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| | | | | | | 好的,谢谢帮忙 ,尖峰太大了,是稳定输出电压的二倍了,我用的是300V,75A的IGBT。我没敢加太大电压,就加了小电压试了试。 |
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积分:109888 版主 | | | | | | | 可以看看母线上是否有这个尖峰,如果有,可以加大一点的无感电容。如果是CE两端加电容就需要根据工作频率电压之类的来计算选择了吧 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 母线上没有尖峰,CE并联的无感电容应该怎么具体计算呢,谢谢 |
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积分:109888 版主 | | | | | | | | | 我没用过大功率IGBT,不知道是否可以在IGBT上并联一个二极管,类似MOS管体二极管,应该对这个尖峰有效果。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 没用,这个是振铃,需要根据振铃的特性阻抗去计算RC吸收回路,基本上按计算值挂上去就OK,3.24北京之行,我的主题《开关电源中的RC元件》会有这个内容 |
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积分:109888 版主 | | | | | | | | | | | 这个是振玲没错,但我要知道楼主的输入电压是多少、测试的尖峰电压是多少,IGBT是否有内置二极管,如果尖峰电压高于输入电压切IGBT没有内置二极管,并联二极管可以将部分漏感能量回馈回输入,降低RC吸收的压力。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 输入我给的很低,输入电压10V,尖峰值是22V,IGBT他有内置二极管,我又反并联一个二极管4007,但是效果不明显,几乎没怎么变。我加无感电容了,加的事0.47uF的,我的IGBT型号是2MBI75n-060 |
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积分:109888 版主 | | | | | | | | | | | | | 反并二极管?并联二极管要并联快速的,你并MBR1100试试,20V的尖峰应该会通过二极管反馈会输入母线的,可你说输入母线没有尖峰,你测量的是靠近IGBT位置的母线吗? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 问下蒋工,到时候是否有电子版的提供下载,我在上海,去北京实在不太现实! |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 《开关电源中的RC元件》现在可以下载了吗?在哪里有,谢谢! |
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| | | | YTDFWANGWEI- 积分:109888
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积分:109888 版主 | | | | | 突然糊涂了,如果你这个是IGBT的波形,怎么关断时间不到0.5? |
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| | | | | | | | | 弱弱问一下,这个IGBT是前端升压的管子呢还是后边全桥逆变的管子?难道还有40V直接逆变出高压交流的电路?你给的这个波形感觉确实像DC-DC间的整流二极管波形,还有你的IGBT管子型号我怎么查到是600V-75A的? |
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| | | | | 告诉你一个简单方法:调整反并在IGBT上的二极管的反向恢复时间。
IGBT没有结构上需要的体二极管,出于安全考虑(避免反向击穿),一般IGBT内部都反向并联了一只二极管,随着现代开关电源技术的发展,软开关得到普遍应用,要求这只二极管具有很好的反向恢复特性,所以现在的IGBT内并联的二极管反向恢复特性越来越好。但是如果用这种IGBT做硬开关,因为漏感等因素在CE上产生的尖峰电压通过二极管反向恢复通道泄放的时间太短,剩余能量太多,就是你现在那个情况。
怎么办呢?再并联一个4007试试看。注意有三:
1、这个并联要求二极管的反向恢复时间恰到好处,如果觉得4007不合适,再换别的型号的二极管试试?
