| | | | | 已知:IN:85V-265VAC
OUT:12V1A
选用方案:OB2263
IC工作频率:60K(取典型值)
先用磁器件:EF20 AE=33.5mm |
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| | | | | | | 你怎么就知道选啥芯片?你怎么就要选EF20?
这个不能算已知吧,
楼主继续! |
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| | | | | | | | | 我也想问,为啥要选EF20磁芯?等待中 设计时要不要考虑CCM CDM等模式 |
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| | | | | | | | | | | 当然,针对12W的电源你完全可以选用PQ2620来设计。(人是活的,东西是死的)
设计时当然要考虑CCM,DCM。
我后序会介绍的。
如有错误。还望大家不吝赐教。 |
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| | | | | | | | | | | | | 变压器磁芯结构的选择取决于你的输出绕组是否多,是否需要更大的窗口利用率,散热空间等综合考虑磁芯结构, |
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| | | | | | | | | | | | | | | 变压器啸叫,且带载后电压就被拉低了,去哦应该从哪里开始入手调电源呀 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | /*********** 广告已删除 ***********/ |
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| | | | | | | | | | | 小功率一般都还是选择DCM 模式了,毕竟体积会做的更小点,对MOS管的应力而言也 不大,一般的MOS管都是能够承受的, |
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| | | | | | | | | 写个设计实例吧?包括版主所思所想,注意事项及详细步骤说明 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 既然斑竹要说的详细,不妨把VDS为什么是这3个之和也顺带给讲讲。哈哈。
还有80这个估算值,是在任何情况下都这个这个数值呢,还是有例外。什么情况下是例外,例外的时候大约要怎么取值呢?这些期待斑竹也讲讲清楚 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 正常通电工作的情况下,必须考虑进去。否则MOS耐压不是400V就足够了?当然还有一些其它的因素,漏感产生的尖峰,VOR,MOS关断产生的峰值等等。
至于这个漏感峰值电压的估算,至少目前到现在为止,我一直都是这么估算的。当然,这也跟输入交流电压有一定的关系。不过在下对此没有研究。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我的输入电压要求为交流 760VAC ,这样的话是不是这个漏感峰值电压就不能取
80了呢?有没有高手大侠帮忙指点下阿。。。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这个值是有讲究的,涉及到电源的效率和MOS应力问题,就是吸收电路的损耗。因为这个值影响匝比进而影响MOS的应力。有一个最佳的值能同时兼顾MOS的应力,和吸收电路的损耗 |
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| | | | | | | | | | | | | 估计的漏感峰值电压80依照什么估计的,能说一下吗?/谢谢 |
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| | | | | | | | | | | 这里是不是该讲一讲MOSFET的选取方法,如果我选的MOSFET的耐压为800的话你的匝比是不是要打很多。 |
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| | | | | | | | | | | 请问公式里的12.85是什么参数? 你输出不是 12V吗? |
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| | | | | | | | | | | | | 输入电压不管什么模式,最大都是这么多 ,次级反射到初级的反射电压由于输出不变,肯定也是这么多,素以都是按照这个设计的
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| | | | | | | | | | | | | 就是反激开关电源是多路输出,如何确定原边和副边的匝数?电流是设计成DCM的还是CCM的?具体是如何确定的? |
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| | | | | | | | | NP/NS=(540-264X1.414-80)/12.85应该是这样吧? |
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| | | | | | | | | | | 如果是2组输出:12.85和5.8 又是怎样算匝比呢!~
NP/NS=(540-264X1.414-80)/(12.85+5.8)
是这样算的吗? |
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| | | | | | | | | | | | | 如果是两组输出,比如主输出Vs1 和辅输出Vs2。 只需算出Vs1匝比,Vs2也就随之确定了。很简单的看了下面的计算,你就明白了
NP/NS1=(540-264X1.414-80)/12.85=6.75
NP已经算出 所以 NS1=NP/6.75=96/6.75=14
再根据 NS1/NS2=Vs1/Vs2 得到 NS2=NS1*Vs2/Vs1=14*5.8/12.85=6.32
如果是多路输出,也是一样计算的
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| | | | | | | | | | | | | | | NP已经算出 所以 NS1=NP/6.75=96/6.75=14
这里的NP是怎么算出来的啊?为什么是96呢? |
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| | | | | | | | | 楼主这个匝比指最大匝比取值吗?实际匝比取值可以比它小却不能比它大,否则,MOS有危险啦,但是并不能说明它是最优的匝比选择值啊,楼主的后面的变压器为什么一定要选择最大匝比呢? |
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| | | | | | | | | | | 匝比还分最大?我写的这些只是初步计算。后面会讲到验证。 |
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| | | | | | | | | | | | | 考量开关管开与关及开关管,输出滤波二极管的最大应力可以达到一个匝比的范围 |
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| | | | | | | | | 渔兄:公式写漏了一些参数。算起来n=6.77
个人意见,请指导? |
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| | | | | | | | | 学习了 楼主,您好!以后多多指教 我是做电源老化设备和测试仪器的 有时间我们交流交流:1096125927 |
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| | | | | | | | | 我想问下楼主后面的那个80是怎么估的呢,有没有什么规律可寻 |
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| | | | | | | | | 有个问题想问一下。为什么是选600的0.9,而不是500的0.9或者说其他更高电压值的0.9。这个来源于经验吗? |
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| | | | | | | | | | | MOS管耐压0.9足够了。一般MOSFET,如600V。其实远远不止600V。630-650之间。选0.9倍,够保守了。 |
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| | | | | | | | | | | | | MOS管电压应力的裕量有的厂家说是动态0.9稳态0.8,有的厂商说是任何情况下只要比最高耐压低50V即可。600V的管子虽然可以用到630V-650V,但是如果在630V-650V之间出现了问题,厂家是不保证的,如果超过了最高耐压得测试雪崩能量吧? |
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| | | | | | | | | 我还有个问题,我现在在做一个5V1.5A的案子,输入最高电压264V,反激非连续的,700V的管子,二级管按0.8V算,算出来N是30,可IC的Excel计算出来的是15.6,为什么会相差这么大呢,你这个非连续也适用吗?谢谢 |
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| | | | | | | | | 你好,我想问一下,如果我要做单电压120的匝比也是这样算么?那不是很大了? |
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| | | | | | | | | 我好奇的是,版主写的是繁体字,要么就是练过书法的,要么就是港台人士 |
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| | | | | | | | | 新手学习中,不知道100W左右的这个方法是否适用呢? |
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| | | | | | | | | 如果我是2路输出~5.8和15.6 匝比怎么算? |
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| | | | | | | | | | | 你这公式在那搞的,不对吧!应该是:Vin*D=(Vo+Vf)*(1-D)*n
我认为这个公式才是对的 |
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| | | | | | | | | | | 你这个公式也是对的。你的公式是绕开反射电压这个值用最大占空比Dmax去确定匝比,最大占空比发生在输入电压最小时,所以用Vimin,你的最低输入电压取的太高了,所以结果偏大。应当说你这个公式比较准确。 |
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| | | | | | | | | 楼主请问下,是不是所有的反激都可以这样来计算初次级之间的匝比啊,谢谢! |
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| | | | | | | | | 渔兄:我弱弱的问下哦,假如我用的MOS惯是8N80的,那这个地方的在算咋比时候,是用800*0.9吗? |
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| | | | | | | | | 渔工,对于你的计算我很迷惑,你 NP/NS 的结论都没有出来,那么你是怎么得到VDS上的最高电压540V???还有:就如你所说NP/NS=540-264*1.414-80/12.85,其中我想问一下你那540又是怎么来的,是VDS是得电压吗???那么匝比都没有出结论的情况下为何得来VDS上的电压??难道是你的经验值吗,这也太玄乎了吧。。
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| | | | | | | | | | | VDS=540V 600VMOS*0.9
这个值也可以说是经验值。 |
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| | | | | | | | | | | 这个公式在,开关电源设计第三版中,第四章反激篇有讲过的可以去看下!
