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驱动电路的设计、仿真、实测

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zcyzvs
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  • 2012-4-11 20:18:55
在设计半桥或者全桥电路的时候,驱动电路非常的关键,无论是在起机,还是关机的时候,驱动的逻辑绝对不容许出错的,否则将面临直通的危险。大多数桥式电路的炸机和驱动电路有着必然的联系,比如说一个小小的驱动电阻影响的东西都非常多的,所以我一直觉得大功率桥式电源,驱动非常的关键,很多炸机案例都是由于驱动造成的,今天花了一天的时间整理驱动电路,对他进行仿真测试。
首先第一个驱动电路,是某大厂的驱动电路图,见仿真图

驱动电路一加速关断.rar
zcyzvs
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  • 2012-4-11 20:21:32
 
仿真波形:(可以看到MOS关断后还有1.6V左右的凸起电压,这个可能会有直通的危险)

zcyzvs
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  • 2012-4-11 20:23:12
 
实测波形:空载没有加主电的时候,波形很完美,关断速度非常的快)

zcyzvs
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  • 2012-4-11 20:24:27
 
上主电,带载后的波形如下:(和仿真基本一致)

zcyzvs
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  • 2012-4-11 20:32:09
 
删除
zcyzvs
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long223349
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  • 2014-11-2 19:26:34
 
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long223349
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  • 2014-11-2 22:15:14
 
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zlpql
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  • 2012-4-11 21:46:01
 
不错啊,什么软件仿真的?
liaozhaocheng
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版主
  • 2012-4-11 22:57:56
 
我也想知道.
zcyzvs
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  • 2012-4-11 22:59:42
 
saber软件。
gg5340
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  • 2013-9-6 11:01:45
 
这个软件是什么名字呢?
木木很-shy
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副总工程师
  • 2018-4-5 14:29:03
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请问:这里的小平台是什么原因造成的呢?做实验也发现这个平台
1.png
hnndl
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  • 2012-4-11 23:22:29
 
受益匪浅啊!
QQ906871卖电容
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  • 2012-4-20 18:09:49
 
很有帮助。
ericqin
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副总工程师
  • 2012-5-7 08:38:57
 
驱动是门学问,关于驱动电阻也有很多疑惑啊?
ciwei
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本网技师
  • 2012-5-24 09:06:49
 
请问这个凸起电压是什么原因造成的呢?
ciwei
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  • 2012-5-24 09:11:37
 
开通时,上升沿那个小台阶是什么原因造成的?对电路有什么影响?
zhangjinxing
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助理工程师
  • 2012-7-21 11:09:04
 
IBM的驱动方案确实让人眼前一亮啊
xjjie2008
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  • 2013-9-14 12:02:09
 
以前没号,现在再顶一下张工!别见怪哈!!!学习了!
jacobson
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高级工程师
  • 2015-10-3 21:24:06
 
为什么需要原边的耦合电容?似乎不需要也是一样的啊
zcyzvs
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  • 2012-4-11 20:42:32
 
第三种驱动电路,常用的驱动电路,结构简单,但也存在隐患的电路

常用的型的驱动电路.rar
zcyzvs
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高级工程师
  • 2012-4-11 20:47:52
 
这种电路的优点是电路简单可靠,关断时有反压,保证开关管迅速关断,并且在双正激电路并联时有反压保护关断的开关管不误导通。电路的缺点是在一管电路关断时,另一组上会感应出约2V的电压尖峰,可能会引起误导通。
hunyuanqi
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高级工程师
  • 2012-4-12 07:14:13
 
这种电路如果能消除那个2V的电压尖峰,应该是最理想的。
zcyzvs
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  • 2012-4-12 17:57:59
 
可是很难消除啊,哈哈,大家有什么高招啊,我推进还是用IBM的那个驱动电路好。
sensezcy
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  • 2012-4-20 14:45:35
 
可以考虑在MOSFET的驱动电阻之前串联一个3.3V左右的稳压二极管,来消除误导通的可能性
ciwei
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本网技师
  • 2012-5-24 09:15:48
 
能解释一下是为什么吗?
qw110422
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助理工程师
  • 2013-8-21 10:13:12
 
正向开通正常的电压也会给你削掉,所以这个还是有待考虑
nkzfwjf
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本网技师
  • 2013-1-17 17:13:55
 
变压器原边串的电阻值改大点,那个尖峰电压会小点。
谁与争风
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高级工程师
  • 2016-3-28 10:06:07
 
1v左右的尖峰问题不大吧  我们这用着效果还不错

dianznengyuan
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高级工程师
  • 2012-4-18 17:17:30
 
这跟驱动变压器的漏感有关,漏感小的话不会有那么高的感应电压出现。
zcyzvs
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高级工程师
  • 2012-4-19 11:01:01
 
