三极管工作状态-综合电源技术-世纪电源网社区

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2011-12-16 10:21:33

10问答币

各位前辈，在书上看到个做LED橱柜灯的电路如下，用SABER进行了仿真.前面的VCC直接是接适配器的24V；.我按照24V仿真时三极管工作在饱和状态，考虑到适配器的电压输出可能为23.5V-24.5V，我用23.5V仿真时三极管工作在饱和状态，24.5V仿真时三极管工作在放大状态；2种状态Ic的电流值即LED电流值没有变化；
请问这种电路工作在2种状态是否需要改进？有什么影响吗？请高人指点！以下是仿真波形

一．稳压管3.0V
（1）输入电压为23.5V 仿真结果如下i(b),i(c),i(e),Vb,Vc,Ve

Vb=3.0V Vc=2.49 Ve=2.22 Ube=0.78 Uce=0.27 Ic=18.4mA Ube ＞ Uce 饱和状态
（2）输入电压为24V 仿真结果如下i(b),i(c),i(e),Vb,Vc,Ve

Vb=3.0V Vc=2.99 Ve=2.22 Ube=0.78 Uce=0.77 Ic=18.5mA Ube ＞ Uce 饱和状态
（3）输入电压为24.5V 仿真结果如下i(b),i(c),i(e),Vb,Vc,Ve

Vb=3.0V Vc=3.49 Ve=2.22 Ube=0.78 Uce=1.27 Ic=18.4mA Ube ＜ Uce 放大状态

以上，请前辈也看分析是否正确，请指教

最佳答案

星宇

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三极管的放大是：Vb>Vc,Vb>Ve也就是集电结与发射结均正偏。三极管的饱和是：Vc>Vb>Ve也就是集电结反偏，发射结正偏。

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		2 星宇星宇离线 LV7 版主积分：18270 \| 主题：29 \| 帖子：4753 访问空间发消息积分:18270 版主 2011-12-16 14:44:53
		三极管的放大是：Vb>Vc,Vb>Ve也就是集电结与发射结均正偏。三极管的饱和是：Vc>Vb>Ve也就是集电结反偏，发射结正偏。回复 \| 举报 \|

			3 blueskyy blueskyy 离线 LV10 总工程师积分：28371 \| 主题：129 \| 帖子：13401 访问空间发消息积分:28371 LV10 总工程师 2011-12-16 14:50:31
			那么MOS管呢？回复 \| 举报 \|

				4 星宇星宇离线 LV7 版主积分：18270 \| 主题：29 \| 帖子：4753 访问空间发消息积分:18270 版主 2011-12-16 14:53:09
				这些都是书上基础回复 \| 举报 \|

					6 blueskyy blueskyy 离线 LV10 总工程师积分：28371 \| 主题：129 \| 帖子：13401 访问空间发消息积分:28371 LV10 总工程师 2011-12-16 15:10:37
					三极管的倒是记忆牢固。 Mos管通常用成开关状态。放大状态的一点印象都没有了~ 回复 \| 举报 \|

						31 蒋江黔蒋江黔离线 LV7 版主积分：10354 \| 主题：105 \| 帖子：4151 访问空间发消息积分:10354 版主 2011-12-16 17:51:36
						MOS的放大状态是恒流区，即俗称的饱和区。在这个区域，Id很大程度上不受Ud变化的影响，只受Ug影响回复 \| 举报 \|

				80 terence terence 离线 LV3 助理工程师积分：207 \| 主题：4 \| 帖子：48 访问空间发消息积分:207 LV3 助理工程师 2013-10-4 12:04:41 倒数4
				MOS管也差不太多。我就是灌灌水。回复 \| 举报 \|

					81 led公子 led公子离线 LV6 高级工程师积分：1906 \| 主题：49 \| 帖子：781 访问空间发消息积分:1906 LV6 高级工程师 2013-10-7 08:56:45 倒数3
					MOS选用的时候尽量要比合适的大一点回复 \| 举报 \|

