谁用过碳化硅二极管？-综合电源技术-世纪电源网社区

晶纲禅诗

晶纲禅诗
离线
LV7
版主

积分：15504
|
主题：220
|
帖子：6445

积分:15504

版主

2011-12-28 23:20:17

10问答币

收藏4

		2 晶纲禅诗晶纲禅诗离线 LV7 版主积分：15504 \| 主题：220 \| 帖子：6445 访问空间发消息积分:15504 版主 2011-12-28 23:22:36
		第一次拿到碳化硅，还不太清楚其优势与特性，有经验的进来指导一下回复 \| 举报 \|

			3 蒋江黔蒋江黔离线 LV7 版主积分：10354 \| 主题：105 \| 帖子：4151 访问空间发消息积分:10354 版主 2011-12-29 00:13:54
			导通压降比较大, 理论上恢复时间为零, 但寄生电容较大, 因此仍然存在一定的反向浪涌, 只不过比较小回复 \| 举报 \|

				57 Mastersemi Mastersemi 离线 LV1 本网技工积分：63 \| 主题：1 \| 帖子：11 访问空间发消息积分:63 LV1 本网技工 2017-5-31 01:32:07 倒数5
				罗姆的碳化硅二极管的Vf 在行业里面是最小的，算是出了价格以外的另外一个优势了吧回复 \| 举报 \|

			4 cardiopathy cardiopathy 离线 LV8 副总工程师积分：3395 \| 主题：3 \| 帖子：1471 访问空间发消息积分:3395 LV8 副总工程师 2011-12-29 08:00:44
			适用于做CCM PFC 高压整流二极管嘛虽正向压降1.7V左右，但反向恢复损耗很小，3A的管子可做300W的PFC，因为没有反向应力回复 \| 举报 \|

				5 ruoshui136 ruoshui136 在线 LV10 总工程师积分：11785 \| 主题：298 \| 帖子：3577 访问空间发消息积分:11785 LV10 总工程师 2011-12-29 08:53:33
				请教下，反向损耗大和正向损耗哪个大回复 \| 举报 \|

				6 tim_hu tim_hu 离线 LV4 初级工程师积分：356 \| 主题：3 \| 帖子：82 访问空间发消息积分:356 LV4 初级工程师 2011-12-29 10:20:51
				更新下了，SiC的技术提升的很快，现在1.5V了。理论上无反向恢复，只是在封装的时候有寄生的存在回复 \| 举报 \|

					7 蒋江黔蒋江黔离线 LV7 版主积分：10354 \| 主题：105 \| 帖子：4151 访问空间发消息积分:10354 版主 2011-12-29 10:49:31
					回复 \| 举报 \|

					34 hyj574 hyj574 离线 LV3 助理工程师积分：231 \| 主题：4 \| 帖子：26 访问空间发消息积分:231 LV3 助理工程师 2012-1-5 16:22:37
					高明回复 \| 举报 \|

				12 hsw113 hsw113 离线 LV8 副总工程师积分：4579 \| 主题：74 \| 帖子：2122 访问空间发消息积分:4579 LV8 副总工程师 2011-12-29 16:12:27
				这么大VF，大电流时损耗不是非常大？回复 \| 举报 \|

					13 ruoshui136 ruoshui136 在线 LV10 总工程师积分：11785 \| 主题：298 \| 帖子：3577 访问空间发消息积分:11785 LV10 总工程师 2011-12-29 17:05:54
					我也是同问回复 \| 举报 \|

						33 cardiopathy cardiopathy 离线 LV8 副总工程师积分：3395 \| 主题：3 \| 帖子：1471 访问空间发消息积分:3395 LV8 副总工程师 2012-1-5 08:06:38
						确切的说，有反向冲击电流时，MOS管功耗大一个多点，这是我与40nS 1.3V的管子对比的在MOS开通瞬间，还没完全导通时，那几十纳秒的电流几十安，那时MOS管漏极电压还没完全下降到零，这瞬间电压乘电流的功耗大到几十瓦去~ 回复 \| 举报 \|

					14 tim_hu tim_hu 离线 LV4 初级工程师积分：356 \| 主题：3 \| 帖子：82 访问空间发消息积分:356 LV4 初级工程师 2011-12-29 17:25:26
					对于高压来说，还可以了当然希望你们能做出更低Vf的管子出来，为节能做贡献回复 \| 举报 \|

