模式”控制，通过在满载附近采用PWM+PFM控制，从而防止变压器发生饱和现象，大大提高了系统可靠性。林官秋还指出，传统PFM架构的PSR系统在短路时，容易发生频率“误触发”现象，一方面容易导致系统短路功耗大，另一方面容易导致功率管电压冲高而炸机，尤其是在LED照明领域。当LED进行板端短路测试时，功率BJT由于其耐压值相对较低，从而相对于功率MOS更容易发生炸机现象。赛威科技这次发布的SFL658彻底解决了这个问题，通过采用专利的“智能短路保护”技术，自动检测识别系统短路情况，同时采用多种手段降低短路功率管的短路冲高电压，测试结果表明采用“智能短路保护”能够使系统短路时功率管的冲高电压至少降低100V以上，从而大大提高了系统可靠性。
　　SF6010内部恒压比较器参考电压精度为+/1%，因而可以实现±5%的高精度恒压。同时SF6010还内置线损补偿(cable drop compensation)， 并且无需外部环路补偿电容，降低了系统成本。SF6010用在充电器领域时，可以实现30mW的超低待机功耗，达到“五星级”充电器标准。SFL658适用于LED照明领域， 包括小功率GU10和PAR灯应用。SF658内部恒流比较器参考电压误差为+/1%，为业内同类产品最高精度。同时SFL658还采用了专利的恒流控制与修正技术，结合内置的系统恒流点温度补偿功能，可以实现量产4%的恒流精度。此外，SF6010和SFL658还集成了诸多完善的保护，诸如软启动保护，VDD过压保护，输出过压保护，管脚浮空保护等等，这些保护功能大大提高了系统可靠性，优化了系统性能。SF6010和SFL658提供SOT23-5封装。