| | YTDFWANGWEI- 积分:109871
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| | | | | | | 最高36V,加上输出5V反射到初级上的电压约为9V,所以平台电压45V |
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| | | | YTDFWANGWEI- 积分:109871
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积分:109871 版主 | | | | | C用103,R用3-5.1K左右,D用100V肖特级试试. |
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| | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109871
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 眼镜丢公司, 叭在屏幕上看贴看走眼了, 还以为问的是RC吸收 |
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| | | | | 兄弟,我有一个关于RCD的计算EXCEL表格,回头发给你,在我自己的电脑上。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | VINmax+2*n*Vo=36+2*1.8*5=54,针对我这个,意思是耐压大于54V就可以吗? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我看龙兄的那个表格里是这么说的,英文也不太好,你再看看是不是这么个意思?你感觉去多少合适? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 龙兄的那个表格里的Vsn是用户自己输入的,没发现要求等于反射电压的2倍 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 好像看到资料上说过~有时候用稍慢点的~能把部分漏感能量传到副边~ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 0恢复电荷考虑,表格算出来的泄放电阻阻值偏小,实际电阻阻值都比计算值要大,因为二极管的恢复电荷会将吸收电容的电荷释放回线圈 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 按王工的数据,R=3K,C=103,D用100V肖特基,测得峰值电压74V,很有效,降了40V
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| | | | | 这个真不好说,我一般都是乱搞,EMI过了就行,C从101到103 D一般用4007 电阻K的乱搞,到测试的地方慢慢的去调,记得C不要太大 |
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| | | | | | | 4007为普通的二极管,耐压1000V,也就说,RCD中的D的耐压只要高于尖峰电压就可以?C的大小决定其吸收电压的多少,而R主要是把吸收到的一部分给消耗掉,不知道这样理解对不对? |
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| | | | | | | | | 顶楼耐压100V的MOSFET测出113V的电压尖峰,不奇怪? |
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| | | | | | | | | | | 我们做模块电源,所以频率都很高,至于那个113V的尖峰,我不知道哪里出问题?请大哥指点下 |
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| | | | | | | | | | | | | MOSFET耐压正温度系数,二极管漏电流正温度系数,比较看好↓MOSFET耐压余量↑二极管耐压余量。 |
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| | | | | | | 楼主的开关频率都400kHz了,还用1N4007? |
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| | | | | | | | | 这个D应该与我的开关频率有关吧?那4007用在低频的有没有问题 |
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| | | | | | | | | | | 有发现RCC的DRC用错成1N4007,满载开关频率不↑100kHz,结果老化后烧黑 |
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