				35 sxc3323 sxc3323 离线 LV2 本网技师积分：126 \| 主题：3 \| 帖子：9 访问空间发消息积分:126 LV2 本网技师 2012-1-18 13:26:01
				高实在是高啊呵呵回复 \| 举报 \|

			31 真武阁真武阁离线 LV8 副总工程师积分：5805 \| 主题：25 \| 帖子：1549 访问空间发消息积分:5805 LV8 副总工程师 2012-1-4 16:55:34
			在调试一款400W ccm PFC用过，包括有cree的和英飞凌的，输入功率比超快小了1 W（超快用的是飞利浦的BYC8-600) AC220，满载回复 \| 举报 \|

		8 lizlk lizlk 离线 LV7 版主积分：6622 \| 主题：15 \| 帖子：1064 访问空间发消息积分:6622 版主 2011-12-29 10:56:03
		高！好像现在只有他们一家在做SIC的二极管吧。他们当时刚刚推出的时候是很多年前，从美国寄来了样品，我都没有试验，一直到现在，都不知道是何特性。回复 \| 举报 \|

			10 tim_hu tim_hu 离线 LV4 初级工程师积分：356 \| 主题：3 \| 帖子：82 访问空间发消息积分:356 LV4 初级工程师 2011-12-29 14:24:51
			很多家有了，我目前了解的就有（排名不分先后，按字母排序）：Cree, GeneSiC, Infineon, STM, Rohm, SemiSouth。封装形式多样，TO220，TO247，TO252等，电流可达40A，电压主要集中在600V/650V，1200V 回复 \| 举报 \|

				11 lizlk lizlk 离线 LV7 版主积分：6622 \| 主题：15 \| 帖子：1064 访问空间发消息积分:6622 版主 2011-12-29 14:52:01
				多谢，明白了。回复 \| 举报 \|

		9 QQ:403920015 QQ:403920015 离线 LV6 高级工程师积分：604 \| 主题：13 \| 帖子：218 访问空间发消息积分:604 LV6 高级工程师 2011-12-29 13:33:08
		碳化硅和普通二极最大的区别不是VF更低，而是碳化硅二极管的反向恢复电流为零。 600-Volt Schottky Rectifier Optimized for PFC Boost Diode Application Zero Reverse Recovery Current Zero Forward Recovery Voltage High-Frequency Operation Temperature-Independent Switching Behavior Extremely Fast Switching Positive Temperature Coefficient on VF 利用具有独特性能的碳化硅作为器件材料，能制造出接近理想功能特性的升压二极管，并适合PFC应用中的各种功率级别。SiC肖特基二极管具有的无反向恢复电荷、反向特性与开关速度、温度和正向电流无关的特性均能减少PFC应用中的功率损耗。这对服务器和高端PC电源来说尤其重要，因为效率提高的要求变得越来越重要，特别是要满足80plus等法规要求时。当一个传统的bipolar硅二极管关断时，必须在二极管结附近的电荷载流子群之间进行重新整合，以驱散累积的反向恢复电荷。在重新整合期间出现的电流叫做反向恢复电流。当与相关的半导体电源开关上的电压结合时，这个不需要的电流会产生热量，从转换上排散出去。回复 \| 举报 \|

			15 Guidewang Guidewang 离线 LV6 高级工程师积分：788 \| 主题：21 \| 帖子：314 访问空间发消息积分:788 LV6 高级工程师 2011-12-30 13:52:31
			只要SIC的Vf能再低点，就比较理想了，对于做大功率高效都有很大的帮助。呵呵，还没有测试过。回复 \| 举报 \|

				22 cardiopathy cardiopathy 离线 LV8 副总工程师积分：3395 \| 主题：3 \| 帖子：1471 访问空间发消息积分:3395 LV8 副总工程师 2012-1-3 08:07:58
				已经很理想了，高压那电流都不大，基本都不是很热的，这个不大是发热源，主要热的还是开关管，PFC电感这些回复 \| 举报 \|

		16 晶纲禅诗晶纲禅诗离线 LV7 版主积分：15504 \| 主题：220 \| 帖子：6445 访问空间发消息积分:15504 版主 2011-12-31 09:24:49
		十分感谢各位的帮助指导！回复 \| 举报 \|