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| | | | | | | | | 600*0.9=540? 那600 又是怎么取得? 怎么确定mos要用哪款,多少耐压的? |
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| | | | | | | | | 渔大师你太厉害了,我最近仔细研究了单端反激的Vds电压问题。得到的结论很你一样,和你2012年2月17日那张演算纸一样。
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| | | | | | | | | 版主,这里的匝比是为了考虑mosfet的耐压,如果匝比选得更小会有什么影响?
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| | | | | | | 楼主:我先算下,Lp=840UH,NP=97T
VOR:80,D:0.47,n:6.15,效率:75%,Bac:0.2T |
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| | | | | | | | | 我开此帖的目的是:不是任凭经验。。。。。要理论与实践相结合。做出高品质,高效率的电源出来。 |
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| | | | | | | | | | | 你那个80就是凭经验来的,为什么取80而不是50也不是200?所以你这个匝比算出来也不一定是最优,后面可能还需要调整。 |
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| | | | | | | | | | | | | 这个值是书上讲的,我只是应用。如果你硬要刨根问底,我建议下次深圳研讨会的时候,你向讲台的老师提问。
其实我也非常想知道为什么。。。这电源为什么就叫电源。而不叫源电。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 这不是跟你抬杠,每个东西总是有来龙去脉的。假定输出功率12W,效率80%,那么输入功率为15W,264V时工作在DCM模式,漏感3%,则漏感能量大约为15*3%,频率60K,则单周期内漏感能量为15*3%/60K J,选用你所提供的变压器和普通4N60管子,变压器匝间电容+MOS管Coss+其他分布电容大约在1nF左右,不加吸收时,漏感尖峰电压为[2*(15*3%/60K)/1nF]^0.5=122V,加上一点RCD吸收,一般情况下在80V左右,但这个值是取决于漏感比例、分布电容大小、工作频率高低和RCD吸收强弱的。要设定80V,一定要附加其他条件,否则就不一定是最优,即使后期通过加强吸收硬调到这个值也未必是最优的设计。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 尖峰电压是稳态电压的110%比较好,自控控制上面有。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 38楼说的很有水平,要考虑RCD吸收水平,更进一步的考虑了理论加经验 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 您好,这里有几个问题想请教下:
1、为什么264V时工作在DCM模式,漏感3%?
2、这个其他分布电容只的是哪些?
3、RCD可以吸收40V左右是怎么算的?
真心赐教,非常感谢。
“假定输出功率12W,效率80%,那么输入功率为15W,264V时工作在DCM模式,漏感3%,则漏感能量大约为15*3%,频率60K,则单周期内漏感能量为15*3%/60K J,选用你所提供的变压器和普通4N60管子,变压器匝间电容+MOS管Coss+其他分布电容大约在1nF左右,不加吸收时,漏感尖峰电压为[2*(15*3%/60K)/1nF]^0.5=122V,加上一点RCD吸收,一般情况下在80V左右,但这个值是取决于漏感比例、分布电容大小、工作频率高低和RCD吸收强弱的。要设定80V,一定要附加其他条件,否则就不一定是最优,即使后期通过加强吸收硬调到这个值也未必是最优的设计。
” |
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| | | | | | | | | | | | | | | 渔哥,这个80V是否可以理解为反射电压,反射电压的话,一般是按60~80V选取,防止次谐振。 |
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| | | | | | | | | | | | | 看过一个说法,交流265伏输入,这种电压等级下性价比合理的mos耐压一般是600,还要0.9的余量,给反射电压和漏感反峰的幅度范围就只剩下160V左右,给他们各分一半80V,是一个比较合理的预设值。 所以设计可以以80的反射电压为设计起点,虽然这是一个经验值,但确是有来由的,而且这是设计的第一步,在优化环节还可以调节这两者的分配比例,不知道你觉得如何。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 真是公说公有理,婆说婆有理啊。
不管黑猫白猫。能抓到老鼠就是好猫。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 变则通,通则达,我觉得无论哪种方法了解透彻了都是一样受用的!最终都需要人为优化和调试。 |
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| | | | | | | | | | | MOS我折取0.8,480V
480-375=105,再去峰值就是80V
楼主的那个匝比算出来很大哦? |
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| | | | | | | | | | | | | 桂工可以详细一点说说嘛?
不太明白你们的0.8是什么意思? |
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| | | | | | | | | | | | | | | 如MOS耐压600V*0.8=480V,取得比较保守而已。 |
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| | | | | | | | | | | | | 假如我没有600V的管子,只有800V的管子,在计算的时候,该怎么样取舍。要是还是按照0.8的,那匝比岂不是更大? |
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| | | | | | | | | 这个匝比到底算出来是多少啊,现在有三种答案了 第一种:6.77 第二种:6.15 第三种 22.8 |
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| | | | | | | | | | | | | 请问一下哦,假如我没有600V的管子,只有800V或者900V的管子,在计算的时候,该怎么样取舍。要是还是按照0.8的,那匝比岂不是更大?还是直接把它当成600V的管子去计算(只是裕量很大而已)。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 通则变,变则通,你完全可以把800V的MOS管当600V的来看呀。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 为什么要当600V来看呀,你愿意把800块钱当600来用? |
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| | | | | | | | | VOR 80V是i不是有点小了,600VMOS耐压大多在630V以上,vor用100V应该跟好点 |
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| | | | | | | | | | | 100V也是可以的,只是吸收功率会增加点,效率稍微有点影响。 |
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| | | | | | | | | | | | | RCD电容电压 Vsn=VOR+80.
