| | | | | 我可以很负责的告诉你;
不加10K电阻,电源一样不会炸机,很多PWMIC内部已经有增加TVS嵌位。加10K电阻是让MOS放电更快,加速导通罢了。 |
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| | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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| | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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积分:109774 版主 | | | | 记得好象在百K左右的情况下,这个电阻不加看不太出来效果,如果频率太高,不加这个可能会有一些震荡。(N年前好象李爱文老师告诉的,现在都还给他了) |
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| | | | | 我记得此电阻主要是防止生产的时候G上的浮电损坏MOS |
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| | | | | 具体要看什么IC了,有些IC在没电源时(闲置时)输出端为高阻,MOS的可能发生静电累积而得不到释放,在通电的瞬间IC还没工作,这时MOS处于导通或半导通状态,很容易炸管.
只不过这种机率很低,元件在产品的内部发生发生静电累积机率极低.为了保险起见很多产品都加了此电阻,大小不等10K-1M都见过. |
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| | | | | 此电阻还是建议加上,一是防止高工作频率状态下产生的干扰导致有振荡,二是保证pwm控制端的静电释放。 |
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| | | | | | | 我认为有两个作用,一个是静电释放,二是阻尼振荡(尤其在变压器隔离驱动时).当取值较小时(470欧~5.1K,视不同功率的MOS管),才有加速Qgs释放的作用. |
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| | | | | 我认为应该要加,有的开机炸机就是因为这个不加造成的。在MOS管TOFF时,如果不能加快OFF的速度,流过MOS管D极的电流会持续流向晶元内部造成晶元损坏(机率不大,但是客观存在的)。同时驱动电阻上面应该要并一个肖特基二极管(当然如果你老板有钱的情况下),也可以加快OFF速度,有的加1N4148只是为了便宜,用肖特基更好,因为VF更低。 |
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| | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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积分:109774 版主 | | | 记得当时说过这个电阻的作用跟GD之间的电容充放电有关系,能起到减少震荡的作用,到底在什么时候起作用,怎么起作用都忘了。 |
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| | | | | | | 当有Vds快速上升时,G极会有一个由Cgs和Cgd造成的分压,连同有一电流(≈Cgd*dVds/dt) 流入,
如果这时G极环路没有一个低阻抗,MOS便会误动开通了。GS间的电阻是可以防止这种误动的。 |
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| | | | | | | | | 效果不大吧,可以gate上加个容,把驱动往负拉一点,那个电阻那么大,效果不明显 |
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| | | | | | | | | | | 其实这里这个电阻加上去作用本来就不明显(不是没有作用,只是因为这个电阻发生应用问题的机率较低),很多人没有也没有出现什么大的问题。但还是要加的,应该将可能发生的任何问题杜绝掉。 |
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| | | | | | | | | | | 如果Vds是静止的,结电容的分压也有机会令MOS导通,这时Rgs电阻用得大点,亦足够把Vgs拉低。 |
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| | | | | | | | | | | | | 如果Vds是静止的,结电容的分压也有机会令MOS导通
这句恐怕值得商榷
静止的话是不会分到这么多电压的 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 不敢说是一定,但不能说没这可能性,举个例子,
这里大概 Vgs=Crss*Vds/Ciss = 5.2V,已超过Vth_threshold (2V min, 4V typ.) 了。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 直接用指针万用表电阻10K档测D S反向阻值,如G S未短路,的确会有自行导通者!