			5 bobery bobery 离线 LV6 高级工程师积分：517 \| 主题：12 \| 帖子：158 访问空间发消息积分:517 LV6 高级工程师 2011-12-16 15:02:18
			恩谢谢，我按照饱和临界条件Ube=UCe来判定了，在看看基础知识，谢谢指教回复 \| 举报 \|

			8 名驹名驹离线 LV6 高级工程师积分：706 \| 主题：24 \| 帖子：312 访问空间发消息积分:706 LV6 高级工程师 2011-12-16 15:36:32
			大哥啊你这不是说反了吗回复 \| 举报 \|

				9 blueskyy blueskyy 离线 LV10 总工程师积分：28371 \| 主题：129 \| 帖子：13401 访问空间发消息积分:28371 LV10 总工程师 2011-12-16 15:39:31
				饱和区和放大区，教科书上都说法不统一，晕  ~ 回复 \| 举报 \|

					10 fandy fandy 离线 LV3 助理工程师积分：236 \| 主题：0 \| 帖子：46 访问空间发消息积分:236 LV3 助理工程师 2011-12-16 15:46:30
					这貌似不可能吧，就共射电路而言，电势上，Vb>Ve，Vc>Vb工作在放大区是肯定的。回复 \| 举报 \|

						11 blueskyy blueskyy 离线 LV10 总工程师积分：28371 \| 主题：129 \| 帖子：13401 访问空间发消息积分:28371 LV10 总工程师 2011-12-16 15:48:50
						有的书将电流平坦的那一部分叫：饱和区；有的叫：放大区 ~ 星宇斑竹或许并没有说错 ~ 回复 \| 举报 \|

							12 fandy fandy 离线 LV3 助理工程师积分：236 \| 主题：0 \| 帖子：46 访问空间发消息积分:236 LV3 助理工程师 2011-12-16 16:05:21
							Vbe=0.7V，深度饱和时，Vce=0.3V，Vc如何去>Ve =。= 另外，MOS管没放大区说法，但有个可变电阻区，回复 \| 举报 \|

								14 blueskyy blueskyy 离线 LV10 总工程师积分：28371 \| 主题：129 \| 帖子：13401 访问空间发消息积分:28371 LV10 总工程师 2011-12-16 16:10:08
								我说的是饱和区和放大区的定义！！电流曲线上升到拐点，这段区间：有的书说是饱和区，有的书说成：放大区。你知道星宇斑竹说的“饱和”指的是那一段？？回复 \| 举报 \|

								16 blueskyy blueskyy 离线 LV10 总工程师积分：28371 \| 主题：129 \| 帖子：13401 访问空间发消息积分:28371 LV10 总工程师 2011-12-16 16:12:53
								请教，可变电阻区的条件是？？回复 \| 举报 \|

									17 名驹名驹离线 LV6 高级工程师积分：706 \| 主题：24 \| 帖子：312 访问空间发消息积分:706 LV6 高级工程师 2011-12-16 16:16:28
									MOS管工作即饱和状态回复 \| 举报 \|

										21 blueskyy blueskyy 离线 LV10 总工程师积分：28371 \| 主题：129 \| 帖子：13401 访问空间发消息积分:28371 LV10 总工程师 2011-12-16 16:25:42
										统一一下：电流上升段：定义饱和区电流平坦段：定义放大区 MOS工作在放大区的条件是什么？Vd ,Vg ,Vs 三者的关系如何？回复 \| 举报 \|