吸收功率损耗只与比值K=Vsn/VOR有关,比值越大,损耗越小,因为吸收损耗:Psn=0.5Llk*(Idspeak)2*k/(K-1)。一般我们取k为2~2.5,因为在k=1.4时,k若是再继续增加,损耗减小不再明显,所以我们取2~2.5比较合适。故取80要看情况而定,如Vor=75v,可以取80;Vor=100v,则取200v~250v。 |
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| | | | | | | | | | | 我想请教一个问题是反射电压Vor的取值与MOSFET的耐压值有关系吗?是不是都经验值来的?有参考依据没 |
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| | | | | | | | | | | | | 以前我都选120V
不就差几十V吗?后来大多用国产MOS所以就降低点了。
我个人认为VOR大些可以让占空比也大些,电源控制也会稳定些。现在我通常选100就觉得这个整数好。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | VOR取太大,占空比大了,那么就容易产生次谐振啊,不知道我理解的对不! |
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| | | | | | | 谢谢这位专家了,我一直都想学习变压器的设计,但是看了好多书,书上写了好的理论和公式太复杂了。头都晕了,要是你能搞一个例子一样,写在文档里。怎么去设计变压器一些要求步骤写出来,一看就比较明白,那样对新手来说就容易了。 |
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| | | | | | | | | 难道这样还不够明确?现只是初步计算。后序会讲到如何优化!!! |
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| | | | | | | | | | | 楼主能不能和我们相信的分析一下 反馈的设计呢,对于开关电源的频率响应楼主能不能给点建议呢。谢谢哈 |
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| | | | | | | | | | | 渔版主~!~再把计算线径的公式写出来嘛!~~!这样就完整了哦~!~!我一直在期待着呢~!~! |
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| | | | | | | IN:85V-265VAC OUT:12V300mA
MOS耐压730V Dmax=0.45
IC工作频率:55K(取典型值)
先用磁器件:EE13 AE=17.1平方mm
按照您给的公式我算出的参数为:NP:204 NS:13 匝比N:16 Lp:4.6mH。这个参数对吗?麻烦老师指点下! |
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| | | | | | | | | 匝比太高了 按临界模式的话 7.5 要是是16 16*12=192V 反射电压 |
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| | | | | | | | | | | 5V2A输出的匝比怎么样计算呢?按版主的公式推算,我的匝比就到14了,看了你们说匝比太大,那这个5V2A输出的怎么样计算,请指教! |
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| | | | | | | 鱼老师你好:我想请教一下,对于你上面的已知条件而论。假如是个新手算的话,怎么知道选择EF20磁器件呢?你选择EF20是你的经验,还是说随便选一个来算呢?还是有什么好的方法选择磁器件呢? |
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| | | | | 刚刚有朋友提高DCM,CCM的问题,现在我来解释一下
其一,DCM,通常所说的断续模式,在电源中较为普遍,任何一款PWM的芯片都可以做成DCM。
优点:EMI要比CCM容易通过。
缺点:效率要比CCM模式低一些。 |
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| | | | | | | EMI这个暂无太多定论,CCM存在反向恢复,DCM 峰值高,开关噪声也有,都可能产生高频辐射,相对来于,反向恢复噪声的频率比开关噪声的频率要高.哈哈,纠结的东西, |
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| | | | | | | 我来补充下:开关管和二次整流管的峰值电流DCM比CCM大。 |
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| | | | | | | | | 是的,所以DCM一般不建议做6W以上。纯属个人观点。 |
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| | | | | | | 请教渔版主一个问题,DCM/CCM/BCM的变压器设计与设计有哪不同呢?给我们也讲讲课吧,小弟是新手。 |
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| | | | | | | | | 同样一个变压器,在不同的电压段,都可以实现DCM,CCM。实际上没有本质的区别。楼下有朋友解释了。只是斜率变与不变的问题。 |
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| | | | | | | DCM与CCM的比较,个人认为还是应该针对同一输出功率从以下五个方面来比较
1.功率器件的选择
2.变压器的体积
3.输出滤波器LC的大小
4.效率
5.EMI |
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| | | | | | | 我看过书上说,小功率的时候工作模式设定DCM 大功率的时候设定CCM 不知道对否?理由? |
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| | | | | | | 那我想问下楼主,你上面所说的那个计算初次级匝比的公式对DCM跟CCM都是试用的吧! |
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| | | | | 这个话题确实好,只是,如果要做一个好的设计,变压器最严苛的条件应该在芯片的工作频率最低以及变压器的Ae最低,用典型值设计是常规的做法,不过就如后面讨论的,需要把设计的特点条件明确化比较好。
至于80V这个值,本身并没有一定的定论,因为这个跟选用的最大duty有关,所以个人还是比较不推荐直接采用这个假设开局的方式,尽管选定了控制IC,可是duty选用多大还跟采用多大的bulk电容,hold up time的长短有直接的关系,如果变压器的设计仅仅考虑MOS的耐压,而忽略了别的零件的选择,似乎就进入了一个自己预设的局限,在某些情况下可能面临尴尬。 |
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开局首先看各种预设条件,工作输入电压(频率)范围、输出电压电流,外观尺寸要求,工作温度湿度高度、冷却方式、EMC要求,然后选拓扑、频率和主要功率器件。即使规定了反激工作方式,也并不意味着一定是充电器或适配器。反激的应用场合多了去了,例如270Vac/400Hz交流供电系统中采用一个50W的反激电源做辅助供电,无风、大面积金属外壳冷却,空气温度-40~70,海拔10000m,输入端有专门的大功率EMC滤波器,1U高、3U宽、长度小于160mm,这个时候的开局就完全不同了,至少磁心的选型就不能这么随意。 |
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| | | | | | | | | | | 不知道为什么我还是忍不住说几句。我想问你们个问题,谁能把变压器参数算出来装上机,不用调试就结案,有吗?没有吧!我相信是没有的,因为我不相信我们的工程师会这么不负责设计产品。除非。。。我就不说了,你们懂的。
老渔所想表达的你们都搞不清楚,在这随随便便数落人。我们是来学习的,不懂得可以问,没错。但最起码的虚心和尊重,要吧。否则谁愿意教你东西,又谁配教你东西。你是谁啊?西楚霸王也不过如此。
我做电源时间不长也就四、五年,产品的开发流程还是ISO里的比较合理。每个公司具体的ISO资料会有点不一样,但主框架是一样的。老渔现在将的是设计过程中的一小部分,而不是设计导入,或者设计输出。
设计变压器计算固然重要,但还有下个步骤那就是调试。老渔现在讲的是如何计算变压器。当然你可以认为你有更好的方法,你可以拿上来与大家分享。好了,我发现我屁话比较多,希望大家不要往心里去。那我们期待老渔继续精彩的讲解吧!! |
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| | | | | | | | | | | | | 这位兄台言重了,数落在下可以,但祈求给个充分的理由。
我是以讨论的形式发帖,并非作秀,人外有人,山外有山,我只是把我的思路拿出来分享,当然,我希望得到各位大师及各位同仁的指证。
以上内容,如有错误,还望各位同仁细心讲解。。。。。 |
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| | | | | | | | | | | 我倒是挺同意这个说法,至少调试的时候应该会更方便一些 |
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| | | | | | | | | 这个不属于漏洞说的范畴,只不过是提出一个不同的思路,对于性能优先的设计和对于成本优先的设计会有不同的起手式罢了,版主的设计方式是很通俗易懂的一种,只是如网友们提问的,有些地方数据的来源还可以说得更清楚一些。 |
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| | | | | | | 完了吗?还得继续啊,把变压器线径计算,还有气息,还有变压器的具体绕制方法示意图给画一下 |
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| | | | | | | | | 还没完。心急吃不了热豆腐,不急,放慢节奏。慢慢来。 |
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| | | | | | | | | | | 计算完变压器后再讲讲调试,最好能有实例波形与参数? |
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这个Np的计算公式是不是我计算错了呢,后面是不是要乘以10的6次方才等于96啊 |
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| | | | | | | | | | | | | 我来回复吧,因为在算Ton时,60K最值为60,所以后面乘以1000就行了。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 60K最值为60 所以后面乘以1000就行了,最值为60是什么意思。什么情况下乘以10的6次方啊 这个有点不太明白,新人求教。 |
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| | | | | | | | | | | | | 磁芯的有效截面积Ae的单位是10^(-6),所以转换到分子就是乘以10^(6) |
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| | | | | | | 版主,NP这个公式中的具体参数是怎么来的?我搞不清楚,麻烦您帮解释一下???谢谢了 |
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| | | | | | | | | 这个地方我来解释吧:这个感应电压=磁通的变化量/时间T再乘以匝数比,把磁通变化量换成磁感应强度的变化量乘以其面积就可以推出上式来(即:u=N dΦ/dt=N dB/dt *S)然后根据这个公式来推算出:楼主的那个公式; |
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| | | | | | | 楼主在选择delta B时个人建议先把所选磁芯材料的Bmax 在高温下的参数给秀出来,这样比较好,要不然,对初学者来说有有问题要问了,是否在高温仿佛开关机会饱和啊,等等, |
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| | | | | | | | | ΔB我已经很保守了,我在算此变压器时,我是取的0.25,一般如一些大厂使用磁芯较好的话,可以取0.3。关于饱和,是先高温,磁复位不正常,再饱和。 |
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| | | | | | | | | | | CCM模式下ΔB我一般取0.25T,DCM模式下ΔB我一般取0.16T(考虑损耗) |
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| | | | | | | 菜鸟求问。。Uinmin=1.414*85=120???怎么是107?? |
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| | | | | | | | | 我认为107是这样来的,市电有10%的浮动吧,所以Vmin_dc=85*0.9*1.414=108V
不是107V,不知道我这么想的对不对 |
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| | | | | | | 渔工,我想请问下Uinmin=107是怎么得来的,不是最小电压 85V么?