万用表内部电池电压为22V左右.但这个22V电压加入Vds(Vds假设原来为0V),在Vds从0V上升至22V过程中,Vgs也通过电容分压而上升,
我认为这个Vgs的上升过程应该理解成动态更恰当.这点我与 greendot 老师的看法小有不同. |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我说静止的意思是dv/dt=0 ,只是理论上的假设,实际上上电时不会有这种情况。
如果你能慢慢的,一点一点地增加Vds,令dv/dt极小,可能不用加到10V,管子便会导通,因为低压时,Crss/Ciss比值是很大的。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你说的这个很有道理,我查了一篇文章,关于这个问题将的很清楚
关于低压mosfet,可能会出现no DV/DT turn on
高压mosfet,可能会出现dv/dt turn on
文件就是ti的这篇seminar以及它的附录
slup170.pdf
slup169.pdf |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 感谢 greendot 老师的讲解以及 forestgump1003 老师提供的资料,硬着头皮看英文,又有老师的指点,总算也感悟到了不少...... |
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| | | | | 继续关注此贴,这里有没有是原厂做IC或MOS管的朋友呀,说说看还有其它作用没? |
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| | | | | 个人认为电阻就是类似于三极管中稳定静态工作点的作用 稳定VGS |
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| | | | | 关键是G极上电时的电荷从哪里来的?感应的?漏电?如果是这两者,就不是加电阻能解决好的了 |
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| | | | | | | 感应是有可能的,米勒反馈也存在的,漏电之说就不改下定论了(G S有漏电是存在的,G D是否有漏电就不清楚了),
但加电阻的作用我想应该是可以肯定的. |
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| | | | | G极的内阻太大了,只要有一点漏电流 那怕只有NA级别的电流都足使它自开启 加电阻最保险 |
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| | | | | 谢谢大家的回复,这几天有事情没有看见,请大家谅解,我个人觉得加不加都没有什么,原因是现在的IC内部输出端已经有这个电阻了,增加了这个电阻只是与内部的电阻并联(阻值与原来的减小),加快了MOS在关端时G/S电容的放电时间. |
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| | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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积分:109774 版主 | | | | 对于设计好的电路应该是可以的,如果由于某些原因,驱动电路布线过长,造成布线电感存在,并且驱动频率提高,你可以试试加不加这个电阻有什么区别,个人觉得肯定有区别。但可能不至于导致MOS管损坏。 |
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| | | | | | | 这个电阻的最主要作用就是防止静电、干扰等在此处造成电荷积累,电压升高而损坏MOSFET。其他的作用是次要的,如关断时限制di/dt,主要还是驱动电路,象19楼的例子,只有在栅极开路的时候会有。象楼上说的驱动布线过长,造成布线电感,主要是通过在驱动电路加电阻抑制。 |
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| | | | | 嗯,看了各位大虾发表的观点,感觉学了不少。我想减小干扰是第二原因,第一原因还是保护MOS管。由于一般MOS管在应用中,D极都会连接变压器线圈,可以将变压器线圈看成是一个感性的负载,在开关管关断时,电感电流不能突变,故线圈上的电流还会持续流向MOS管晶元内部,如果不加快关断时间的话,会造成晶元局部热损坏,在此加一个电阻也能保障在GS端电位有上升时,对其进行分压,虽然IC内部有将此电压嵌位,但并不能保证电路中的电荷积蓄到GS端形成高电压。当然如果要单纯的加快关断速度,可以将驱动电阻改小,但如果驱动电阻改的太小的话,可能会导致dv/dt变大,超过MOS管的dv/dt的要求也会导致MOS管损坏,同时EMI也不好过。一般MOS管都对其dv/dt的能力有规范,可以参考其SPEC。 |
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| | | | | 此电阻有静电释放的作用,但这不是主要的,EMI等无关,本人在2005年就作过实验,用一块3842的板子,当断开6脚,即MOS管的G极上无驱动波形,在不加这个10K电阻情况下,一通高压电就炸掉了,有这个电阻,不会炸,我反复试了5次,这是因为D极上的高压会通过密勒电容对GS进行充电使MOS始终处于导通状态,电流过大而炸,并不是什么电荷积蓄到GS端形成高电压。但现在的许多MOS内部采取了措施。 |
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| | | | | | | 老大,密拿电容过来的脉冲,你用10K是无法钳制到Vth以下的 |
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| | | | | 10K主要是生产焊接过程的保护,别的扯不上关系,阻尼振荡的抑制,是要驱动靠G级串个几十R才行 |
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| | | | | | | 这个我倒是第一次听说,能详细说下怎么保护吗? 大家学习下。 |
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| | | | | | | | | 这些是基本知识,建议去看书,俺96年买到的是东大的《功率MOSFET》94版,比较过时了,不过基本东西还是相通的 |
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| | | | | | | | | | | 书上讲的不一定是对的,许多书上都有RCC的解释,但我认为好多都有错误。如果没有这个电阻,G极悬空,通电就会炸,当然也有人解释说是从D极过来的电荷虽很少,但GS之间电容很小很小,而V=Q/C,可算出很少的电荷会产生很高的电压,加这个电阻是为了不让电荷积累,这种说法好像也有道理。 |
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| | | | | | | | | | | | | 这就是静态dv/dt啦, 通常的电力MOSFET,静态dv/dt承受力都可以达到100V/nS, 那个电源中能达到这个摆幅哦... |
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| | | | | | | | | | | | | | | 也有低至3~4V/ns的,不过34楼的情形好像不这么简单。 |
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| | | | | 真是精彩啊 大家各抒己见
其实总的说来就是一句话:加上这个电阻还是有利无害的
呵呵 小弟多嘴了。。。。 |
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| | | | | | | 看了老半天,都没个所以然,大家说,要不要加这个电阻呢?如果要加,那到底要加个多大的呢,这个依据是什么呢?
如果我gs电压增大,要不要Rgs也增大呢? |
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