应该不是这样的吧,我仿真发现漏感对那个凸起影响不大的。驱动变压器的漏感可以控制在0.5UH以下的。(1mH的原边感量)
dianznengyuan
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高级工程师
  • 2012-4-19 11:36:40
 
那你认为那尖峰是如何形成的呢?
zcyyytc
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高级工程师
  • 2012-4-19 13:26:56
 
这个是下管开通时感应过来的电压,如果独立去驱动,就没有这个凸起了的,
ciwei
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本网技师
  • 2012-5-24 09:17:51
 
驱动变压器上感应过来的电压吗
budaoweng6789
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LV8
副总工程师
  • 2015-9-28 11:38:21
 
通过仿真发现,确实把驱动变压器做成两个就没有那个小尖峰。
eric.wentx
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版主
  • 2012-4-14 13:27:47
 
第三种驱动估计是双管中最懒的方式了...
zcyzvs
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  • 2012-4-14 15:16:07
 
但是且看刘胜利老师的写的书,和他制作的全桥软开关电源,采用的都是这个驱动电路。
阮新波老师写的《脉宽调制全桥软开关电源的》一书的驱动电路也是这样的。
华为早期的通信电源的驱动也是这样的。可见此电路定有可取之处的。
c5432198670
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本网技师
  • 2013-6-27 17:38:24
 
请问这是用的什么方针软件?
shixiao1993
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  • 2015-10-19 15:01:52
 
多谢分享经验
zcyzvs
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  • 2012-4-11 20:59:27
 
第四种驱动电路,加速关断,消除负压。仿真看来波形很好,没有实际测试

驱动电路四-加速关断型.rar
zcyzvs
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高级工程师
  • 2012-4-11 21:00:52
 
这种电路教第一种电路比较起来,可靠性应该高许多的。
slim443
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  • 2012-4-11 23:18:32
 
好贴,受益匪浅
hunyuanqi
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LV6
高级工程师
  • 2012-4-12 07:12:41
 
这种电路可靠性高吗?好像没有死区呀。
实际上,变压器驱动有着天然的局限性。
关键在死区期间,一对驱动的波形到底是什么样子的?
liu1875
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LV8
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  • 2012-4-12 08:03:52
 
展开一下思路

变压器驱动有天然的局限性

那么是否可以做某种其他方式的驱动,譬如光耦驱动(也是隔离),再或者推挽芯片驱动(假设有这么种芯片的话)。

如果用上面说的光耦合驱动,或者推挽芯片驱动的话,他们又有什么缺点呢,当然是理论上的。
zcyzvs
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高级工程师
  • 2012-4-12 10:00:43
 
其实变压器驱动,要出问题就会出现在死区时间里的,变压器驱动有他的优势,我觉得可靠,陈本低,光耦驱动陈本高,且很多大厂的大功率电源很多都是用驱动变压器的,一些资深工程师设计大功率的电源的通常也都只考虑变压器驱动的。
liu1875
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LV8
副总工程师
  • 2012-4-12 10:30:29
 
变压器驱动,体积相比要大一些,这个要权衡。


不过这里只是讨论是否可行,譬如某个新型的专门驱动芯片
真武阁
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LV8
副总工程师
  • 2012-4-12 20:11:52
 
光耦+4427这些是可行的但得给驱动另外加一组电源,用2个驱动变压器上下臂独立驱动(正激式或图腾柱式)可消除死区震荡,波形很完美。
zcyzvs
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  • 2012-4-13 20:19:55
 
是的,但是会很占空间的呢,
真武阁
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LV8
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  • 2012-4-13 22:02:06
 
可以考虑变压器变态绕法:初级绕在中柱,2个次级分别绕在2个边柱
budaoweng6789
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LV8
副总工程师
  • 2020-3-13 22:13:45
  • 倒数6
 
这样是否就消除了上下管的耦合?
budaoweng6789
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LV8
副总工程师
  • 2015-9-28 14:41:30
 
大哥你好,看帖子估计你是用过半桥独立驱动变压器了。请问,这样做是不是大大提高可靠性?还有就是这种电路在驱动变得初级是直接并联还是怎么处理?期待您的回复
zcyzvs
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  • 2012-4-12 10:05:22
 
zlpql
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  • 2012-4-12 20:32:08
 
楼主是根据实际电路参数仿真的吗?有空请教你Saber如何使用
hunyuanqi
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高级工程师
  • 2012-4-12 20:36:57
 
这个波形是什么电路产生的?
QQ906871卖电容
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LV6
高级工程师
  • 2012-4-20 18:10:13
 
上面有用到的贴片电容吗?
qw110422
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助理工程师
  • 2013-8-15 15:22:22
 