我是新手刚接触电源,还望赐教. |
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| | | | | | | | | 90V*1.414-20=107V,市电是有波动的。。加上桥堆的损耗。 |
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| | | | | | | | | | | 渔舟,请问下你,是不是填谷的话就取90,这贴有空要来多看几次啊,网上下载到的一些反激变压器设计都是我行我素,都没有具体的一个标准说法 |
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| | | | | | | | | | | 我来说说老鱼的107V吧,其实真正意义上的107V它并不是107V,这个电压的来源是根据一般桥式整流电路的实际工作原理估算过来的,具体是多少伏根据输出功率,效率(变压器之后)及BULK电容的容量有关;
大家都知道正弦波的交流电整流之后的最大值是1.414倍,如果BULK充电到最大值之后不再放电的话,那电压就是(以85Vac举例)85 * 1.414=120.19Vdc,但是由于实际工作中变压器以后的电路是会给BULK电容放电的,因此,BULK的电压就会成为一个反据此波形的形状,交流电压在每半个周期即将达到最大值的时候桥堆前面电压大于BULK电容的电压,这个时候就对BULK电容充电,DC电压升高,达到最大值之后电容处于放电状态,电压下降。
一般电路的使用中,可以依照充电2.3mS, 放电7.7mS来进行假设,那么7.7mS这个时间内BULK电容的能量放出去多少,导致多少电压的下降,就是楼上的20V这个假设数据的真实值,因此变压器的最低工作电压跟输出功率,效率(变压器之后)及BULK电容的容量直接相关连。
用文字描述真的好累,如果有看不懂的工程师建议慢慢的反复看几遍,最好就是找PT的资料看看波形,那就一目了然了 |
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| | | | | | | | | | | | | 这个我真没研究。我一直理解为市电波动比较大,取此值是相对保守,经王总这么一解释,应该就是这么回事。公式我也是从其它地方看来的。王总果然是世外高人。佩服!!! |
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| | | | | | | | | | | | | | | <<开关电源设计与优化>>第五章
P62-P67 用了大量篇幅来说明这个输入电容VS输入电压的重要性,只是平常大家忽略掉了这个问题. |
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| | | | | | | | | | | | | | | 请教!如果用示波器测试,这个Vinmin 属于有效值还是平均值? |
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| | | | | | | | | | | | | 解释的很到位哈,在加载过程中,工作电压波动很明显,此时电容充电电流很大。还是要注意的,因为整流桥的额定参数在那里。 |
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| | | | | | | | | | | | | 王总,您好!在单级PFC电路中只有CBB,没有电解电容,该怎么估算Vmin-DC呢?还能套用107V吗? |
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| | | | | | | | | | | | | | | 上面提到了利用能量转移的方式具体计算电容的最低电压,由于线路结构千差万别,不能一概而论估算值是多少,但是能量转移的方法是放之四海而皆准的,你可以根据实际线路结构进行适合自己线路的计算。 |
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| | | | | | | | | | | | | 楼主那个地方取的是90V而不是85V ,这个怎么说?
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| | | | | | | | | | | | | 王总,这个20V,我看了一些资料说的纹波电压,是否正确。 |
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| | | | | | | | | | | 请教一下,有的资料上介绍那20V电压是整流后电解电容上面的纹波,取波谷电压所以才这样的。 |
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| | | | | | | 请问下,占空比和频率的选取是根据芯片最大支持的来选择吗? |
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| | | | | | | | | 占空比反激而言取0.45
频率要根据IC的本身振荡频率来设计。 |
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| | | | | | | | | | | 原来如此、、反激的都是0.45的占空比啊…受教受教、、谢了哈。。
感谢分享、您继续努力……
还有一个问题,楼主,磁心截面积是根据什么定的呢? |
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| | | | | | | | | | | | | 根据磁芯厂家提供的磁芯参数表,即版主说的“查表”。 |
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| | | | | | | | | | | | | AP=AW*AE=【(Po+Po/n)*10^4】/(2*B*F*K*J) |
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| | | | | | | | | | | | | | | 我看有很多这个AP的计算公式算出来的结果比较小
但是实际上选用的磁芯AP比算出来的要大好几倍
这样的话 这个AP的计算公式又有什么意义呢~!~????? |
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| | | | | | | | | | | | | | | 这个公式分母中的2和(Po+Po/n)有关系吗?为什么是(Po+Po/n),而不是单纯的Po/n呢?这个问题困扰了好久,麻烦大神们解答一下
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| | | | | | | | | | | 我总觉得取0.45,反射电压太低,匝比是不是太大? |
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| | | | | | | | | | | | | 我这里有个误解,帮忙看看
VOR 是输出反射电压
这里一般设定VOR 后 n=VOR/VO 咋比不就是确定下来。是不是这样理解的? |
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| | | | | | | 大侠,有点不解啊,这步和第一步会不会有点矛盾呢?
UO=(1-D)*UG/D*N N=(0.55*107)/(12.85*0.45)=10.2
哪里不对劲呢 |
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| | | | | | | 多谢大师出来指教!不过我算了一下,那个60K已经算了的,=107*0.45/60000/33.5/0.25*1000000=95.8208956。最后“*1000”应该是“*1000000”,是分母那33.5平方mm转成平方米的,不知道我说得对否? |
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| | | | | | | 请教一下, 这里取 磁通变化为 B=2500GS的依据是什么~?
