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未解决

12V4A充电器 EMC20M突起

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zhangweizhong
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  • 2008-7-11 10:22:03
10问答币
12V4A充电器 EMC20M突起各位高手看看是什么原因。

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admin
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  • 2008-7-11 10:31:11
 
您好,请把您的图片用JPG格式贴出来,这样更方便大家帮您解答问题谢谢!
zhangweizhong
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  • 2008-7-11 10:33:11
 
谢谢提醒?
zhangweizhong
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  • 2008-7-16 17:36:23
 
开来没人感兴趣,

自己顶
程英明
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  • 2013-9-10 15:39:33
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把开关管的速度稍微放慢一点点,Y电容的参数调整,变压器屏蔽,以及环路,开关管套磁珠,散热片接地,输入共模电感24-30mH,X电容0.33uF以上,就差不多了。
transformer1
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  • 2008-7-16 18:16:22
 
你的充電器會不會有 EMI Filter ?
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  • 2008-7-17 11:00:36
 
20M应该是共模干扰,主要是高频辐射造成的,可采取调整电路板布局,电源输入加差模电感 ,变压器处部包铜;变压器输出端加磁珠等方法,也可以利用散片隔离屏蔽变压器。
wxy-28
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  • 2008-7-17 13:57:41
 
transformer1
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  • 2008-7-17 16:49:36
 
支持五樓兄弟說的, 不過在 磁性元件的外邊包一shielding,看看效果如何?
伟林电源
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  • 2008-7-17 19:03:17
 
调整输入EMI 加强整体辐射屏蔽.
transformer1
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  • 2008-7-17 19:20:39
 
就一個充電器, 那麼小的範圍,很好整的..
zhangweizhong
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  • 2008-7-21 14:17:29
 
加差模电感 ,变压器处部包铜,都试过了。还是没什么改善。我调整了电路板布局。正在打样,回来做样机再试
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  • 2008-7-22 10:28:12
 
还有个办法,就是在初次级绕组间加屏蔽,不过要注意屏蔽层不要形成闭合回路呀。
zhangweizhong
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  • 2008-7-23 17:34:10
 
屏蔽都有加
wxy-28
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  • 2008-7-24 13:29:54
 
zhangweizhong
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  • 2008-7-25 17:29:36
 
大家看看这个,重排板后,把共模电感加大了。30M的位置往上翘是什么原因呢?这样辐射会不会超呢?
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  • 2008-7-25 21:54:48
 
看来布线很重要呀!
zhangweizhong
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  • 2008-7-28 17:37:48
 
布线是很重要。
但现在辐射过不了呀
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  • 2008-8-9 03:14:42
 
EMC调的怎么样了?是如何改进的?
cmg
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  • 2008-8-9 05:43:15
 
14 楼 zhangweizhong 的回复

大家看看这个,重排板后,把共模电感加大了。30M的位置往上翘是什么原因呢?这样辐射会不会超呢?

把共模电感改回原来的值,是不是前面又升起来,后面又降低一些。
向你50W的功率要用一级共模,对布局和变压器的要求非常高,如果用两级则比较容易,这两级可以都在初级或者一级在初级一级在次级。
zhangweizhong
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  • 2008-8-9 14:31:46
 
共模电感改回原来的值,是前面又升起来,但后面降低不多。用两级我的板位置不够。
cmg
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  • 2008-8-9 19:11:55
 
第二级不需要很大的共模,用个直径为8或者10mm,厚度为2mm的铁氧体环绕几圈就行了。电感量为100-200uH就可以了。放在次级可能更方便一些,如果不加,辐射有可能也是个难题。
zhangweizhong
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  • 2008-8-11 10:19:30
 
次级加共模试了,功率辐射过不了
cmg
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  • 2008-8-11 10:49:45
 
感觉你回答问题总是颠三倒四,你应该先回答原来次级有没有加共模?如果没有,次级加共模后传导有没有过(你是问传导的)?如果过了,再来讨论辐射。
向你这个辐射,读点可能还是有些裕量的,只是比较小,如果次级有加共模的话,可以把共模的磁环材料由锰锌改到镍锌。
当然这里只是给你提供一些建议和修改的方向,具体还是要靠自己去做试验。
zhangweizhong
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  • 2008-8-11 14:20:06
 
呵呵,不好意思,说的是有问题。谢谢cmg的指正和解答,等我测试后再把结果发上来。
L10X10
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  • 2008-8-19 11:49:16
 
zhangweizhong 测试结果出来没
zhangweizhong
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  • 2008-9-23 16:55:05
 
拿去给ITS搞了。没空搞了老板又拿了几个方案来。ITS也高亮很久了,等他们搞好我把结果发上来。
cmg
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  • 2008-9-23 20:38:30
 
ITS是什么意思?
zhangweizhong
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  • 2008-9-23 21:15:25
 
认证机构
cmg
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  • 2008-9-23 21:20:27
 
这个收费很贵的,为什么这钱不让兄弟我赚,你还可以学技术。哈哈!
zhangweizhong
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  • 2008-9-23 22:26:43
 
呵呵,我也想啊。可这是老板决定的,还是拿到香港去改的。
叁伍
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  • 2008-10-7 13:00:25
 
伟林电源
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  • 2008-10-8 00:57:14
 
有钱的老板就是不一样啊。
sunxj_007
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  • 2008-10-8 17:49:46
 
