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| | | | | | | | | CH1:VGS
CH2:VDS
图1
图1是母线1000V;满载(24V/1A)
可以看到,上管已经不开通了;Vds很难看了
图2
图2是母线700V;满载(24V/1A)
开通有尖峰,Vds有缺口
图3
图3是母线750V;满载(24V/0.4A)
开通有尖峰,死区时间的电压超过了5V
Vds有缺口 |
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| | | | | | | | | | | | | 一开始我怀疑是因为IC直接驱动,没有加推挽管,电流驱动能力不够。
但是后来测过驱动变压器的的原边电流,在200mA~300mA左右。
而UC3825的峰值电流在1.5A,所以是不是可以排除驱动能力 |
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| | | | | | | | | | | | | | | VGS那个剑锋看样子是漏感所致,可以再变压器副边做些吸收处理....你这个驱动也太简洁了
"驱动变压器的的原边电流,在200mA~300mA左右"这个是指峰值还是有效值? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 是峰-峰值,是比较简洁,也是第一次做半桥,咩什么经验,呵呵。
请问下怎么做“吸收处理” RCD吸收??? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 另外还有个问题想请教下 真工
我这个MOSFET的VGS最大是+20V~-20V
我把MOSFET前后的钳位二极管删掉后
(没有删掉前驱动波形更难看,在18V以上的驱动能量被钳位二极管吸收)
可以看到在1000V下驱动电压已经超过+20V~-20V,这是哪里出了问题? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 在vcc合适的情况下调整一下匝比看看
如果变压器副边电压和嵌位不匹配的话,加二极管会造成较大的损耗 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 还有就是这个驱动变压器漏感要尽量的低,电感量和工作频率匹配 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 真工,其实这个匹配很难理解,能解释下吗?
1、“漏感要尽量的低” 是不是改“三明治”饶法?
2、我驱动变压器1:1:1绕的,电感量在564uH左右,工作频率在25kHz,应该怎么匹配。
我在做之前,查了下资料,只是满足了不饱和,匹配这个问题没怎么考虑 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | VCC在16~19V
驱动变压器15:15:15绕的,你的意思是 15:13:13这样的?
但是你看图1,有没有可能是在1000V的情况下,只有一个管导通,才使得VGS超过20V |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 564uH跑25k电感量显然小了,实际波形也显示了这个问题:后沿下降的比较多,1mH就合适了,匹配的变压器副边电压应该接近匝比*VCC(后沿)
原理图太模糊了看不清MOS型号和栅极电阻,把栅极电阻弄大点试试,记得电感量也弄大点 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 谢谢真工
频率和电感是怎么一个匹配关系?不是应该和MOSFET的Qg一起考虑吗?
这个MOSfet是2SK2225,栅极电阻10欧姆。
“匹配的变压器副边电压应该接近匝比*VCC(后沿)”这个没看懂 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 真工,非常感谢。
你提的意见,我马上去试试。
我下午自己重新绕了下驱动变压器,匝比20:20:20,下降沿有改善 |
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图4
800VDC,24V/0.5A
栅极电阻增加一倍,20R
死区时间的斜率下降了,但是驱动波形变形
图5
800VDC,24V/0.5A
这个是原始的波形 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 忘了叫你在栅极电阻上并个二极管,栅极电阻可以用到47欧
变压器有没有三明治?一三层次级,第二层初级 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | “栅极电阻上并个二极管,栅极电阻可以用到47欧”
二极管如果不串电阻的话,管断时间很快吧
你说的是这个图吧
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