											32 blueskyy blueskyy 离线 LV10 总工程师积分：28371 \| 主题：129 \| 帖子：13401 访问空间发消息积分:28371 LV10 总工程师 2011-12-16 19:29:14
											自问自答一下：饱和区：vg >vth , vd<vg-vth 放大区：vg >vth , vd>vg-vth 截止区：vg <vth , 回复 \| 举报 \|

blueskyy

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2011-12-16 19:33:37

为了记忆，上述隐含 Vs=0 。

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总工程师

2011-12-16 19:53:21

忽略Vth（类似三极管忽略be死区）
N-MOS NPN
饱和区：vgs >0 , vdg<0 ; vbe>0 , vcb<0
放大区：vgs>0 , vdg>0 ; vbe>0 , vcb>0
截止区：vgs< 0 , ; Vbe<0
两者是不是一样的？好记忆吧 ~

blueskyy

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2011-12-17 18:51:11

蒋工，33楼的说法有问题吗？请帮指点指点。

谢谢 ~

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2011-12-21 15:39:21

									19 zkybuaa zkybuaa 离线 LV8 副总工程师积分：5639 \| 主题：50 \| 帖子：3881 访问空间发消息积分:5639 LV8 副总工程师 2011-12-16 16:23:56
									三极管三个区间：截止区放大区饱和区 MOS管对应的三个区间：截止区恒流区可变电阻区回复 \| 举报 \|

										24 blueskyy blueskyy 离线 LV10 总工程师积分：28371 \| 主题：129 \| 帖子：13401 访问空间发消息积分:28371 LV10 总工程师 2011-12-16 16:33:06
										其实，MOS 可变电阻区，应该对应的是Ids电流平坦的这段。想想Ids为什么能平坦？回复 \| 举报 \|

											66 wxx wxx 离线 LV4 初级工程师积分：355 \| 主题：2 \| 帖子：125 访问空间发消息积分:355 LV4 初级工程师 2011-12-20 11:18:24
											blueskyy兄，恒流区（饱和区、放大区）是对应的Ids电流平坦的这段吧，请指教回复 \| 举报 \|

blueskyy

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总工程师

2011-12-20 11:25:20

撇开书本定义，认识本质：
恒流区就是Ids电流平坦的这段，也是放大区，可变电阻区（想想Ids为什么能保持平坦？）

wxx

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初级工程师

2011-12-21 13:33:50

可变电阻区Ids是上升段，恒流区Ids电流平坦，为什么平坦，总是理解不了本质，大师讲一下

fandy

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助理工程师

2011-12-22 10:16:33

我来说下我的理解吧。
恒流区是由于出现了耗尽层，而一定大小的耗尽层的能够扫的载流子是基本不变的，SO，电流也就基本不变了

wxx

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初级工程师

2011-12-22 17:24:43
倒数10

，那这个耗尽层是什么时候出现的呢

fandy

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助理工程师

2011-12-23 09:06:20
倒数9

VGS-VDS=Vth 预夹断

											67 wxx wxx 离线 LV4 初级工程师积分：355 \| 主题：2 \| 帖子：125 访问空间发消息积分:355 LV4 初级工程师 2011-12-20 11:23:22
											当Vds增加到一定程度时，增加的部分主要落在夹断区，落在导电沟道上的电压则基本不变，所以，Vds上升，Ids趋于饱和，特性曲线的斜率趋于0，进入饱和区。（此时的Ids是平坦的）回复 \| 举报 \|

									20 fandy fandy 离线 LV3 助理工程师积分：236 \| 主题：0 \| 帖子：46 访问空间发消息积分:236 LV3 助理工程师 2011-12-16 16:25:27
									回复 \| 举报 \|

										22 blueskyy blueskyy 离线 LV10 总工程师积分：28371 \| 主题：129 \| 帖子：13401 访问空间发消息积分:28371 LV10 总工程师 2011-12-16 16:31:22
										怎么老是改呢？并且动作太快 ~ 呵呵回复 \| 举报 \|