应该是阶梯波。变压器驱动最大的风险在于对管之中有一个击穿或者烧了,另一路还在工作 ,这时候波形变成方波,管子直通。焦头烂额中!
真武阁
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LV8
副总工程师
  • 2013-8-23 09:37:22
 
对管之中有一个击穿或者烧,那说明你设计有缺陷,或元件质量有问题
qw110422
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LV3
助理工程师
  • 2013-8-16 16:08:55
 
死区还好弄。我现在的问题是驱动变压器的IC有时候会挂掉一路,于是死区就没了,这个问题大了!
甏甏甏
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LV2
本网技师
  • 2014-3-6 20:36:00
 
你好,我搭的电路负载接电阻时波形就是您图示的这样,但是负载换成变压器原边时波形就没有电压为0的部分了,这是怎么回事?电感楞次定律的原因么?
oywm76
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LV4
初级工程师
  • 2012-5-5 11:52:43
 
第四种驱动电路的元件参数不是很清楚,请楼主转成PDF格式.谢谢!
liuzz
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本网技师
  • 2013-3-18 15:35:15
 
请问瞬态仿真参数怎么设置的啊???我设置的报错。。
roc171
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  • 2013-9-10 10:55:57
 
有必要加那两个串联的稳压管吗?
lilstu
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好帖,学习学习,最近正为IGBT全桥驱动烦恼
nz4298
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助理工程师
  • 2015-10-16 17:34:48
 
您好,搞不明白,门级与源级并联两个相对二极管的作用,您能解答下吗?
budaoweng6789
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  • 2015-10-16 20:48:35
 
稳压管。
nz4298
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助理工程师
  • 2015-10-30 10:38:55
 
两个相对二极管是如何稳压的呢,求解答
budaoweng6789
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LV8
副总工程师
  • 2015-10-30 19:35:00
 
稳压管就属于二极管了。
sunpower006
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高级工程师
  • 2015-11-1 19:37:47
 
那是瞬态抑制二极管,起保护作用的
nz4298
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  • 2015-11-3 10:04:29
 
哦哦,这两个二极管是属于稳压管,那是为了抑制在什么状态的纹波或尖峰呢?谢谢
budaoweng6789
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LV8
副总工程师
  • 2015-11-3 19:45:46
 
针对输入的驱动电压不能超过管子的最大驱动电压
nz4298
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  • 2015-11-10 13:48:33
 
哦哦,看到稳压管就懂了,谢谢指导
dxb0469
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  • 2012-4-11 21:47:07
 
搬个板凳听课
starcool
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  • 2012-4-11 21:55:21
 
占位听课,
liyonghe
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  • 2012-4-11 22:12:27
 
听课
DAXSX
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  • 2012-4-12 09:18:44
 
好贴 共享一下saber的那个图吧
zcyzvs
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  • 2012-4-12 09:52:35
 
我整理完毕就发上来的
FreeLee
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  • 2012-4-13 15:29:18
 
感谢
zcyzvs
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  • 2012-4-12 09:51:26
 
第五种驱动电路:(IBM-6KW的电源驱动电路图)波形不错,真正的负压

驱动电路五-IBM电源驱动.zip
zcyzvs
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  • 2012-4-12 12:57:53
 
这个驱动电路经过反复仿真,参数调整修改,波形比较的理想,负压非常的好,无需外加负压电源,这种驱动电路对IGBT和MOS应该说是通杀的。
开开鼠
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  • 2013-4-28 08:47:44
 
波形弄不出来啊
真武阁
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LV8
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  • 2013-8-13 08:19:29
 
RC时间常数太小了,Q7没起作用,R21建议数百到数k,C30可以去掉,直接利用MOS内部的ciss,一般都会有数百个p,边调整R21参数边观察波形,以上升沿的刺刚好消隐为好,要注意过度延时会使死区变大
开开鼠
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  • 2013-8-13 08:29:20
 
嗯,谢谢大师的赐教啊,受益匪浅,能完全的消除米勒平台驱动波形将会变的非常漂亮。
不过我目前驱动电路已经改掉了,占空比比较小的都不用这个电路了,这个电路在占空比可调的地方病没有什么优势。
inocencelove
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副总工程师
  • 2014-9-8 22:15:39
 
请问兄台 可以分享下 占空比较小的驱动电路不 现在正在做可调电源 发现占空比小的时候 驱动负压就很小 甚至没有了 (驱动IGBT)
真武阁
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副总工程师
  • 2012-4-17 18:56:30
 
这个看样子关断比开通还要慢,有500nS左右,MOS会很烫吧
zcyzvs
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  • 2012-4-17 22:22:56
 