		17 晶纲禅诗晶纲禅诗离线 LV7 版主积分：15504 \| 主题：220 \| 帖子：6445 访问空间发消息积分:15504 版主 2011-12-31 09:28:38
		回复 \| 举报 \|

		18 晶纲禅诗晶纲禅诗离线 LV7 版主积分：15504 \| 主题：220 \| 帖子：6445 访问空间发消息积分:15504 版主 2011-12-31 09:35:31
		用2MHz 正、负1A，占空比约0.5的高频方波电流实测，与IR的08TB60对比，不难看出碳化硅的速度还是实实在在地要快不少，而正向压降在1A时也不高。当然，IR的软特性600V耐压超快系列也是相当地不错。回复 \| 举报 \|

			19 Guidewang Guidewang 离线 LV6 高级工程师积分：788 \| 主题：21 \| 帖子：314 访问空间发消息积分:788 LV6 高级工程师 2011-12-31 22:19:46
			好东西也贵呀。回复 \| 举报 \|

				20 fugems fugems 离线 LV8 副总工程师积分：2615 \| 主题：6 \| 帖子：631 访问空间发消息积分:2615 LV8 副总工程师 2011-12-31 23:13:38
				不知何时，SIC的价格能降一半？回复 \| 举报 \|

					25 cardiopathy cardiopathy 离线 LV8 副总工程师积分：3395 \| 主题：3 \| 帖子：1471 访问空间发消息积分:3395 LV8 副总工程师 2012-1-4 07:51:27
					为啥你们用不起呢？产品太便宜？利润太低？回复 \| 举报 \|

						32 fugems fugems 离线 LV8 副总工程师积分：2615 \| 主题：6 \| 帖子：631 访问空间发消息积分:2615 LV8 副总工程师 2012-1-4 19:50:36
						可能吧。楼上的仁兄，20A/1200V的SIC你买多少银子？回复 \| 举报 \|

							36 QQ:403920015 QQ:403920015 离线 LV6 高级工程师积分：604 \| 主题：13 \| 帖子：218 访问空间发消息积分:604 LV6 高级工程师 2012-2-20 22:03:57
							20A1200V的SIC含税介要100多元....我司有做CREE牌子的  13560746382 郭先生回复 \| 举报 \|

								42 ace ace 离线 LV6 高级工程师积分：1041 \| 主题：7 \| 帖子：367 访问空间发消息积分:1041 LV6 高级工程师 2013-7-23 23:35:32
								这价格，令人颤抖回复 \| 举报 \|

		21 blueskyy blueskyy 离线 LV10 总工程师积分：28371 \| 主题：129 \| 帖子：13401 访问空间发消息积分:28371 LV10 总工程师 2011-12-31 23:49:14
		没用过，来学习 ~ 回复 \| 举报 \|

		23 天使之光天使之光离线 LV6 高级工程师积分：885 \| 主题：13 \| 帖子：135 访问空间发消息积分:885 LV6 高级工程师 2012-1-3 10:22:22
		在DC/DC LED架构上应用过，100V to 200V 0.5A 效率能达到95%以上。回复 \| 举报 \|

			24 晶纲禅诗晶纲禅诗离线 LV7 版主积分：15504 \| 主题：220 \| 帖子：6445 访问空间发消息积分:15504 版主 2012-1-3 19:33:31
			看来今后Boost电路里非碳化硅莫属了！回复 \| 举报 \|

				26 Jerry.lin Jerry.lin 离线 LV7 版主积分：2392 \| 主题：23 \| 帖子：536 访问空间发消息积分:2392 版主 2012-1-4 09:21:32
				SIC适合小体积高频率，CCM模式，没有反向恢复时间，开关损耗主要是QC引起的。几前试过CREE的，在1KW的机上实际试测，比超快恢复整机功率小了20W左右！但耐冲击较差，没有加开机保护二极管很容易干掉！不过听说英飞凌的SIC现在强化了二极管，耐冲击有很大改善！回复 \| 举报 \|

					27 cumtzhangwang cumtzhangwang 离线 LV8 副总工程师积分：6197 \| 主题：320 \| 帖子：2214 访问空间发消息积分:6197 LV8 副总工程师 2012-1-4 13:13:15
					我用过碳化硅~基本没反向恢复电流~就是目前适应功率范围不大~期待大功率的~~ 回复 \| 举报 \|