其实老板这么做未必是好事!
zhangweizhong
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  • 2008-10-9 17:34:59
 
老板是香港人。过认证都是拿香港去做的
中国勇士
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zhangweizhong
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  • 2008-10-9 19:11:21
 
我有加铜箔屏蔽,不知道是加铜箔好还是加两倍于初级线径的铜线好呢?
中国勇士
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cmg
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  • 2008-10-10 09:13:22
 
铜箔一般用1.1匝,不是0.9匝。
wanghaiting
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  • 2013-9-8 10:27:31
  • 倒数7
 
1.1匝要短路的
拒绝变帅
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  • 2013-9-9 18:20:55
  • 倒数6
 
书上看来的吧?
实际做过变压器的就不会有这疑问了,铜箔可以用胶带包起来绝缘的。
wanghaiting
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  • 2013-9-10 08:14:52
  • 倒数5
 
不是,因为我们做的都是0.9T ,1.1T的话,我想变压器厂工艺也不好处理吧
zhangwei0846
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  • 2013-9-12 14:55:08
  • 倒数3
 
0.5TS吧
xkw1cn
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  • 2013-9-13 12:22:53
  • 倒数2
 
0.9是裸铜皮;1.1是带胶铜皮。厚度效果有差异。
中国勇士
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禁止发言
  • 2008-10-10 09:36:36
 
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cmg
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  • 2008-10-10 10:45:05
 
48W用三明治效率比较高。
zhangweizhong
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  • 2008-10-11 11:59:40
 
我们做的变压器都是包0.9圈的。我打个1.1圈的试试,谢谢你们的回复
zhangweizhong
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  • 2008-10-18 11:07:21
 
我测试了几个变压器,屏蔽绕1.1圈对20-30M有改善,下降7-8db,对于其他频率段没有改善。30M以后没条件测。屏---初---次---辅---屏,这样的绕法效果最好,但漏感很大,可以达到初级电感的5%。
cmg
  • cmg
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  • 2008-10-18 20:38:24
 
下降7-8dB就可以通过了,只是裕量小一点。考虑到效率用三明治:1/2初级-屏蔽-次级-辅助-1/2初级。
xkw1cn
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  • 2008-10-20 09:40:08
 
如果加屏蔽有效的话,说明一/二次间的安规电容没装合适,建议查一下。
如果高频段超标,可以用镍400的环用电线单层绕6~12匝做共模电感就可以有效抑制。
forestgump1003
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  • 2008-10-20 10:40:40
 
都是高手,一直在搞DC/DC,缺少EMI经验的人飘过
zhangweizhong
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  • 2008-10-20 11:14:10
 
xkw1cn 版主的意思是只要一/二次间的安规电容装合适的话可以不用加屏蔽对吗?
xkw1cn
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  • 2008-10-20 13:26:44
 
绝大部分情况如此。
zhangweizhong
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  • 2008-10-20 13:36:28
 
我只知道Y电容接在最安静的地点或正极为好。不知道还有哪些方面要注意呢?
xkw1cn
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  • 2008-10-20 14:32:43
 
这不是Y电容,是2KV以上的瓷片电容,容量大体在220P~4700P之间,是接在1/2次地之间;专门短路一/二次间耦合的电磁噪音用的。
zhangweizhong
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高级工程师
  • 2008-10-20 15:09:17
 
你指的是不是1/2初级到地接一个电容。如图红圈的电容
xkw1cn
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  • 2008-10-20 15:51:14
 
不是这只电容,它是接在一/二次侧地上的.
见方法3
http://www.21dianyuan.com/bbs/bbshome/newrevert.php?tid=1903&rid=61
cmg
  • cmg
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  • 2008-10-20 16:50:44
 
那个就是Y1电容,它的耐压远大于2KV. 你想一想,高压测试就3750VAC了,2KV怎么够呢?
它是4KV的AC,8KV的峰值。
xkw1cn
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  • 2008-10-20 17:05:58
 
知道了,不同用途的电源可能要求不太一样,不过;这电容是必须要加的,这电容有2KV/3KV/4KV/6KV/8KV规格,可以根据要求选取。
zhangweizhong
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  • 2008-10-20 22:58:13
 
你所说的就是Y电容啊。接在初级地或高压和次级地之间。不知道你有什么接法跟好呢?
xkw1cn
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  • 2008-10-21 09:33:58
 
关键是位置,建议接在MOS管电流取样电阻接地点到二次变压器输出地之间,其它位置的地不可接。
zhangweizhong
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  • 2008-10-28 09:33:43
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我改了一下位置,接初级高压了。20-30M下降了5db左右。
ITS改机的也改回来了。不过加满了电感,电容我的板子根本就放不下。外壳也很难容的下。
xkw1cn
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  • 2008-10-28 09:46:41
  • 倒数9
 
不必着急,你是20~30M超,比较好处理。
要抑制该频段,关键是注意EMI共模电感的绕法,感量不必很大。用10mm直径的镍环(高导磁),单层绕15匝做共模电感就基本可以了,用薄皮电线或高温线绕效果最好。
luyan
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  • 2008-10-20 22:43:22
 
好学习了谢谢!
xiaodeng1992
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  • 倒数8
 
wanghaiting
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  • 2013-9-13 12:58:02
  • 倒数1
 
这个应该比较好改的吧
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