2、如果觉得4007的电流太小不放心,就2只4007串了以后再与IGBT反并,这样主反向电流就只走原来的二极管了,只有电压尖峰才走4007的反向恢复通道。
3、如果由于反向恢复电流(即吸收电流)太大而效率降低二极管发热,就需要考虑驱动方式了,让上下管错开驱动时间,避免同步驱动引起的二极管反向恢复直通引起的损耗。 |
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| | | | | | | 不解,这个方法是削弱开通时的尖峰,还是半闭时的尖峰? |
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| | | | | | | | | 当然是关闭时的电压尖峰,人家出问题的就是这里
以前用MOS做全桥一般不会出线这个问题,因为MOS的体二极管反向恢复时间足够长,原因在这里。 |
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| | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109888
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积分:109888 版主 | | | | | | 李工我想问以下,你认为他这个图,输入电压比尖峰电压高还是低?也就是假设他的尖是30V,那么你认为他目前输入多少伏? |
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| | | | | | | | | | | 关闭前,IGBT明明导通,你并1N4007上去是反偏,那来的反向恢复? |
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| | | | | | | | | | | | | 关闭前没有电压尖峰,关闭后立即出现电压尖峰,出现的时刻正是二极管反向恢复起作用的时刻啊。 |
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| | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109888
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积分:109888 版主 | | | | | | | | |
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| | | | | | | | | | | | | | | 重复:关闭前二极管反偏(截止),关闭过程及关闭后也反偏的,状态并不变,并不存在恢复问题,那来的作用? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 关闭前二极管可能是0偏、正偏、反偏,关闭动作还可能有小幅度的谐振,状态难说。 |
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| | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109888
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积分:109888 版主 | | | | | | 1、用MOS管做全桥不会出现这个问题,却不是二极管反向恢复时间的问题,而是二极管可以将漏感的能量反馈回输入,因此MOS管最高电压不会超过输入电压。
2、我觉得楼主的IGBT是没有并联二极管的。 |
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| | | | | | | | | | | | | 我们先不说这么多,让他试了就知道了,请楼主及时报告结果。 |
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| | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109888
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 要并高速二极管才行的通,需要的是高速管对高频振铃的旁路作用 |
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| | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109888
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积分:109888 版主 | | | | | | | | | | |
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| | | | | | | | | | | | | MOS管做全桥"不会"出现这个问题,是因为MOS的Coss和Crss很大,用IGBT出问题了,是因为IGBT的Coes及Cres比MOS的Coss和Crss都要小的多,MOS的振铃频率低很多,能量容易被体二极管送回母线上去(频率太高的话,由于正向导通延迟的存在,这个能量不容易被体二极管送回母线上去) |
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| | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109888
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积分:109888 版主 | | | | | | | | 即使加二极管,只是将部分能量传递回去,并不是全部,也就是可以降低尖峰高度而不是消除振铃。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 结电容的大与小,正如福兮祸兮,积极作用与消极作用,此消彼涨 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 这个问题,基本上就是蒋工,你之前说的关于G点的甜蜜性爱的问题,驱动电阻取值不对造成的。那尖峰是出现在死区时间内,而且伴随了负向过冲。
总之这个图可以看出很多问题。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 我从新测了一下,您帮忙看看
这个事IGBT一个罐子的CE脚并联电容,的波形,为什么这样呢?
这个是不加电容,输入电压给5V的,输出波形
这个事不加电容,输入加10V时的,输出电压波形,你看尖峰好可怕啊,好大啊,为什么呢? |
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| | | | | | | | | | | | | 是的,我没有外接反并联二极管,我以为它内部已经有了,就没接,我试试啊,太感谢了 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 内部有没有二极管,最好测一下,别误导自己。
还有请把电路、器件参数贴出来,试验结果贴出来。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 内部没有二极管的IGBT,在全桥上一用就炸,都不用问。
IGBT关闭后,变压器初级励磁电感需要去磁,如果没有二极管提供通路,会是什么怎么样?某一对一关闭,直接将处于截止的另一对反向击穿(BJT的CE极,反向只能杠七八伏) |
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| | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109888
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积分:109888 版主 | | | | | | | | | | 问题在于他加的电压也不过10来伏,还有个问题就是,如果他那个波形是CE波形,怎么关断时间那么短?占空比不到50%啊。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 10来伏的输入电压,用IGBT来做全桥,压降就去了百分之几十 ,不太像 |
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| | | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109888
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积分:109888 版主 | | | | | | | | | | | | 不是,他目前只加了10几伏你去看他那个波形啊,有数据。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 观于电压
把整个贴子重看一遍,主贴说:输入48V
而图上看到大约十来伏
是否楼主把示波器打在X1档,探笔打在X10档了呢?把48V*2弄的看上去像10V |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我是想做48V的,但是我没敢直接上那么大的电压,就输入加的10V的。毕竟害怕尖峰把管子烧了。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 怎么了,没事吧,呵呵,我是学生,请理解,sorry |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 不会烧的,耐压300V的IGBT 输入100V也没问题。
我觉得是你加的电压太低了。我前段时间做全桥DC/DC变换器,额定输入要400V,用的是1000V的MOS管。我调试的时候输入40V,发展MOS管的DS端也有振铃现象,后来电压跳到300V,加大负载,振铃就没了。 试试吧。还有关于无感电容的计算,我看到过,一下子找不到,找到了回复你。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我不是专家,纯属重在参与。
楼主指的管子是IGBT吗,IGBT不是300v的,应该不会烧掉吧。可能在额定电压下工作状态会不同。
还有楼主是直接在管脚上测得波形吗,有时候导线上的干扰也很可观。 |
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| | | | | | | RC吸收一般用于晶闸管吧,像IGBT、MOS都用RCD吸收的。 |
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| | | | | 吸收电容!我们变频器IGBT CE端都加个吸收电容 |
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| | | | | 也可能IGBT选型问题!前段时间用了一个晶闸管,导通尖峰很大,换了西门康的就几乎没有尖峰 |
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