				28 sensezcy sensezcy 离线 LV8 副总工程师积分：2739 \| 主题：30 \| 帖子：1156 访问空间发消息积分:2739 LV8 副总工程师 2012-1-4 14:38:24
				应该说SiC二极管的应用在频率大于100K的时候优势更加明显，而在小于60K的时候并无太大的优势回复 \| 举报 \|

					29 tim_hu tim_hu 离线 LV4 初级工程师积分：356 \| 主题：3 \| 帖子：82 访问空间发消息积分:356 LV4 初级工程师 2012-1-4 15:24:00
					供参考: 回复 \| 举报 \|

						30 tim_hu tim_hu 离线 LV4 初级工程师积分：356 \| 主题：3 \| 帖子：82 访问空间发消息积分:356 LV4 初级工程师 2012-1-4 15:37:53
						回复 \| 举报 \|

		37 beyonddj beyonddj 离线 LV4 初级工程师积分：382 \| 主题：10 \| 帖子：42 访问空间发消息积分:382 LV4 初级工程师 2012-2-21 19:08:20
		英飞凌的SIC很久前小批量用过几次，个人以为，在成本能接受的情况下当然要选用优秀的元器件了。。。考虑的问题没那么复杂了。。。回复 \| 举报 \|

		38 take take 离线 LV6 高级工程师积分：1059 \| 主题：38 \| 帖子：359 访问空间发消息积分:1059 LV6 高级工程师 2012-10-31 10:44:22
		谁能给几个 SIC二极管型号 400W CCM模式PFC用的回复 \| 举报 \|

			40 tim_hu tim_hu 离线 LV4 初级工程师积分：356 \| 主题：3 \| 帖子：82 访问空间发消息积分:356 LV4 初级工程师 2012-10-31 21:42:42
			IDH04G65C5 Infineon - Product Brief - 650V SiC Generation 5 diodes.pdf Infineon - Selection Guide - 650V SiC thinQ.pdf 回复 \| 举报 \|

				41 雅人深致雅人深致离线 LV6 高级工程师积分：1263 \| 主题：0 \| 帖子：207 访问空间发消息积分:1263 LV6 高级工程师 2013-7-23 22:43:07
				里面的Qc X Vf里面的Qc指的是什么？是一般二极管参数里面的Qrr么？回复 \| 举报 \|

		39 中华电源中华电源离线 LV0 禁止发言积分：3162 \| 主题：109 \| 帖子：1102 访问空间发消息积分:3162 LV0 禁止发言 2012-10-31 11:19:50
		提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽回复 \| 举报 \|

		43 wmy1988 wmy1988 离线 LV6 高级工程师积分：450 \| 主题：20 \| 帖子：170 访问空间发消息积分:450 LV6 高级工程师 2013-7-23 23:47:15
		谁用过SiC的开关管？回复 \| 举报 \|

		44 ck7401 ck7401 离线 LV8 副总工程师积分：5219 \| 主题：21 \| 帖子：337 访问空间发消息积分:5219 LV8 副总工程师 2013-7-24 07:19:24
		没有反向恢复损耗，效率会提高不少，但价格也很贵。回复 \| 举报 \|

		45 threetigher threetigher 离线 LV8 副总工程师积分：3475 \| 主题：1 \| 帖子：1822 访问空间发消息积分:3475 LV8 副总工程师 2013-7-24 10:00:34
		中兴的通信电源中pfc就是用了2枚CREE的C3D06060，6A600V；回复 \| 举报 \|

			47 ck7401 ck7401 离线 LV8 副总工程师积分：5219 \| 主题：21 \| 帖子：337 访问空间发消息积分:5219 LV8 副总工程师 2014-5-26 20:48:24
			CREE高压碳化硅二极管确实还不错。回复 \| 举报 \|

		46 QQ:403920015 QQ:403920015 离线 LV6 高级工程师积分：604 \| 主题：13 \| 帖子：218 访问空间发消息积分:604 LV6 高级工程师 2013-9-23 16:22:16
		英飞凌的碳化硅 IDH04SG60C 4A600V 超特价, RMB 5.5元保证英飞凌原装正品, 13560746382 或发QQ邮件给我, 回复 \| 举报 \|

