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高频变压器Z型绕法真能减少分布参数的损耗?

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晶纲禅诗
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  • 2012-6-27 22:04:17
换言之,Z型绕法是否适合任何尺寸形状的多层结构的绕组?
Coming.Lu
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  • 2012-6-28 07:53:49
 
Z型绕法是可以减少的,只是这样变压器厂不愿给生产。
现在就连层间加胶带,变压器厂都说麻烦。
晶纲禅诗
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  • 2012-6-28 08:13:06
 
现在的企业都有点急功近利。
Coming.Lu
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  • 2012-6-29 07:48:53
 
现在都这样,做的东西有点麻烦,就叫上天去,漫天要价。
庞展
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  • 2012-7-5 22:29:37
 
现在人工难找,加一个工序,最起码得加人加成本,我们天天说工资低,人家也要开这个岗位的工资,所以加钱很正常。
long223349
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  • 2014-11-2 19:30:40
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long223349
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  • 2014-11-2 22:13:34
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蒋江黔
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  • 2012-7-12 09:18:55
 
主要还是银子的问题吧, 呵呵
晶纲禅诗
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  • 2012-6-28 08:17:15
 
重新说明一下:这个帖子的主要疑问是:不管任何形状与尺寸的多层绕组,只要是2层以上的线包,Z型绕法的分布损耗是否一定比普通绕法的小?
乞力马扎罗的雪
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  • 2012-6-28 09:33:32
 
Z字型的绕法有其自身的问题。
例如,假如绕组线很粗,Z字绕法的空间利用率就太差了。
另外,Z字绕法只是能降低一点分布电容,对漏感该善没有帮助。对于常见规格的电源变压器而言,因为匝数不是很多,分布电容不大,也就没有必要用Z字绕法了。毕竟Z字绕法的工艺性差了,人工成本就上去了。
happjsh
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  • 2012-6-28 09:43:10
 
雪版主给力
特意向以前的一个同事要了这次深圳聚会的照片
看到了雪版主的丰采
晶纲禅诗
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  • 2012-6-28 09:49:06
 

感谢戴工的关注!
我也是在试单个变压器的 80KHz 14KV 绕组时隐约感觉在特定的绕组结构下,Z型还不及普通绕法,即[Z型后]线圈自谐振频率更低了,但还不能准确地肯定是[Z型]引起的。
greendot
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  • 2012-6-28 21:07:53
 
晶老师,肯定物理结构尺寸,层距,层间绝缘物料是一样的?
晶纲禅诗
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  • 2012-6-28 22:40:09
 
greendot 老师的质疑也正是我不敢[绝对]肯定的原因。
之前实验的线圈结构大小只能说[大致]一样,层间绝缘物料是完全一样的。
我已购买了直径60mm~90mm的PVC管,准备择时重试。
ericaxzh
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  • 2012-7-16 09:27:27
 
d4xzzyy
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  • 2012-7-5 14:21:30
 
楼上大哥这里说的分布电容主要是指同一绕组的匝间电容和层间电容?想请教匝间电容大小与什么参数有关,层间电容大小又与什么参数有关?最近在做一个多路输出的变压器,原边匝数很多,两层都搞不定,所以想请教如何减小分布电容,谢谢!
lansunhsu
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  • 2012-6-28 10:53:44
 
分槽的U型绕法,寄生电容更小啊!
lansunhsu
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  • 2012-6-28 10:56:48
 
关键是分槽怎么设置!挡墙多宽多高?
晶纲禅诗
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  • 2012-6-28 12:28:54
 
没说错!
但骨架问题比较难解决。
summer
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  • 2012-6-28 16:32:10
 
菜鸟关注
晶纲禅诗
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  • 2012-7-4 09:58:32
 
不算太精确的结果已出来:无论普通绕法还是Z型绕法,只要尺寸、匝数一样,在小信号前提下做自谐振频率的测试,差别是很小的! (个人觉得没啥区别! 当然实验有局限,结果供参考。)
但用于实际变压器中,Z型绕法损耗会小很多!尤其在升压比较高时(如高频高压5KV以上时),可测出Z型后原边空载会电流小很多!
看来Z型对性能的改善并不是因为[分布电容]减小了,肯定是还另有原因.....
lansunhsu
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  • 2012-7-4 12:06:45
 
在理论模型里面,积分计算的结果是Z型、U型绕法的寄生电容(动态电容)没有差异!
现实中有差异,是Z型绕法(顶端拉回线到底端)加大了略微增大了层与层之间的间隙。
greendot
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  • 2012-7-4 13:14:53
 