不会是 PC40的100C时的 BS=3900GS 然后依据经验 留个余量就 出来数字2500GS吧
或者说看 数据曲线~?而不是有理论计算的~? |
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| | | | | | | | | 还真是你说的这样,看PC40标准磁芯100DEG的参数,考虑裕量+经验 |
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| | | | | | | 渔工,你好,我有一点不明白,DCM模式占空比D也等于Ton/T吗 |
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| | | | | | | 版主,我不理解你这里为什么Dmax取0.45呢?为什么不去0.5或者0.6呢?难道是经验值,是不是在这个值时效率是最大的呀? |
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| | | | | | | | | DMAX实为占空比。即导通时间。此值不能超过0.5. |
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| | | | | | | | | | | 版主你好,为什么Dmax不能超过0.5呢?我之前用过L6562,芯片手册上说它D的最大值也超过0.5很多了啊,而且很多芯片的占空比范围都可以达到0.8。请指点一下,本人初学。谢谢! |
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| | | | | | | 第一个式子就是传说中的伏秒平衡吗?貌似没有除以匝数我记得 |
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| | | | | | | 楼主,有一点不解啊
第一步,计算除了匝比,就可以通过公式UO=(1-D)*UG/D*N决定低端最大占空比了 ,肯定要小于0.45的。
为何这里还要从新设定最大占空比呢? |
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| | | | | | | | | | | 你楼上给的公式我觉得有问题 你说的uo是输出电压 ug应该是输入电压 满足ug*d=vor*(1-d) vor=uo*N |
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| | | | | | | 楼主的这个思路,我也在用。。。。差别在于Uinmin我取的是90v,不知道合理不合理?求指教 |
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| | | | | | | 公式里的NP/NS为匝比~!~这个匝比值是多少啊~!~!
怎样算出来的? 请列出计算公式好吗~!谢谢~! |
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| | | | | | | | | | | | | 由于时间比较仓促,比较潦草。若有不明之处,还望大家谅解。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | ooo,深受启发。
上面的公式应该加上一个条件:是DCM模式,Ipk=delta I |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | DCM与CCM的变压器计算过程,没有本质的区别,一个是斜率变压,另一个是斜率不变化,但是delta I都是不变的。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 如果是CCM 模式,delta I就不能这么计算了, |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 巫工,区别在于电感量。算好匝比之后,想CCM就感量搞大点,想DCM就感量搞小点。(当然也会带来别的影响,比如反向恢复,峰值电流,RCD吸收的R是否会成为输出的负载等等) |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | CCM模式下Ipk的计算:
Ipk=I/[(1-0.5K)*D]
说明:I为平均值,K为电流波形系数,CCM模式下,取0<K<1,DCM模式下,取K=1. Ipk为峰值,D为占空比。另外, I=Pο/(η*Umin)
说明:Pο为输出功率,η为效率,Umin为最低直流输入电压,就是楼主的107V. 此处取K=1,代入得结果跟楼主那个DCM模式下专用公式算出来的峰值电流值一样。
申明:我只是在这个网站混了半个来月。从没真正做过一款电源啊。今天第一天买了个小充电器回来想打开看看里面倒底是什么东西,结果,高压输入端弄短路,给烧了。如果有人用上面的公式算错了。别骂我啊。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 计算CCM时跟DCM一样的额,还是选取刚进入CCM那个时刻计算! |
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| | | | | | | | | | | | | | | TO 77 楼 ,图里有个地方想请教下,鱼版主的意思是否指 漏感导致VDD电压往上飘,加大了功耗~~~
输出短路时,有时候会因为这个漏感引起的尖峰而无法将VDD电压拉到最低关断电压~~~ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 输出短路,会触发电流保护的吧?VDD电压取值得比UVLO电压高点就行。 |
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| | | | | | | | | | | | | 楼主要说明一下啊,你这个峰值电流的计算是属于DCM模式下的计算结果吧? |
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| | | | | | | | | | | | | 这个是DCM的设计方法?能不能说说临界模式的设计? |
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| | | | | | | | | | | | | 这个Ipk的算法还有点个人意见想发表一下:
1.带功率因数校正的是这样算,但是不带功率因数校正的是不是要加上功率因数呢?
2.Ipk的算法一直很纠结:
看到有的分子上是4*Po,而不是2*Po;请BZ解释啊!!! |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 实测是直接测试CS取样电阻两端的峰值然后除以阻值吗?如果没有电流探头的话! |
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| | | | | | | | | | | | | 渔版,请问一下关于MOS的选择,在确定耐压过后,如何根据已知的条件来选择MOS管的电流大小呢???平均电流,电流峰值,还是电流有限值??
在实际情况应用中,可能会有所变动,比较单级PFC,因前级的滤波电容很小,MOS管导通损耗比较大,我会会选择比较大的MOS管,20W的功率会选择7N60 甚至12N60都有可能。
IPk是计算出来的峰值电流,有没有相关的公式来计算一下所选择MOS呢??看见有的资料说MOS管选择的时候为Isw=10Irms?? |
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| | | | | | | | | | | | | 请问渔版,副边电感量Ls怎么确定,不会是原边电感量Lp通过匝比关系:Ls=Lp*(Ns/Np)2直接等效到副边的吧? |
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| | | | | | | | | | | | | IL=IO/(1-D) ILR= IL/n IPK=(1+r/2)*ILR
我觉得峰值开关电源应该是这么计算的。峰值开关电流跟r有关系,要是想版主那样算的话,那么r值就没有用处了。 我是看精通开关电源里边讲的,不知道这么理解对不对。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 一回事,只是一个设定参数r,一个设定参数k.都是和电流波形相关的参数,二取一. |
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| | | | | | | | | | | | | 有个问题想请教一下,我一直不是太明白。就是效率的设定,你计算是用80%效率,这个是变压器的效率还是整个电源的效率?
这个是自个定的,还是说在实际工作条件下(最低输入电压,输出12V带1A额定负载)也能达到这个效率? |
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| | | | | | | | | | | | | CCM模式下Ipk的计算:
Ipk=I/[(1-0.5K)*D]
说明:I为平均值,K为电流波形系数,CCM模式下,取0<K<1,DCM模式下,取K=1. Ipk为峰值,D为占空比。另外, I=Pο/(η*Umin)
说明:Pο为输出功率,η为效率,Umin为最低直流输入电压,就是楼主的107V. 此处取K=1,代入得结果跟楼主那个DCM模式下专用公式算出来的峰值电流值一样。
渔班 这样理解DCM和CCM对吗? |
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| | | | | | | | | | | | | 请教TOP257的芯片在空载的时候VDD建议在多少V呢?谢谢 |
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| | | | | | | | | | | | | 这个公式怎么得来的呢?流过电感的电流的变化量等于平均电流比上占空比?求解释 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 这个与平均电流的定义有关,是与数学上的平均值的定义一样的。你把电流随时间的曲线画出来后,该段时间内的平均值等于该曲线与坐标轴围成的面积比上这段时间。平均值等于I(t)在t1到t2时间段内的积分/(t2-t1)。 |
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| | | | | 楼主你好,作为新手渴望学到更详细的,能否加一堂课,讲讲怎么判断出电源是工作在DCM还是CCM状态。 谢谢 |
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| | | | | | | 代楼主回答下你的问题:
1, 既然有电源了,那就好办
2, 按电源输入规格一定的输入电压(低压为好),负载从0加到满载.此时可以观察MOS管的VDS波形,MOS管上电流波形,其他地方的波形也可以看出
3.一般的电源按上面的操作,你会看到DCM转变到CCM |
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| | | | | | | | | 这个肯定,负载大了,占空比增加,能量不能完全转移,当然就成了CCM了 |
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| | | | | | | | | 理论上是这样的,但是如何具体的从哪个波形上判断出从DCM转为CCM?