		48 铁板牛柳铁板牛柳离线 LV6 高级工程师积分：406 \| 主题：8 \| 帖子：134 访问空间发消息积分:406 LV6 高级工程师 2014-5-26 22:02:11
		补充一个SiC器件很重要的优点，耐高温。回复 \| 举报 \|

			49 ck7401 ck7401 离线 LV8 副总工程师积分：5219 \| 主题：21 \| 帖子：337 访问空间发消息积分:5219 LV8 副总工程师 2014-6-3 16:18:52
			无反向恢复损耗。回复 \| 举报 \|

		50 化二为一化二为一离线 LV8 副总工程师积分：2929 \| 主题：113 \| 帖子：1149 访问空间发消息积分:2929 LV8 副总工程师 2014-6-4 13:48:19
		SiC听说，是CMOS技术后，电力电子技术的又一大突破。回复 \| 举报 \|

			51 cmosic cmosic 离线 LV2 本网技师积分：108 \| 主题：0 \| 帖子：1 访问空间发消息积分:108 LV2 本网技师 2016-6-3 23:38:39
			提示: 该帖被管理员或版主屏蔽回复 \| 举报 \|

			61 threetigher threetigher 离线 LV8 副总工程师积分：3475 \| 主题：1 \| 帖子：1822 访问空间发消息积分:3475 LV8 副总工程师最新回复 2020-3-6 23:44:53 倒数1
			GaN呢？回复 \| 举报 \|

		52 深圳炫芯微电子深圳炫芯微电子离线 LV2 本网技师积分：100 \| 主题：2 \| 帖子：26 访问空间发消息积分:100 LV2 本网技师 2016-6-22 23:32:21 倒数10
		提示: 该帖被管理员或版主屏蔽回复 \| 举报 \|

			53 深圳炫芯微电子深圳炫芯微电子离线 LV2 本网技师积分：100 \| 主题：2 \| 帖子：26 访问空间发消息积分:100 LV2 本网技师 2016-6-22 23:37:06 倒数9
			提示: 该帖被管理员或版主屏蔽回复 \| 举报 \|

		54 Coming.Lu Coming.Lu 离线 LV7 版主积分：50193 \| 主题：39 \| 帖子：15999 访问空间发消息积分:50193 版主 2016-6-23 07:59:32 倒数8
		优势是用在，CCM模式。（主要体现在反向恢复）缺点是，导通压降大。回复 \| 举报 \|

		55 深圳炫芯微电子深圳炫芯微电子离线 LV2 本网技师积分：100 \| 主题：2 \| 帖子：26 访问空间发消息积分:100 LV2 本网技师 2017-3-16 20:34:15 倒数7
		碳化硅肖特基二极管反向电压(V) 正向电流(A) 正向电压 (V) 封装形式 VR IF VF(typ.) VF(max.) G3S06503 650 3 1.41 1.7 TO-220 TO-252 TO-263 TO-220FP TO-220IS G3S06504 650 4 1.5 1.7 TO-220 TO-252 TO-263 TO-220FP TO-220IS G3S06505 650 5 1.5 1.7 TO-220 TO-252 TO-263 TO-220FP TO-220IS G3S06506 650 6 1.44 1.7 TO-220 TO-252 TO-263 TO-220FP TO-220IS G3S06508 650 8 1.47 1.7 TO-220 TO-252 TO-263 TO-220FP TO-220IS G3S06510 650 10 1.5 1.7 TO-220 TO-252 TO-263 TO-220FP TO-220IS G3S06520A 650 20 1.7 1.8 TO-220 G3S06520B 650 20 1.7 1.8 TO-247(3L dual chips) G3S06530A 650 30 1.75 1.8 TO-220 G3S06540B 650 40 1.7 1.8 TO-247(3L dual chips) G3S06560B 650 60 1.75 1.8 TO-247(3L dual chips) G3S065100B 650 100 1.5 1.8 TO-247(3L dual chips) G3S12002 1200 2 1.6 1.7 TO-220 TO-252 TO-263 TO-220FP TO-220IS G3S12005 1200 5 1.45 1.7 TO-220 TO-252 TO-263 TO-220FP TO-220IS G3S12010 1200 10 1.6 1.7 TO-220 TO-252 TO-263 TO-220FP TO-220IS G3S12010B 1200 10 1.45 1.7 TO-247(3L dual chips) G3S12020A 1200 20 1.6 1.8 TO-220 G3S12020B 1200 20 1.6 1.8 TO-247(3L dual chips) G3S12040B 1200 40 1.6 1.8 TO-247(3L dual chips) G3S17004A 1700 4 1.6 1.8 TO-220 G3S17005A 1700 5 1.6 1.8 TO-220 G3S17010A 1700 10 1.4 1.8 TO-220 G3S17015A 1700 15 1.65 1.8 TO-220 QQ截图20170316203356.jpg (133.6 KB, 下载次数: 65) 下载附件 2017-3-16 20:34 上传回复 \| 举报 \|