,这个电路稍稍改一下,关断的时候是通过那个PMOS的体二极管放电的。实际估计关断速度在150ns以内的。
真武阁
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副总工程师
  • 2012-4-19 18:10:24
 
150nS太保守了,实际上二极管和三极管做关断没有什么区别,关断可以做到<100nS(驱动20A/600V左右的另外从你贴的这些图看,上升沿那个坎没有处理掉,这道坎也是相当致命的
zcyzvs
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  • 2012-4-19 18:43:40
 
那个开通的那个坎是米勒电容导致的,在zvs的状态下应该消失的,第一种驱动电路是搞掉了的,有大厂的通信电源用这个电路,但是我觉得也不是很好的电路,大师赐教啊,我知道你对驱动很有研究的啊。
真武阁
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  • 2012-4-20 09:30:00
 
大湿
硬半桥或LLC轻载这个坎就出来了..第一种我没试过,倒是最后一种(沃尔曼?)可以有效处理掉

但这种处理方法会使死区变大
zcyzvs
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高级工程师
  • 2012-4-20 11:08:42
 
你这个开启的那个坎处理的不错的啊,波形比较的漂亮的,能分享下你的驱动电路不?
真武阁
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  • 2012-4-20 15:10:47
 
就是你47楼的那个沃尔曼,去了s-g那个电容
roc171
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  • 2013-4-29 11:50:11
 
死区为什么会变大呢?
真武阁
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LV8
副总工程师
  • 2013-8-13 08:27:45
 
这个电路实则是一个延时,延时过度的话会挤占有效占空比,相当于是死区变大了
mysheep251
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LV6
高级工程师
  • 2013-12-30 20:04:31
 
您好,我在用第五种驱动时出现点问题,想请教一下。
这是我开关管上的驱动波形,发现负压很低,然后我看了PMOS的驱动波形
这是PMOS的VSD波形
图中圈内的电压为什么这么低呢?请大师指导,谢谢


qw110422
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助理工程师
  • 2013-8-21 10:21:43
 
大师,没有接负载。这个坎也存在呀!我的是变频调占空比的,不调整这个参数还好,调整了,波形就差了!求指教。
zcyzvs
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LV6
高级工程师
  • 2012-4-20 13:59:12
 
既然大师觉得关断速度慢了,再次修改仿真电路,仿真电路中的MOS是IRFP460,在提供负压的基础上,加速关断,此次加速了447ns的速度,就是说,假设以前的关断时间是500ns,那么加速后关断时间为53ns,还请大师告知开启的那个坎如何搞掉呢?
这个电路的优势:
1. 拥有负压,不需要搞辅助电源提供负压。因为拥有了负压,大大提高了驱动的抗干扰 性,使得整机的可靠性大大提高。
2.优化了关断速度,MOS一般需要的是慢开快关,关断速度理论上可以提高到100ns以内。
3.驱动变压器的的副边加了个RC滤波,可进一步提高驱动的抗干扰性。
缺憾:开通的那个坎没有处理掉,大师的坎处理的很完美的,这点还请大师指点下。
zcyzvs
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高级工程师
  • 2012-4-20 14:25:29
 
再次修改电路加了一个阻断二极管,仿真显示可以提高关断速度,显示再次提高了197ns
见下图,(缺憾,驱动电路设计的复杂了点的,但可以肯定,做为IGBT的驱动非常的合适)
zjnuzzl
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初级工程师
  • 2012-7-24 16:50:02
 
楼主,能把这个电路附件传上来了,想变化参数仿真看看,对IGBT的驱动是否理想。邮箱:zjnuzzl@126.com 谢谢啦。
zjnuzzl
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LV4
初级工程师
  • 2013-4-7 21:16:14
 
楼主,看你的这个波形,感觉还是有误导通的危险呀。有没有办法把这个电压去掉那?见图,圈出部分。
zjnuzzl
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LV4
初级工程师
  • 2012-8-2 15:06:53
 
真武阁,你好。这个驱动的负压(Vgs<0),怎么形成回路那?原理分析,没有形成回路么.拿变压器副边高边的来看,当下正上零时,红圈mos管截止,电压都加在了红圈mos管的s级,没有形成电压回路,那这个后面Vgs负压怎么来?