											25 fandy fandy 离线 LV3 助理工程师积分：236 \| 主题：0 \| 帖子：46 访问空间发消息积分:236 LV3 助理工程师 2011-12-16 16:40:05
											呃，主要是因为，我可变电阻区用的也不熟，只用过几次，是用来做带散热器的负载用，水泥电阻占的空间伤不起啊。而我用的比较简单，只是用反馈控制G极电压，刚才想回，但想想怕不确定，误导人家，所以又删了，刚才特意去查了下MOS管可变电阻区条件是0<VDS<VGS-夹断电压呃，貌似看DATASHEET还没注意到有夹断电压这一参数。回头再找找回复 \| 举报 \|

							13 名驹名驹离线 LV6 高级工程师积分：706 \| 主题：24 \| 帖子：312 访问空间发消息积分:706 LV6 高级工程师 2011-12-16 16:07:01
							这怎么可能呢？我学了这么长时间的弱电，要想让三极管工作在放大状态必须满足的条件是：VBVE即发射极正偏集电极反偏。饱和是：VB>VC,VB>VE即都是正偏。以上是对于NPN型三极管回复 \| 举报 \|

								15 blueskyy blueskyy 离线 LV10 总工程师积分：28371 \| 主题：129 \| 帖子：13401 访问空间发消息积分:28371 LV10 总工程师 2011-12-16 16:11:02
								就是有这样的事情 ~ 哈哈回复 \| 举报 \|

									18 zkybuaa zkybuaa 离线 LV8 副总工程师积分：5639 \| 主题：50 \| 帖子：3881 访问空间发消息积分:5639 LV8 副总工程师 2011-12-16 16:16:42
									楼主选择的最佳答案，确实选错了。呵呵回复 \| 举报 \|

										23 bobery bobery 离线 LV6 高级工程师积分：517 \| 主题：12 \| 帖子：158 访问空间发消息积分:517 LV6 高级工程师 2011-12-16 16:32:49
										是的我仔细看了下选择错了，我上面的分析没错吧，这个电路怎么改善下，出出主意呵呵回复 \| 举报 \|

											26 fandy fandy 离线 LV3 助理工程师积分：236 \| 主题：0 \| 帖子：46 访问空间发消息积分:236 LV3 助理工程师 2011-12-16 16:47:55
											呃，恒流电路啊，需要改动么，这个好像要看电路工作时器件的实际情况，如果LED不够亮，当然可以调整下e极电阻，但要考虑工作电压变动，三极管进入放大区后，管子散热问题啊，放大区功耗很大啊，伤不起。综合平衡过程。回复 \| 举报 \|

										28 星宇星宇离线 LV7 版主积分：18270 \| 主题：29 \| 帖子：4753 访问空间发消息积分:18270 版主 2011-12-16 17:30:44
										我的答案是针对楼主的图，共发射极电路而言！MOS管同三极管一样也有三种工作状态，饱和，截止，可变电阻区，可变电阻区一般很少用到，我曾经在2V的电池放电仪中用过！回复 \| 举报 \|

											30 蒋江黔蒋江黔离线 LV7 版主积分：10354 \| 主题：105 \| 帖子：4151 访问空间发消息积分:10354 版主 2011-12-16 17:46:34
											一摸就死管在开关电源里头，可变电阻区是最常用的，不常用而且我们一直想避免的，是饱和区。回复 \| 举报 \|

星宇

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2011-12-16 21:02:31

那你倒是说说，你在哪些地方用的是可变电阻区呢？洗耳恭听！

蒋江黔

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2011-12-17 00:10:05

MOS的可变电阻区, Rds呈现一个基本上由Ug与温度决定的阻值.
开关电源中的MOS, 稳态过程我们希望G极只有高低两种电平, 确定开关的ON与OFF, 我们知道这个高电平需要远大于Vth(开启电压), 而小于Vgs(最大栅源耐压), 开关的过渡区是MOS的恒流区, 即饱和区. 也就是说, 大家所谓的MOS“导通”, 就是指MOS工作于可变电阻区了