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| | | | | | | | | 最近我研究了好久原边单极反激PFC电源工作于CCM模式,一直找不到一种可行的控制方法,不知渔版可否指点一二? |
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| | | | | | | 看变压器原边的电流波形,如果电流波形是从0开始的,那么就可能是DCM 或者BCM,
如果不是从0开始的那就是CCM, |
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| | | | | | | 如果变压器原边与副边在某一时刻电流同时为零,就是DCM。 |
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| | | | | | | 关注,看了很多贴,很可能这个贴让我入门反激电源的变压器了,期待中, |
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| | | | | | | | | 支持下!版主是否可以贴一下调试的波形,比如饱和时的波形和正常时的开关波形! |
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| | | | | | | | | | | | | | | 为什么小于0.25也算不合理呢?delta B的值较小不是事比较好的吗? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | delta B太小,意味着需要更多的圈数来达到一个很小的伏特秒的值,那就是铜损大大的增加。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 请教大师,按照你的这个验证方法,我回头验证自己以前计算的参数,那个磁通密度都小于0.25,都是0.24几,不知道这也需要从新考虑呢?如果需要,那从哪里开始考虑?谢谢! |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 那是正常的了。理论仅供参与。实际测试与批量生产就能证明一切。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 小于0.25,即设计不合理,这句话要更正。完全可以小于0.25。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 那在什么范围内,算之前的设计的不合理,而要重新设计呢? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 0.2-0.3之间都可以。前提要保证磁芯够给力。若磁芯不给力。最好小于0.25 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 其实这一步应该是验证dB不能太大,太大了要重新设计对吧 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 有人说这个取值的大小,关系到磁损和铜损,此消彼长。可否解释下?谢谢版主 |
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| | | | | | | | | | | | | | | N*B*S=LP*IPK=UMIN*TMAX这样验证好像等于没验证呢。。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | NP=Ip*Lp/(Ae*B)=Vin*ton/(
Ae*B),好像用这两个公式算NP,得NP的数值都一样。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 不同的.因为绕线一般都是整数圈,取整后,B不一定能符合要求. |
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| | | | | | | | | | | | | | | 渔工,请教个问题:
我这有一个方案用IC:SY5800-D
宽压输入:85-265Vac
输出:24V 0.88A
效率以82%来计算
工作频率60K
变压器用EFD25 AE=57.38
MOS用4N65
IC电压VCC取12V
我根据上面的公式算出匝比为56:11:6不知道对不对
请大神帮忙指点!!谢谢!!
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| | | | | | | | | | | | | | | 按照这种方式验证,根据计算电压的两个恒等式变形得到deltaB的值和最初的设定值是一样的啊,感觉就像一个恒等式呢,麻烦楼主解释一下
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| | | | | 楼主辛苦了, 我还是想知道变压器尺寸的选择和线径选择的过程. 可否再写下? |
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| | | | | 谢谢版主分享反激式变压器的设计思路。变压器设计是电源设计的关键关节,应理论联系实际!希望版主继续分享此主题思路。 |
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| | | | | 现在这种电脑键盘时代,还能有这么笔好字,真的很不错。。。。。艺术 |
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| | | | | 楼主能给个QQ吗,刚从事这方面的工作,希望能多多向您请教 |
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| | | | | 鱼哥 的这帖子太好了。只可惜我的分太少,哈哈不然多加点 |
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| | | | | | | 大家喜欢就好。积分对于我来说,只是神马。最近比较忙。没来得及更新。有时间讲DCM,CCM,QR。工作模式。 |
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| | | | | | | | | 渔哥,继续往下讲解,关于线径的选取呀。
搬个板凳来听讲,期待。 |
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| | | | | | | | | | | 线径选择3-5A/mm^2,磁芯要根据具体的功率去选择。 |
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| | | | | | | 最近在忙于DIY那帖子,比较忙。过段时间再和大家讨论。谢谢大家支持。 |
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| | | | | | | | | 很期待楼主要讲的DCM,CCM,QR。工作模式。期待中…… |
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| | | | | | | | | | | | | 渔版,顶你。
设计时变压器按DCM方式,电路在不同电压会进入CCM吗?进入了有什么影响?
DCM与CCM、CRM在环路设计上有什么不同,应注意那些问题? |
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| | | | | | | | | | | | | | | 看多少W。一般≥12W,都会根据输入电压的大小,负载的大小,分别在CCM,CRM,DCM中来回切换的。我个人认为,工作模式跟环路貌似没有太大的关系。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 对环路我没太多概念.不过渔版说的: 工作模式跟环路貌似没有太大的关系。这句话,个人有点不认同,相反的,工作模式与环路有非常大的关系.特别是CCM 与DCM,环路好像有质的不同.二者的传递函数不同.以及右半平面的零点的问题.
论坛中有许多高人对环路颇有研究.
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 高人出现了。我也非常希望各位高人讲解工作模式对环路影响之类的话题。。。
关于增益,传递函数,微积分,这些东东好深奥。。。。不懂。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 电源讲义上说,DCM不存在着右半平面零点的问题,反过来来讲,CCM就存在。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 上图中v(s)、d(s)是怎么来的,怎么传递函数? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这个好像在那本fundamental of power electronics 中有讲到这个模型。。。汗,这块我真的不知道。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 就是占空比变化对输出的传递函数,可以推导出来,利用开关器件网络法容易点,不用计算矩阵了。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这个和采用的控制模式有关,电压模式控制影响比较大,对于电流模式,影响不太大。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 关于什么环路,什么增益,什么零点的。啃了N遍,基本都不知所云。。。。
悲剧啊 。。。。。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | DCM 也同样存在着右半平面零点,其频率通常远高于交越频率,故一般不做考虑。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 弱弱的问下,右半平面零点是什么?产生的现象是怎样的?可否解释下? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 变压器可以同时工作在不同的模式~!~那么设计变压器的时候该按那个模式来算呢????? |
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| | | | | | | | | | | | | 渔版主:DCM是不是也可以这样定义,在MOS管再次导通之前,输出二极管上电流已经下降到零。而CCM则是在MOS管再次导通之前,输出二极管上还有电流; |
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| | | | | 真是绝世好帖,这个帖子可以帮我们这些初学者入门,谢谢楼主。 |
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| | | | | | | | | 未完。待续ing、、、、、、、最近比较忙,请大家谅解。 |
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| | | | | | | | | | | | | 大师,第一步和第二步感觉还是有点矛盾,确定了变比,不就已经确定了UINMIN对应的占空比了么?也就是DMAX,怎么第二步又重新设定的最大占空比呢? |
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| | | | | | | | | | | | | | | 第一步是从器件应力的角度来确定最大的匝比,这一步有前人经验和理论推导作基础而预设的一些已知量。第二步则是基于计算电感量的需要才确定的一个最大DMAX。电源真正工作时的最大DMAX不是第二步的数据,而是由变比限定得到的最大占空比D。 |
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| | | | | | | | | | | | | 什么情况下设计按CCM方式?