真武阁
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  • 2012-8-2 17:20:19
 
MOS体二极管过来的
zjnuzzl
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LV4
初级工程师
  • 2012-8-2 19:10:58
 
嗯,谢谢真武阁,哈哈
zcyzvs
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高级工程师
  • 2012-8-11 15:38:53
 
mickey0927@sina.com
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本网技师
  • 2013-9-5 23:06:37
 
可否推荐一个PMOS管的型号。我用移相全桥,做27V 100A的输出。MOS管用的是英飞凌的C6系列。或者这种PMOS管在选型的时候要注意哪些参数。谢谢
lb688
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本网技师
  • 2012-4-19 12:57:53
 
好帖,顶一个。
zjnuzzl
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初级工程师
  • 2012-8-2 11:13:13
 
没搞明白驱动的负压是怎么来的,后来看了MTD2955E-TMOS EFET的datasheet,发现它有体二极管的。楼主,这个提供负压的回路是靠这个体二极管么??
zjnuzzl
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初级工程师
  • 2012-8-2 15:05:07
 
你好,这个驱动的负压(Vgs<0),怎么形成回路那?原理分析,没有形成回路么.拿变压器副边高边的来看,当下正上零时,红圈mos管截止,电压都加在了红圈mos管的s级,没有形成电压回路,那这个后面Vgs负压怎么来?
zhijie240
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高级工程师
  • 2013-3-18 23:33:54
 
好东西啊~~!


多谢楼主!
司马仲达
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LV10
总工程师
  • 2014-11-14 15:21:04
 
请问这里PMOS型号能推荐个吗 ,电容 和G串的电阻取多大?谢谢
hnxtlwd
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本网技师
  • 2015-6-1 12:26:07
 
大师你好,我在测试这个IBM驱动电路时,发现负压很少,主要原因有哪些方面啊,谢谢
168ping
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副总工程师
  • 2012-4-12 16:22:23
 
感谢楼主!
zcyzvs
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高级工程师
  • 2012-4-12 18:13:30
 
期待大家讨论,提出修改意见,还几种电路我没有实际测试波形,希望有条件的朋友帮忙测试波形,完善本帖。
副边电容耦合性驱动不建议使用,关机的时候驱动电压不能快速规零,存在隐患。
再次说明,驱动很关键,尤其是大功率的桥式驱动更关键了,抗干扰能力,关断和开通速度,EMI等,这些将决定您的产品得可靠性。
仿真的源文件已经上传,有兴趣的可以仿真看看,仿真波形和实测波形基本一致,在仿真的时候变压器一定要设置有漏感的,否则仿真的波形很完美,而实测的就很差的。
wangriming
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LV3
助理工程师
  • 2012-4-13 13:57:30
 
搬个板凳占个座。
FreeLee
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  • 2012-4-12 19:25:55
 
蓝蓝的天
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高级工程师
  • 2012-4-13 16:07:36
 
给力!
zcyzvs
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  • 2012-4-14 15:20:31
 
谢谢李工的关注,还请你赐教献宝啊。
printemps
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  • 2012-4-16 11:09:24
 
关注
aweit2010
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本网技师
  • 2012-4-17 18:27:33
 
楼主可不可以把仿真配置参数文件一块上传,初学saber仿真,有很多地方不会设置,多多请教了!
huwei_harry
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助理工程师
  • 2012-5-6 22:00:48
 
学习ORCAD应该一样吧,也可以仿真的吧!
fugems
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LV8
副总工程师
  • 2012-4-17 20:10:05
 
兄弟,你分析得很给力哦!
zcyzvs
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高级工程师
  • 2012-4-17 22:23:48
 
大哥,我只是搞了个皮毛的,你要多多指点小弟啊。
heiyang
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助理工程师
  • 2012-4-18 09:32:19
 
好帖!收藏了!
aa1006610071
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高级工程师
  • 2012-4-18 21:27:10
 
猛贴啊!关注中
zcyzvs
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高级工程师
  • 2012-4-19 17:53:06
 
驱动变压器原边感量和频率有一定的关系,理论上原边的电感量越大越好,所以很多人设计驱动变压器选择高导的磁环或者高导的铁氧体,原边感量大,驱动波形会好看很多的,单感量不可过大,根据工程上的一些经验,一般感量和频率的关系如下:
工作频率(KHZ):10-100 ,初级电感值(mH):2-4
工作频率(KHZ):100-300 ,初级电感值(mH):0.5-2
工作频率(KHZ):300-500 ,初级电感值(mH):0.05-0.5
powercheyne
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高级工程师
  • 2012-4-20 20:35:29
 
大师,看了你的帖子,请教个问题,为什么全桥驱动有的在三极管上都并有二极管?而你的却没有并?二极管是必须的吗?如下图:


dianznengyuan
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高级工程师
  • 2012-4-22 17:31:53
 
那是钳位二极管,对减少驱动波形的尖峰有一定帮助。
powercheyne
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高级工程师
  • 2012-4-23 18:39:43
 
如何减小尖峰的?能否给个详细的解释?我一直认为这个二极管是必须的,谁知道有人说可以不要,但书上或者具体应用上都是有的,很是疑惑。
zcyzvs
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高级工程师
  • 2012-4-23 20:19:49
 
