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| | | | | 大神,有点疑惑,下公式是张兴柱老师推出的推挽电压小信号传递函数。按这个计算你这个例子的控制到输出的直流增益:20LOG(2*12*40)-20LOG1.8=59.6-5.1=54.5db.而仿真的结果是47-48db左右。是不是这个公式分子多了个2? |
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| | | | | | | | | 大神好,我改了一点,仿真后的补偿波特图就是不对,找不出原因,请帮我看看
push pull wu.zip,我仿真的结果,补偿为单极点补偿,补偿低频段应为20DB,仿真的是-10DB,差了好多
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| | | | | | | | | | | 你可以将补偿做下改动,然后再看下效果。以前有碰到过这种情况。 |
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| | | | | | | | | | | | | 大侠帮我看看好不,我把补偿电容改成4.7N也一样,改成如下图这样也不行 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 大侠,上图的补偿电路的传递函数是{100K//C2}/R6 吗? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 仿真可以帮助你理解这个问题
B到A的增益,直流计算结果为 仿真结果如下,二者是匹配的
C到A的增益= |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 5楼是我仿的一个实际电路,就主芯片不同,用的SG3525,电压控制。跟用这个1825差不多吧。按5楼仿真的结果穿越频率只有100HZ,这不对吧 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 如何判断对与不对? 仿真结果是否正确取决于模型的精确程度,
1. 是否有对比过1825和3525的参数呢 ;
2. 电容的ESR是多少呢 ,100mohm是如何得出来的呢 ;
3. 真正的电路的环路结果需要环路分析仪测试的 ,动态响应的结果如何呢;
如果simplis的结果和计算的结果基本一致,那说明你的理论结果没问题,至于最终的结果,需要实际的测量。如果动态没问题,通常也没问题。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 1 都工作在电压控制模式,1825和3525的锯齿波峰峰值也差不多
2 电容用的是红宝石的,330UF 200M欧 标准的C*ESR=65U。现在的穿越频率远小于ESR零点
3
公司小,买不起环路分析仪.对于动态响应测试不了解。希望大侠能详细说下怎么测 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 关于相位:Simplis显示的是-180deg到+180deg,假设一个值为-330deg,在图上显示为30deg(-330+360=30deg)。 |
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| | | | | | | 分子不是多了个2,是对的,d 是单个开关管的占空比,
反而觉得doaer兄弟的Gvc(s)公式里,分子少了一个2。 |
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| | | | | | | | | 关于这个2,当时我也颇有疑惑,根据张博的推导,始终和仿真结果不匹配,如下所示,
去掉2后,结果如下:
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| | | | | | | | | | | D=Vo/(Vin*N*2),Gvd(0)=Vin*N*2,
所以 Gvc(s)=Vin*N*2*( ...)*Fm 是没有问题的,问题出在Fm里,
Fm应该=0.5/1.8V,不是1/1.8V,因为控制电压vc=1.8V时,D才等于0.5。 |
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| | | | | | | | | | | | | 从一个Mosfet的导通角度来看,确实是这样的。
如果将push-pull等效为一个buck(单一mosfet),则表达式中2不出现。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 不管怎样,写成 Gvc(s)=Vin*N*( ...)/ Vsawtooth 就一定没问题。 |
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| | | | | | | | | | | | | 请问greendot大师,doaer使用的补偿网络计算方法,出自于Venable的Kfactor最优补偿,关于这个算法是怎么推导出来的呢?不知您有没有相关的资料,我查了下Venable的1980年关于补偿网络的论文也没有提到这种计算方法。还请指导下,谢谢 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 这个文章我也看了,只是给出了如何根据期望Fc和Phase Margin求出相应的补偿网络参数,我想问的是,这些计算公式是如何推导出来的? |
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