具体跟DCM在计算时有什么不同?
我的理解是IPK的取值。 |
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| | | | | | | | | | | 需要把反激搞通还是需要一些时间磨的,涉及的知识面有点多。 |
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| | | | | 己知85-865V,IC1692,40KHZ,AE:19.2
输出:16V,0.35A
NP/NS=6
NP=UINMIM*TON/AE*BMAX=107*0.45/40/(19.2*0.3)*1000=209T
NS=NP/N=209/6=35T
NA=(VO+1)*NS/UOUT+UDF=17*35/16+0.5=34T
IPK=2*PO/UINMIN*D*效率=0.29A
LP=UINMIN*TON/IPK=107*0.45/40/0.29=4.2MH
请楼主看下是不是可以,
本人认为算出来的值有点大,但有不知道怎样认为合理,
本人新手来的,请那位大师指点 |
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| | | | | | | 85-865V ???不对吧,貌似85-265V
NA=(17*35)/(16+0.5)=36不应该是34吧 |
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| | | | | | | | | 是我写错了,变压器这个东东不好搞呀。
楼主高手吧,有什么好的经验说下这方面的事项。 |
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| | | | | | | | | | | | | 楼主威武,都讲QR了, 斑竹能不能再讲解下CCM模式下的计算过程呢,求知若渴呀, |
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| | | | | | | | | | | | | QR定义:在下个周期到来时上个周期的能量刚好释放完毕。这不是连续与非连续间的临界状态吗?我们可不可以这样认为,临界模式也是某个瞬间达到QR模式的一种状态,如果这样的话,那么临界点的效率是不是也能达到QR一样的高效率呢? |
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| | | | | | | | | | | | | 版主 我弱弱的问一句,MOS在关断开始时刻原边电流已经达到最大了!那QR模式中,这个零电流关断该怎样理解? |
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| | | | | | | | | | | | | 楼主上面是不是有个地方写错了,“依靠Lp与MOS漏极的电容起谐振”,是否应该是“Ls”即初级漏感啊。 |
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| | | | | 楼主的字写得确实好。。先分享下如何写出一手好字的经验啦。。呵呵。。 |
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| | | | | | | 这个教不了。况且,我并不认为自己写的好。。。。当年在庐山,一位高僧看了我的笔记,留我一句话,至今还无法忘却。
见字如见其人。。。。
至今无法领悟、、、、、、、、、、 |
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| | | | | | | | | 请问一个比较纠结的问题,用示波器测量MOS管的VDS电压,是看Vpp值还是Vmax最大值,至两个值之间相差有50V,哪个才是选择MOS管的耐压标准呢? |
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| | | | | | | | | | | | | 渔舟唱晚 版主 我想知道关于窗口面积计算和线径选择细节 恳请版主抽点时间写 |
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| | | | | | | | | 这个我可以帮你解释下:这个话我小时候我们老师也跟我说过的,一般看一个人的字就可以看出一个人的性格! |
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| | | | | 为什么没有实例呢
这样比较清楚
或者可以把大部分的数据放上来 |
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| | | | | | | | | 有没有反激的220AC-12VDC2A 量产电路图实例啊 |
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| | | | | 好羡慕,好渴望。。。
不知楼主能不能推荐几本好书看,买过好多书看,都是积分,太深奥,看不懂。。。 |
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| | | | | 嗯,很好的帖子。。我也在学设计反激变压器设计,也看了不电源方面设计的书,但好像还傻呆呆。。例如我要做个12V 10A,120W开关电源,输入AC220。要求效率能做到90以上。。用反激式设计。请问频率、占空比如何去确定?之后再如何计算这个变压器? |
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| | | | | 渔版主,能否讲解一下如何根据输出功率的大小来选择磁芯呢?有哪些依据.望大师指点. |
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| | | | | 渔板,你这个贴开的很给力,我是初学者,试设计了一个,还行。但觉得还有很多不足,比如如何优化变压器等,希望渔版可以在此帖继续补充。谢谢! |
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| | | | | | | | | 期待验证细节............................ |
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| | | | | | | | | | | 这个就是漏感引起的振铃。。。无法消除。但可以减小。 |
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| | | | | | | | | | | | | 不像DCM 像是CCM,或者临界模式吧。 |
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| | | | | 反激式变压器不是初次级同名端极性相反么.?那为什么初次级串起来(初级的结束端串次级的起始端)电感量反而变大了,而不是减小. |
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| | | | | | | 刚实践下弄明白了....虽然极性不一样..但实际这样串起来,绕线的方向仍是一样!所以只能变大... |
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| | | | | | | | | 顶啊 哈哈 我们可在一个群哦,我注意你很久了 哈哈 大师的帖子就是好啊,一下子解决了我好多迷雾!谢谢啊 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 你好,我想问一下,如果我要做单电压120的匝比也是这样算么?那不是很大了? |
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| | | | | | | 共同期待鱼版主继续讲解 |
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| | | | | | | 请问下鱼板,这个公式:LM=VIN*DMAX/FS*IP,这个公式算出来的结果比你那个公式算出来的结果刚好是少2倍。LM=VIN*DMAX/FS*IP假如是400UH,你那个电感量就是800UH,请解答下,也请那位高手解答下。 |
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| | | | | | | | | 这个公式少了电流的纹波系数.假如工作在BCM,系数是2,刚好是2倍. |
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| | | | | | | | | | | 这个公式LM=VIN*DMAX/FS*IP就是用到断续模式上的吗,鱼板的那个公式是用到連续模式上的吧,有没有具体的公式,我没有搞明白。请楼主指点。 |
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| | | | | | | | | | | | | LM=VIN*DMAX/FS*IP哪种模式都可以用,断续还是连续只是取决于IP而已 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 我也想问下 既然哪种模式都可以用,为什么两个公式算出来的结果却不同呢,求解答啊 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 这就好比两套房间,使用面积一样,里面的摆设不一样,关键是都可以住人,明白吗?有个房间家私多一点,因为他不需要那么大空间,有个房间很少家私,因为他家很多人,需要更大空间,但是都不会影响最终结果,能住人。。。。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 看了三天,,不下4次,,还是不明白DCM和CCM的区别计算公式.主要区别计算在LP还是NP.NS 还是TURNS.求大侠讲解一二.有谁能总结一下DCM和CCM下各自的计算公式!!!!! |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 由匝比确定占空比,进而确定电压.由电感值确定电流,工作模式是电流相关的,所以,主要看电感值. |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 求分享一下DCM和CCM各自的计算公式..非常感谢!!! |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | DCM=discontinue conduction mode,就是能量传输过程中,有断续状态
CCM=continuous conductiom mode,就是能量传输过程中,不存在断续状态
依照以上定义,所谓的DCM和CCM,只是能量传输过程中不同的方式,跟公式是没有什么关系的。
之所以大家讲公式的事情,那是在不同的传输状态下,输入输出以及磁性元件参数计算的公式不一样而已,并不是公式可以决定DCM或者CCM状态。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 老兄,久久不见你出来
想空时找你一起喝茶聊天。。。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 求分享一下输入输出以及磁性元件参数计算的公式..非常感谢,. |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 楼下说的对着,是因为一个是在DCM模式,一个在CCM模式。在DCM模式和CCM模式时峰值电流不同。CCM时,Ipk=Po/(η*Vinmin*Dmax);DCM时Ipk=2*Po/(η*Vinmin*Dmax); |
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| | | | | | | | | 这个是对的啊,按渔版的算法,Lp=107*0.45/60/0.62=1.29mH, |
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| | | | | 楼主大哥给出计算变压器参数方法是针对反激变压器,针对正激变压器的设计楼主能不能详细地讲一下? |
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| | | | | 看完通篇,受益颇多,渔版主继续,应该还有,大家都在期待啊! |
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| | | | | 看你的公式,想问一下,在计算电源参数时,一开始应该假设些什么参数,我看过好多计算方法都是假设Dmax,而你的是先把他计算出来,还有具体匝数,我看见过是直接算出初次级匝数,而你是先算出匝数比然后推出具体匝数的。好多设计刚开始是不知道用具体的开关管的,而是最后通过计算应力来选择的,而你的是预先设定好耐压值的,请问前辈在知道Vac,F,Vout,Iout,P0,后该先从那步入手啊? |
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| | | | | | | | | 真心的请问各位高工,请帮我看看以下算法是否可行,为何两种算法算出来的数据都有一些偏差,哪种计算方式会更精准一些呢?