具体应用不见得都要有的。
首先要明白两个二极管的作用的。
D6,D7的作用是提供去磁回路,辅助功能是防止Q2,Q4的反向电压尖峰过大。故这个两个管子是必须的。
D3,D4的作用是防止Q1,Q3的正向电压过大,如果超过VCC电压就会把电压钳位在VCC电压,事实上,Q1,Q3的耐压在设计的时候基本都会选择在30V以上的,那么这个两个二极管是可以不要的。我实际电路也是不要的。
当然如果你是用驱动芯片替代那个4个三极管的话,建议还是要的,通常驱动芯片比较的脆弱的,且最好是可以在二极管那里串联一个10R作用的电阻,可以起到更好的钳位作用的。
这些都是工程上的实际经验,写书的肯定是要加的,所谓书呆子电路,哈哈!
powercheyne
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  • 2012-4-23 21:28:03
 
大师,所谓用二极管去磁,完全没有必要,好象论坛里专门有个讨论帖.有没有作用,大师拿掉再仿真下看看.
zcyzvs
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  • 2012-4-23 21:40:27
 
我不是大师,请不要给我加这个光环的啊,您会把我压趴下的啊,大师都是浮云的。
我仿真去掉后,波形是没有变化的,但是我还是喜欢把他加上的。心理安慰?应该不是的。
jackzeng788
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  • 2012-4-26 11:25:54
 
兄弟:我觉得你这个贴非常好!大功率电源的驱动真的很重要,我也是用变压器做驱动电路的,一般都是硬半桥和LLC,我现在正好有个问题,希望你能给我分析一下,如下:
我做了一个900W的电源,硬半桥的,驱动用了一片MIC4424来做电流放大,接驱动变压器原边,串了一个105/100V的电容.这个芯片应该很常见吧,估计你也用过,它里面也是有那4个钳位二极管的,上次生产了2000台,生产反馈坏了50多片MIC4424,我测了VCC电压15V很稳,驱动变压器用的5K的磁环,原副边都22匝,感量1mH,漏感1.5%.还没找到问题,芯片是正品,而且只烧芯片,半桥MOS没坏.你说会是什么原因引起的呢?
zcyzvs
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  • 2012-4-26 11:39:01
 
MIC4424强烈建议用12V供电,且要用个13V的稳压管在VCC哪里,这个我也是遇到过的,用15V供电会坏的。
jackzeng788
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初级工程师
  • 2012-4-26 14:12:14
 
你的意思是VCC电压过高导致的,但是芯片资料上最大电源电压是22V啊,而且我的VCC用的是辅助电源提供的后面还有线性稳压,会不会还有其它原因呢,你也遇到过这个问题啊!你当时坏芯片就是VCC引起的吗?另外这个芯片输出要不要接钳位二极管呢,我没加!谢谢你的回复
zcyzvs
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  • 2012-4-26 14:26:35
 
供电部分电路需要这样的处理

zcyzvs
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  • 2012-4-26 14:27:38
 
驱动芯片的外围电路需要这样接比较稳妥。
ciwei
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  • 2012-5-24 09:30:31
 
我做的是半桥电路,上传一下我的驱动波形和驱动电路,貌似跟大师给的电路很相近,初做电路,求大师指点,加主电后,在一个驱动拉低时,另外一个驱动会受到影响,不知道是什么原因,求解!驱动波形.doc
ciwei
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  • 2012-5-24 09:32:46
 
驱动波形.doc
我做的是半桥电路,驱动跟您的貌似一样,试验中发现一个管子的驱动会受另一个影响,其中一个关断时,另一个会有短暂上升沿,如何消除?谢谢
zcyzvs
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  • 2012-5-24 20:08:44
 
增加RG电阻,那个干扰会减小或者消失的。但开通速度会变慢的。
最好的还是用我最后仿真的那个电路。
rj44444
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  • 2013-4-15 10:26:58
 
好贴,虔诚地学习
qw110422
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  • 2013-8-16 16:14:06
 
UCC27524呢?一样的烧芯片!
决战
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  • 2012-4-29 18:17:52
 
请问那个驱动的尖刺到底怎么减小的,还是没弄明白。
zcyzvs
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  • 2012-5-2 22:39:00
 
看看最后的那个仿真电路啊,呵呵。用负压淹死它。
zjnuzzl
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初级工程师
  • 2012-7-30 19:03:06
 
zcyzvs,D6,D7能防止Q2,Q4的反向电压尖峰过大。这个过程是怎么样的那??
zhuyibo
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  • 2013-4-9 18:36:13
 
请问D6,D7实现去磁的过程是怎样的,多指教~~
she0800
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  • 2012-4-26 17:08:59
 
给力
陈永真
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  • 2012-4-26 18:43:21
 