蒋江黔

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2011-12-17 00:11:04

米勒平台，可认为是MOSFET处于恒流区

星宇

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2011-12-17 08:58:43

哥们，你把你家的开关电源的MOS管工作到可变电阻区给我们看一下！

MOS管是电压型的，MOS管工作在可变阻区时内阻是受栅极所加电压大小控制的，就像三极管工作在放大状态一样，集电极电流受基极电流控制一样！而工作开关状态是受脉冲宽或频率控制！

蒋江黔

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2011-12-17 10:41:41

不是我家的，全世界的MOSFET都一样。十几年前我啃了半年大学课程就弄懂了，怪只怪你没好好啃书

提示动手试验：MOSFET的栅极和漏极分别加一个可调电压的电源，注意漏极要串个限流电阻。你把Vg从零调高，在Id未建立之前，这是在截止区；当Vg快接近手册上的Vth时，Id达到几百uA，这就是进入恒流区了，这时你去调漏极的电压，但要保持不要太低（原因下面会说），会发现Id基本上不会变，说明Id只受Vg与跨导之积决定（温度会影响，不要用手去摸摸死管，哈一口气都会变，哈哈）。
但是，如果你把漏极电压调的很小，那么会发现Id会变小，这就是可变电阻区了，不同的Vg下面，可变电阻区需要的漏极电压不同。当Vg比较高了，比如说七八伏，那么MOSFET受SOA限制，就只能稳定工作在可变电阻区了

星宇

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2011-12-17 11:15:03

不错，还啃出这个来了，要是再啃几年就惨了。。。。。。。。。。。。

蒋江黔

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2011-12-17 11:51:41

多啃不会错，我现在每天至少啃几十个PDF，技术人三天不学习都会落后

蒋江黔

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2011-12-17 12:00:13

虚线左边便是可变电阻区，在5V的Vg下，可变电阻区的临界点是漏源电压=1.25V左右，对应电流约百A，这是什么概验？如果没有风扇的话，这需要门板那么大的散热器，当然了，不会是房子的门板，但至少是橱柜的门板。
在Vds小于1.25V以下，就是我们开关电源中MOS的导通区，我们把Vg加的更高，Ron就更小了，明白？

星宇

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2011-12-17 15:15:54

。。。。。你就慢慢继续啃吧！

蒋江黔

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2011-12-17 15:47:09

油多不坏菜

YTDFWANGWEI

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2011-12-19 15:35:18

蒋工说的是对的，虽然还没完全搞清楚。

星宇

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2011-12-19 15:41:56

王工，你做的开关电源也是工作在可变电阻区的？那我要好好跟你学习下，哪天有空啊？给我讲讲吧！

YTDFWANGWEI

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2011-12-19 16:40:57

那你告诉我你的开关电源MOS管工作在哪个区？

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2011-12-20 13:32:47

开关电源用mosfet是将其工作在开关特性，，mosfet工作在可变电阻区，即恒流了吧，，vg较高，mosfet工作在开，和关的状态。。

fandy

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2011-12-19 15:58:35

呃，这点是星版对哦，最简单的，有几个人的开关电源G极电阻敢取几K级的，估计敢取，管子就敢爆给你看。

YTDFWANGWEI

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2011-12-19 16:41:59

你说的栅极取几K根蒋工说的可变电阻区有什么关系？我觉得你倒是需要理解一下MOS管从关断到开通到底需要经过几个阶段。

fandy

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2011-12-19 16:59:32

=.=，栅极电阻取大了，开通波形太慢，沟道形成全通过程太长，也就是说你在可变电阻区待的时间太长，损耗会很大。开关电源工作在可变电阻区，那还要分开关功放和线性功放做啥。。。
得不解释了。