以下是我的计算方法:
算法一是根据楼主的方法计算的,ΔB取0.25
算法一:1.Vdc min=Vac min*1.2=165*1.2=198V
Vdc max=Vac max*1.4=265*1.4=371V
2.Po=P1+P2+P3=(Vo+Vf)*I=(5+0.7)*3+(5+1.7)*0.1+(15+1.7)*0.06=18.77w
注:因输出二极管不同,所以Vf不同
3.Pin=(Po/η)*1.2=(18.77/0.8)*1.2=28.16W
4.Vds=Vac max*1.414+(Vo+Vf)*Np/Ns+80
得到匝比:n=Np/Ns=14.2
5.Np=(Vdc min*Ton)/Ae*ΔB=[(198*0.4/65K)/23*0.25]*1000=212Ts
6.Ns=NP/n=212/14.2=15Ts
7.Ipk=2*Po/Vdc min*D*η=2*18.77w/198*0.4*0.8=0.59A
8.Lp=Vdc min*Ton/Ipk=(198*0.4/65k)/0.59=2mH
9.验证ΔB=Lp*Ipk/Ae*NP=(2*0.59/23*212)*1000=0.243
算法二:1.Vdc min=Vac min*1.2=165*1.2=198V
Vdc max=Vac max*1.4=265*1.4=371V
2.Po=P1+P2+P3=(Vo+Vf)*I=(5+0.7)*3+(5+1.7)*0.1+(15+1.7)*0.06=18.77w
注:因输出二极管不同,所以Vf不同
3.Pin=(Po/η)*1.2=(18.77/0.8)*1.2=28.16W
4.Iav=Pin/Vdc min=28.16W/198V=0.142A
5.Ip=2*Iav/Dmax=2*0.142/0.4=0.71A
6.Lp=Vdc min *Dmax/Ip*Fs=198*0.4/0.71*65K=1.7mH
7.Np=Vdc min*Dmax /ΔB*Ae*Fs=198*0.4/0.25* 23*10^-6 *65*10^3=212Ts
8.Ns=(Vout+Vd)*(1-Dmax)*Np/Vin min *Dmax=(5+0.7)*(1-0.4)*212/198*0.4=9Ts
9.验证ΔB=Lp*Ipk/Ae*NP=0.247 |
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| | | | | 记得有个2263的好贴,在论坛搜2263标题竟然没找到,
出动谷歌才找到,原来题目没有关键字2263. |
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| | | | | | | 靠!谷歌不是废了吗?
以前我常用,后来老是出现无法连接,就改百度了 |
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| | | | | 版主你好~~怎么不上传线径的计算公式啊~!~!麻烦你继续上传下好吗?
让我们这些晚辈学习下嘛 ~!~!谢谢你了哦 |
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| | | | | | | 线径的计算公式,记得小法兄的一个关于AP法计算的帖子中有详述,可以去搜索一下 |
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| | | | | 如果我设计的是多相输出 +5V +12V +15V 如果先用5V带进去算 等到12 15的匝数
跟 先把12V代入式中去算 在得到的 5V 、15V电压的匝数相比 差了很多很多 怎么办啊 小弟虚心请教了 静待回复 |
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| | | | | | | 这样试试。
比如用5V的作为匝比 计算出5V的NS5, 用NS5对12,15V进行计算,不是用没一个次侧同初级进行匝比算。这是我很久前看到的一个算方式。 |
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| | | | | | | 1输出电流是你定的(你要设计电源时候的已知条件)
2 Ipk=Vcs/Rcs 这关系式确实能大概估算峰值电流,但我觉得 应该是计算出了峰值电流 再已知IC关闭阀值电压 然后你再计算Rcs取样电阻值 (个人拙见)
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| | | | | 楼主您好 我是初学者 看有的资料说 EFD磁芯不适合用于反激变压器 是吗? |
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| | | | | | | | | 楼主~!~!怎么没有后续了?
线径的计算分享下嘛~!这样才完整。 |
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| | | | | | | | | 斑竹
看的你的文章收益多多,十分感谢。
这里请教个问题。
在刚开始确定匝比时间,即确定了(V0+VF)*n的VOR
如此,D=VOR/VOR+VIN的 导通时间势必已经初步定出,
只是可i俺看验证具体的根据折算后 I IN/D=IOR/D-D 是否合适
所以不清楚此处为何还直接设置D=0.45的必要性。
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| | | | | | | | | | | | | 反击变换器MOS开通时候开关节点电压有vin决定关断时候由VOR决定 开关节点电压=VIN + VOR +由漏感引起的电压 ,预设漏感电压80不为准确,是不是还要根据漏感大小而定呀,实际绕制的变压器漏感大小才能决定漏感电压的大小,N=VOR/VO+VD 。VOR不确定咋比也不准确。还是要根据实际调整吧 |
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| | | | | | | | | 请问单端反激式开关电源中反馈绕组的电压电流怎么确定,如何设计。 |
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| | | | | | | | | 哦谢谢!你知道鱼老师为什么选择EF20来计算呢?这个是不是靠经验来选择呢?假如是一个新手他选择了EE10来计算,那会不会也算出这个结果呢? |
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| | | | | [size=14.44444465637207px] 各位版主:
[size=14.44444465637207px] 我现在设计的需求大致是这样,这里发帖出来想请教下大家,希望大家能帮助下,能完成这款电源的设计。 双向DC/DC,正激拓布
[size=14.44444465637207px] 输入:DC24V~50V/5A-------输出DC4.2V/5A; 频率250Khz,请教下怎么开始设计,设计的流程及详细计算过程,可以已哪个案例参考,尤其的变压器设计过程,谢谢。
[size=14.44444465637207px] 可以发邮箱:82504462@qq.com, 谢谢大家了。
[size=14.44444465637207px] 链接:https://bbs.21dianyuan.com/212920.html
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