死区时间管子是什么状态?值得疑问。
从仿真结果看,比较恐怖。如果不是隐瞒了什么东西,肯定会穿通。看来是留了一手。
zcyzvs
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  • 2012-5-2 22:38:23
 
陈教授,这个电路没有留一手的啊,实际量产的很多都是这样干的呢,呵呵,在ZVS状态下,其实尖峰会不见得。
zjnuzzl
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初级工程师
  • 2013-4-10 10:58:45
 
陈老师,你好,我也觉得仿真中,导通前的正电压平台比较危险,请问你认为有什么好的办法解决?谢谢
waterayay
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  • 2012-4-28 21:41:08
 
占位~~
aa1006610071
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  • 2012-5-1 22:49:13
 
感谢!拜读中
liyonghe
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  • 2012-5-2 22:41:25
 
好贴,仔细研究
zhangjinxing
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助理工程师
  • 2012-5-3 13:06:06
 
经典啊,学学习啊。那个死区时的台阶和励磁电流有关吧。当处于死区时,驱动变压器要通过次级续流啊,来维持励磁磁动势不变。
chongren
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本网技师
  • 2012-5-3 23:04:55
 
mark。。。。
静心
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  • 2012-5-4 14:23:44
 
很不错的贴,学习了,感谢。
jiajunzoo
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初级工程师
  • 2012-5-5 13:48:25
 
学习了。支持一下!
zyl378200378
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本网技师
  • 2012-5-7 16:43:36
 
顶一下,还不会玩这些,
sjl1522459
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初级工程师
  • 2012-5-9 20:25:25
 
谢谢分享,学习了!
huyitao
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  • 2012-5-13 17:13:09
 
请问大师这一块电路是怎么工作的,是如何加速关断的,不是很懂,多谢指教啊!!

zcyzvs
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  • 2012-5-13 20:50:34
 
异名短电压上升的时候,通过二极管整流后给加速关断MOS一个驱动电压,MOS导通,降主功率MOS的驱动电荷瞬间拉到0V,回路面积最短,所以关断速度非常的快。
次电路实测关断速度很快,我有样机测试,目前尚未有问题,但也是有隐患的,死区时间内的电平不能被牵制在0V,有共同的潜在隐患。大厂的通信电源和电力操作电源有在使用此电路。
huyitao
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  • 2012-5-14 13:29:47
 
懂了,多谢大湿指教!对了,在请教个问题,这几种驱动电路最常用的,安全性能最高的是哪个?
zcyzvs
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  • 2012-5-24 20:09:24
 
安全性最高的还是最后那个IBM军舰电源驱动。
huyitao
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  • 2012-5-28 09:38:52
 
嗯,非常感谢!
lizlk
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  • 2012-7-30 21:02:04
 
是62贴的那个电路吗?
我想请教个问题,就是如果占空比大幅度变化的时候,驱动BUCK MOSFET,用变压器驱动可以不?这个驱动变压器该如何做呢?
bkq7758
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  • 2012-7-24 19:24:35
 
好贴 占位
zjnuzzl
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  • 2012-7-31 11:16:18
 
请问楼主用的是哪一版的saber?
preciable
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  • 2012-8-4 12:38:06
 
写的真不错,受益匪浅
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  • 2012-8-14 15:06:13
 
感谢楼主
lesonlee
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  • 2012-8-23 18:04:50
 
磁芯驱动器:可靠,电路简单。没有瞬态反应问题,没有直通,可以单脉冲,简单,输入需要轨-轨电压。

ailipingkl
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  • 2012-8-24 11:23:40
 
受教,仔细消化下
qw110422
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助理工程师
  • 2013-8-15 15:31:37
 
对管烧了一个就会直通的。用27524驱动,容易烧掉一路,然后就炸管。这里不好做保护啊!
ningxiao913
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助理工程师
  • 2013-1-17 17:26:27
 
好贴!站位学些!
阿蛮
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本网技师
  • 2013-1-17 17:30:32
 
谢谢分享!每次看您的帖子和大神们的回帖分析都受益匪浅。
andywang
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  • 2013-1-17 17:48:13
 
piupiu
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初级工程师
  • 2013-4-8 00:10:36
 
仿真是用labview做的吗 用cadence行不
zrk787
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  • 2013-4-8 06:55:25
 
请问楼主是用什么仿真软件?
zhuyibo
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助理工程师
  • 2013-4-9 18:12:01
 
请问驱动变压器原边两颗二极管有什么作用,为什么还串个电阻??谢谢
小工
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本网技师
  • 2013-4-12 18:31:06
 
学习了
开开鼠
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副总工程师
  • 2013-4-12 20:07:50
 