YTDFWANGWEI

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2011-12-19 17:02:17

呵呵，你看看可变电阻区的转折点，你说的损耗增大实在可变电阻区产生的吗？

yw7986

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2011-12-17 19:01:18

这个可变电阻区的特性用途很广，用得比较多的地方是同时调频和调幅上面！

蒋江黔

蒋江黔
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2011-12-17 22:25:44

兄台是高手呐, 俺早年(N>12)在FRS对讲机上折腾过这些应用

fandy

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2011-12-19 10:34:50

你完全搞错了，还是重新去看看模拟电子技术吧，推荐你看清华童诗白的那本。
大家也不要纠结什么区什么区了，有些书误导人，直接看本质。
对于MOS管来说，可变电阻状态，就是沟道由不通（截止态）到全通（饱和态）时的中间过程（可变电阻态），当G极电压使得沟道完全导通后，Rds基本认为不会改变，只受温度影响，这个数值和半通、微通时候的值差几个数量级，极限情况下，截止态可以认为电阻最大的时候，你自己算算漏电流。
开关电源不能在可变电阻态，那是功放玩的状态，实在不明白的话，可以去玩玩大功放，那散热器。。。。
对于三极管来说，则是空穴啊，多子，少子什么的逐渐饱和的过程，也就是说你Ib电流再大，俺也消受不起了，运输能力就这么大了。

蒋江黔

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2011-12-19 16:55:11

我看的多了，开关电源的MOS，与功放的MOS，都处于可变电阻区。

只不过作为开关用的话，工作点要尽量的靠近Y轴，那个地方的Rds最小，怎么得到？尽量的加Vg，在保证不击穿的情况下，一般有8V以上效果都很不错了。

作为线性放大，那么工作点差不多就在那个虚线附近，工作点就在那个线上移

蒋江黔

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2011-12-19 17:03:27

全通是饱和态？你就不要提童诗白的书了，童老泉下有知会比较郁闷的
从你说的这些话，我觉得三极管你是了解多一点，然后就拿来套在MOSFET上。
对比：
状态三极管 MOS管
截止区截止区截止区
线性区放大区饱和区
导通区饱和区可变电阻区

YTDFWANGWEI

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2011-12-19 17:19:32

这个不知道是不是可以说明，我们的MOS管都是工作在可变电阻区？

蒋江黔

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2011-12-19 17:30:16

在我贴的图片中，那条所谓的可变电阻区与饱和区，是没有一个固定的分界的，只是一个大概的范围，跟富与穷的模糊关系一样。

蒋江黔

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2011-12-19 17:32:06

饱和区的定义，是Id不随Uds变化，但实际上这是不可能的，只不过我们把能够接受的那一部份就叫饱和区了

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2011-12-19 21:14:43

楼上正解。
呃，我搞错了，全通态应该是可变电阻态。多年前就理解错了，以为夹断过程电阻是变化的，归到可变电阻态了，其实应该是饱和态。
不理解的，参看：
http://wenku.baidu.com/view/dd94d7d2240c844769eaeef6.html
http://www.hqew.com/tech/news/188259.html
米勒过程其实可以理解成栅极和衬底在沟道形成过程中，平板电容面积增大，即电容增大的过程。这时候，Vds是个下降过程，ID基本不变。预夹断稍过，可以认为是基本导通了，但Rds较大。
损耗有可变电阻区和饱和区，最大在饱和区
放大工作在饱和区，其工作负载线是在上图中加条反斜线，工作点在反斜线上移动。
现在看来，MOS的条件和三极管比较类似了。
呃。。。今天赚了，纠正了一个多年的错误理解。多谢

blueskyy

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2011-12-19 21:33:22

那么33楼，正确么？

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2011-12-20 11:04:31

开关电源中的MOS，就是工作在截止区和可变电阻区。
也就是输出特性曲线，最靠近Y轴和X轴的那两个区。
蒋工的观点是正确的。
好多教材，包括童诗白的书，都是那么定义的。
对于为什么这么定义，没什么好纠结的。
要是觉得这种定义不合理，可以打电话给编书的问问为什么这么定义。