		56 深圳炫芯微电子深圳炫芯微电子离线 LV2 本网技师积分：100 \| 主题：2 \| 帖子：26 访问空间发消息积分:100 LV2 本网技师 2017-3-16 20:35:09 倒数6
		http://control.blog.sina.com.cn/admin/article/article_add.php 回复 \| 举报 \|

			58 深圳炫芯微电子深圳炫芯微电子离线 LV2 本网技师积分：100 \| 主题：2 \| 帖子：26 访问空间发消息积分:100 LV2 本网技师 2018-1-18 19:26:28 倒数4
			碳化硅肖特基二极管反向电压(V) 正向电流(A) 正向电压 (V) 封装形式 VR IF VF(typ.) VF(max.) G3S06503 650 3 1.41 1.7 TO-220 TO-252 TO-263 TO-220FP TO-220IS G3S06504 650 4 1.5 1.7 TO-220 TO-252 TO-263 TO-220FP TO-220IS G3S06505 650 5 1.5 1.7 TO-220 TO-252 TO-263 TO-220FP TO-220IS G3S06506 650 6 1.44 1.7 TO-220 TO-252 TO-263 TO-220FP TO-220IS G3S06508 650 8 1.47 1.7 TO-220 TO-252 TO-263 TO-220FP TO-220IS G3S06510 650 10 1.5 1.7 TO-220 TO-252 TO-263 TO-220FP TO-220IS G3S06520A 650 20 1.7 1.8 TO-220 G3S06520B 650 20 1.7 1.8 TO-247(3L dual chips) G3S06530A 650 30 1.75 1.8 TO-220 G3S06540B 650 40 1.7 1.8 TO-247(3L dual chips) G3S06560B 650 60 1.75 1.8 TO-247(3L dual chips) G3S065100B 650 100 1.5 1.8 TO-247(3L dual chips) G3S12002 1200 2 1.6 1.7 TO-220 TO-252 TO-263 TO-220FP TO-220IS G3S12005 1200 5 1.45 1.7 TO-220 TO-252 TO-263 TO-220FP TO-220IS G3S12010 1200 10 1.6 1.7 TO-220 TO-252 TO-263 TO-220FP TO-220IS G3S12010B 1200 10 1.45 1.7 TO-247(3L dual chips) G3S12020A 1200 20 1.6 1.8 TO-220 G3S12020B 1200 20 1.6 1.8 TO-247(3L dual chips) G3S12040B 1200 40 1.6 1.8 TO-247(3L dual chips) G3S17004A 1700 4 1.6 1.8 TO-220 G3S17005A 1700 5 1.6 1.8 TO-220 G3S17010A 1700 10 1.4 1.8 TO-220 G3S17015A 1700 15 1.65 1.8 TO-220 回复 \| 举报 \|

				59 深圳炫芯微电子深圳炫芯微电子离线 LV2 本网技师积分：100 \| 主题：2 \| 帖子：26 访问空间发消息积分:100 LV2 本网技师 2018-1-18 19:27:38 倒数3
				提示: 该帖被管理员或版主屏蔽回复 \| 举报 \|

深圳炫芯微电子

深圳炫芯微电子
离线
LV2
本网技师

积分：100
|
主题：2
|
帖子：26

积分:100

LV2

本网技师

2018-7-5 20:27:27
倒数2

SIC碳化硅 - 深圳市炫芯微电子有限公司- SIC碳化硅二极管SIC碳化硅MOS专家 http://www.dc-micro.com/index.php?m=content&c=index&a=lists&catid=65
二代碳化硅二极管