应该是驱动波形电压箝位的吧,磁复位应该不需要吧
lansemoying
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高级工程师
  • 2013-4-15 10:50:51
 
學習了,還不會仿真
w137155390
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  • 2013-4-15 12:49:25
 
很好很强大,学习了
waterayay
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高级工程师
  • 2013-5-11 00:35:06
 
wxyy_520
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高级工程师
  • 2013-5-14 09:19:24
 
如何控制变压器驱动的死区时间问题呢? 没经过变压器驱动前死区500ns 经过死去时间后,死区时间还有多少呢?,如何控制?
wxyy_520
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高级工程师
  • 2013-5-14 09:40:29
 
请问版主,在61帖中的电路,加速关断的PNP三极管中,那两个二极管的作用是什么?不加会不会有影响?
真武阁
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副总工程师
  • 2013-8-13 08:14:41
 
没有二极管的话负压就被吸收掉了
yangmingjun
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本网技师
  • 2013-6-4 16:14:42
 
好帖!学习了
wesleylele
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助理工程师
  • 2013-6-4 22:46:37
 
好帖子
not2much
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副总工程师
  • 2013-6-5 02:08:05
 
楼主辛苦了
inocencelove
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副总工程师
  • 2013-6-5 14:17:35
 
学习中 好帖子
wcs1281574636
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初级工程师
  • 2013-6-25 20:47:17
 
标记下,慢慢学习。
basso
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  • 2013-9-6 13:56:49
 
me too ~
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本网技师
  • 2013-8-9 15:47:09
 
请问LZ图腾柱上面的两个电阻和二极管起到什么作用呢??
baigang
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  • 2013-8-21 15:58:19
 
做个记号以后用的着
tlc0927
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  • 2013-12-31 08:52:30
 
驱动电路一直很头疼,今天好好学习了
survive
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助理工程师
  • 2014-1-15 16:42:10
 
楼主,我看所有的驱动方式都是正负20V,对称的。假如我的MOS负压只能承受-10V,我想做+13V,-5V的驱动,该如何改呢?求指点
xinzhixin
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LV3
助理工程师
  • 2017-3-16 13:37:27
 
Survive兄,有做出来这样的电压驱动吗? 目前市场的SIC类型的MOS管负压最大只有-9V, 普遍-6V的负压,做出+13v,-5v的隔离驱动很有必要,希望可以分享,如何实现?
何仙公
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版主
  • 2014-3-5 23:16:08
 
楼主辛苦了
swz
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LV3
助理工程师
  • 2014-3-7 15:12:38
 
挺好。。。。。
小宝12733
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本网技师
  • 2015-6-25 17:19:36
 
好帖
rensheng
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高级工程师
  • 2015-7-18 19:01:22
 
谢谢楼主,收藏了,慢慢看。
能源消耗
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LV8
副总工程师
  • 2015-10-17 11:12:41
 
楼主的精神可敬.   仿真与实际电路应用差别很大,  仿真只是用来验证设计的可行性,  

本人有2种  隔离驱动  无损耗驱动   波形整形 加速电路,  特点是无损耗(2mA), 可驱动频率高, 关闭速度快(50-80nS),波形整洁,带管(mos能力强.
电路简单.

这是我通过摸索1段时间,设计出来的,一直在产品上使用,,很想拿出来晒晒,  还是让识货的同行们自己去验证吧
1种是 单驱动,  1种是双驱动(桥臂).   
zcyzvs
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高级工程师
  • 2015-10-17 19:36:20
 
谢谢分享,可惜你的图挂了,没有传上来的。
budaoweng6789
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LV8
副总工程师
  • 2015-10-17 21:56:44
 
是呀,图呢??
大胡子909
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本网技工
  • 2016-9-20 22:08:20
 
谢谢分享
zm77
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高级工程师
  • 2017-6-5 11:30:57
 
感谢楼主的分享!路过、留名
parry_2000
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副总工程师
  • 2017-7-20 22:42:25
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感谢~
zm77
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高级工程师
  • 2018-4-8 11:31:56
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好帖不能沉 再顶顶
小丫子sn
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助理工程师
  • 2017-6-28 16:33:50
 
好贴,受益匪浅。。。
aihe
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本网技师
  • 2017-7-19 12:05:24
 
楼主的电路如果驱动变压器分成两个是不是效果会更好些?
mos364903214
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本网技工
  • 2017-7-19 13:57:15
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不错
linhainpu
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  • 2020-5-8 20:17:08
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好贴,受益匪浅。。。
yueer99
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高级工程师
  • 2020-7-29 17:05:53
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感谢分享,学习了!
hemit
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  • 2020-7-30 11:03:32
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zsqlaoer1
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  • 2020-7-30 13:42:06
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十月的皮皮
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