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2013-9-29 23:21:16
倒数8

斑竹大人所言极是。

									27 blueskyy blueskyy 离线 LV10 总工程师积分：28371 \| 主题：129 \| 帖子：13401 访问空间发消息积分:28371 LV10 总工程师 2011-12-16 16:51:38
									https://bbs.21dianyuan.com/27634.html 回复 \| 举报 \|

			29 蒋江黔蒋江黔离线 LV7 版主积分：10354 \| 主题：105 \| 帖子：4151 访问空间发消息积分:10354 版主 2011-12-16 17:42:57
			弄错了吧，正确答案是：三极管的放大区，是指Vc>Vb>Ve也就是集电结反偏，发射结正偏。三极管的饱和是：Vb>Vc,Vb>Ve也就是集电结与发射结均正偏。回复 \| 举报 \|

			48 lehom lehom 离线 LV6 高级工程师积分：1600 \| 主题：12 \| 帖子：461 访问空间发消息积分:1600 LV6 高级工程师 2011-12-19 09:15:07
			三极管的放大状态的条件：Vc>Vb>Ve也就是集电结反偏，发射结正偏。。饱和状态至不过是当Ib过大时，Vce不再变化，导致三极管不再具有放大的作用，三极管此刻饱和，VCE此刻最小！回复 \| 举报 \|

			53 wxx wxx 离线 LV4 初级工程师积分：355 \| 主题：2 \| 帖子：125 访问空间发消息积分:355 LV4 初级工程师 2011-12-19 16:00:04
			打错了吧，放大才是Vc>Vb>Ve，集电结反偏，发射结正偏。饱和是Vb>Vc,Vb>Ve，集电结与发射结均正偏。回复 \| 举报 \|

			70 yoshiki yoshiki 离线 LV2 本网技师积分：171 \| 主题：1 \| 帖子：21 访问空间发消息积分:171 LV2 本网技师 2011-12-20 14:02:28
			NPN管应该是发射结正偏，集电结反偏才处于放大状态吧！回复 \| 举报 \|

			83 employee employee 离线 LV6 高级工程师积分：1852 \| 主题：30 \| 帖子：555 访问空间发消息积分:1852 LV6 高级工程师最新回复 2014-4-23 15:47:21 倒数1
			两种状态搞反了吧。回复 \| 举报 \|

		7 fandy fandy 离线 LV3 助理工程师积分：236 \| 主题：0 \| 帖子：46 访问空间发消息积分:236 LV3 助理工程师 2011-12-16 15:27:53
		发射结正偏、集电结反偏,三极管处于放大状态;Vbe>0，Vbc<0 发射结正偏、集电结正偏,三极管处于饱和状态;Vbe>0，Vbc>=0 回复 \| 举报 \|

		77 led公子 led公子离线 LV6 高级工程师积分：1906 \| 主题：49 \| 帖子：781 访问空间发消息积分:1906 LV6 高级工程师 2013-10-1 10:35:26 倒数7
		开关状态有点不对呀回复 \| 举报 \|

		78 bridgnsl bridgnsl 离线 LV8 副总工程师积分：4816 \| 主题：17 \| 帖子：2077 访问空间发消息积分:4816 LV8 副总工程师 2013-10-1 13:42:20 倒数6
		看来你的ＬＥＤ压降比３Ｖ小点。为了三极管工作在放大状态，Ｖｃｅ大于０．７Ｖ为好，３＊７＝２１Ｖ，２１＋３＝２４Ｖ，基本就是饱和和放大的临界状态。回复 \| 举报 \|

			79 huanggzhou huanggzhou 离线 LV6 高级工程师积分：512 \| 主题：13 \| 帖子：161 访问空间发消息积分:512 LV6 高级工程师 2013-10-4 10:32:32 倒数5
			受益了回复 \| 举报 \|

		82 yinzhihong20 yinzhihong20 离线 LV6 高级工程师积分：1325 \| 主题：16 \| 帖子：583 访问空间发消息积分:1325 LV6 高级工程师 2014-4-23 13:58:27 倒数2
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