产品型号	主要功能说明	封装形式
G2S06503A	650V/3A 碳化硅肖特基功率二极管	TO-220-2
G2S06504A	650V/4A 碳化硅肖特基功率二极管	TO-220-2
G2S06505A	650V/5A 碳化硅肖特基功率二极管	TO-220-2
G2S06505C	650V/5A 碳化硅肖特基功率二极管	TO-252
G2S06510A	650V/10A 碳化硅肖特基功率二极管	TO-220-2
G2S06520A	650V/20A 碳化硅肖特基功率二极管	TO-220-2
G2S06520B	650V/20A 碳化硅肖特基功率二极管	TO-247
G2S06530A	650V/30A 碳化硅肖特基功率二极管	TO-220-2
G2S12002C	1200V/2A 碳化硅肖特基功率二极管	TO252
G2S12005A	1200V/5A 碳化硅肖特基功率二极管	TO-220-2
G2S12005C	1200V/5A 碳化硅肖特基功率二极管	TO-252
G2S12010A	1200V/10A 碳化硅肖特基功率二极管 PIN C4D08120A C4D10120A	TO-220-2
G2S12010B	1200V/10A 碳化硅肖特基功率二极管 PIN C4D10120D	TO-247
G2S12020A	G2S12020A 1200V/20A 碳化硅肖特基功率二极管 pin C4D15120A C4D20120A	TO-220-2
G2S12040B	G2S12040B 1200V/40A 碳化硅肖特基功率二极管 pin C4D30120D C4D40120D	TO-247
G2S17010A	G2S17010A 1700V/10A 碳化硅肖特基功率二极管	TO-220-2

三代碳化硅二极管

产品型号	主要功能说明	封装形式
G3S06503	G3S06503 650V/3A 碳化硅肖特基功率二极管 pin C3D01060A C3D02060A C3D03060A	TO-220 TO-252 TO-263 TO-220FP TO-220IS
G3S06504	650V/4A 碳化硅肖特基功率二极管	TO-220 TO-252 TO-263 TO-220FP TO-220IS
G3S06505	650V/5A 碳化硅肖特基功率二极管	TO-220 TO-252 TO-263 TO-220FP TO-220IS
G3S06506	650V/6A 碳化硅肖特基功率二极管	TO-220 TO-252 TO-263 TO-220FP TO-220IS
G3S06508	650V/8A 碳化硅肖特基功率二极管	TO-220 TO-252 TO-263 TO-220FP TO-220IS
G3S06510	650V/10A 碳化硅肖特基功率二极管	TO-220 TO-252 TO-263 TO-220FP TO-220IS
G3S06520A	650V/20A 碳化硅肖特基功率二极管	TO-220-2
G3S06520B	650V/20A 碳化硅肖特基功率二极管	TO-247
G3S06530A	650V/30A 碳化硅肖特基功率二极管	TO-220-2
G3S06540B	650V/40A 碳化硅肖特基功率二极管	TO-247
G3S06560B	650V/60A 碳化硅肖特基功率二极管	TO-247
G3S065100B	650V/100A 碳化硅肖特基功率二极管	TO-247
G3S12002	1200V/2A 碳化硅肖特基功率二极管	TO-220 TO-252 TO-263 TO-220FP TO-220IS
G3S12005	1200V/5A 碳化硅肖特基功率二极管	TO-220 TO-252 TO-263 TO-220FP TO-220IS
G3S12010	1200V/10A 碳化硅肖特基功率二极管	TO-220 TO-252 TO-263 TO-220FP TO-220IS
G3S12010B	1200V/10A 碳化硅肖特基功率二极管	TO-247
G3S12020A	1200V/20A SIC碳化硅肖特基功率二极管	TO-220-2
G3S12020B	1200V/20A 碳化硅肖特基功率二极管	TO-247
G3S12040B	1200V/40A SIC碳化硅肖特基功率二极管	TO-247
G3S17004A	1700V/4A 碳化硅肖特基功率二极管	TO-220-2
G3S17005A	1700V/5A 碳化硅肖特基功率二极管	TO-220-2
G3S17010A	1700V/10A 碳化硅肖特基功率二极管	TO-220-2
G3S17015A	170V/15A 碳化硅肖特基功率二极管	TO-220-2

一代碳化硅MOS

产品型号	主要功能说明	封装形式
G1M12080E	碳化硅MOS 1200V/40A Silicon Carbide Power MOSFET