不会吧,理论计算,Z和C型的动态电容是3:4之比,整数层数计。
lansunhsu
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  • 2012-7-4 13:28:45
 
lansunhsu
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  • 2012-7-4 13:30:01
 
greendot
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  • 2012-7-4 13:57:55
 
粗略地瞄了一下,说是1:1的,在第几页?
lansunhsu
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  • 2012-7-4 14:18:39
 
没有说,我自己算了一下!
传说都是Z型比C型寄生电容小,但实验结果不支持。就按论文所列条件计算了一下,两者的动态电容是相等的。
greendot
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  • 2012-7-4 15:39:14
 
请教,可否看看您的计算?
lansunhsu
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  • 2012-7-4 15:45:05
 
兄弟,要信我!就是用两条直线方程的平方差积分。

greendot
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  • 2012-7-4 16:01:06
 
【两条直线方程的平方差积分】,我觉得应该是【差平方积分】,兄弟认为呢?
lansunhsu
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  • 2012-7-4 16:23:07
 
谢谢你的提醒!复习了功课,是先求差再平方。

lansunhsu
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  • 2012-7-4 16:28:19
 
现实中Z型绕法将线从顶端拉回到底端,略微增大了层与层之间的间隙。
实测效果,两者差异非常小。
lansunhsu
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  • 2012-7-4 16:01:45
 
公式不会算(或忘记了怎么算),可以用微分思想,将U/2分成1000等份,先求差,再平方,最后求和。
结论:C型与Z型寄生电容4:3。
d4xzzyy
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高级工程师
  • 2012-7-9 10:49:45
 
请教楼上兄弟提供论文所提的累进式绕法,实际中有采用的吗?我觉得很难, 分段倒还是可以
晶纲禅诗
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  • 2012-7-9 19:58:54
 
累进式绕法只在很久之前的电子管收音机中看到过。
在一般的开关电源中好象还未见到过。
d4xzzyy
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高级工程师
  • 2012-7-9 21:09:53
 
是在匝数比较多的时候绕的?我觉得那样绕下来也会很不平整,且不说加工本身的难度!
晶纲禅诗
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  • 2012-7-10 22:52:40
 
凭回忆匝数是不算太少的,绕在胶木骨架上,但是什么线圈,起何作用,就不清楚了。
还有一种蜂窝绕法,也是用来改善高频特性的。
d4xzzyy
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高级工程师
  • 2012-7-11 00:21:56
 
谢谢楼主,看来为改变高频特性,众人皆费尽脑筋啊!楼主帮忙看看下图,同是那片论文中的,不明白磁场强度为什么是按那样分布的?论文:“图2给出了2个实例,在导体部分磁场强度增加或减少,在层与层间的空间内磁场强度保持不变。”

晶纲禅诗
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  • 2012-7-11 22:25:37
 
我也见过类似的论文与示意图,我觉得原文要表达的意思是:原副边相距越近,传递耦合的能量越多,或原副边绕组最近处的传递耦合的能量最多。
d4xzzyy
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高级工程师
  • 2012-7-12 08:48:51
 
原文与你所说的意思是差不多,但它是从漏感的角度来说,来表明上图中的左边图绕制方式漏感更大,因为从H的分布可以看出,再根据下图的公式得到这一结论,只是我对于上图的H分布不是很理解。
晶纲禅诗
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  • 2012-7-12 09:30:36
 
也许翻译有笔误。
把图理解为:原边被副边抵消掉的磁场分布,这样可能会更确切些。
d4xzzyy
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高级工程师
  • 2012-7-12 10:46:24
 
谢谢楼主大哥,也许只能那样理解,
greendot
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  • 2012-7-12 16:17:23
 
磁场强度为什么是按那样分布的?
这是安培定律的结果啊。
特种电源
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高级工程师
  • 2012-7-12 17:54:08
 
..........在H.C.Oersted 电流磁效应实验及其他一系列实验的启发下 ,A.-M.安培认识到磁现象的本质是电流 ,把涉及电流 、磁体的各种相互作用归结为电流之间的相互作用”,提出了寻找电流元相互作用规律的基本问题。...........
d4xzzyy
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高级工程师
  • 2012-7-12 19:02:20
 
安培定律大家应该都知道,只是我不是很理解H为什么会那样分布。楼上大哥能帮忙细细分析下?Hl=Ni.
greendot
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  • 2012-7-12 20:35:31
 

在变压器上画一个环,如图的蓝加红线,
蓝线是在磁芯上,所以沿着蓝线的H近似零,
红线在线包里,沿着红线的H,叫它Hr,就是H分布的一个点,
由安培定律可知,Hr=N*I/h,
红线在不同的位置,N*I值就不同,于是分布图便出来了。
blueskyy
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  • 2012-7-12 21:02:21
 
来学习~
晶纲禅诗
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  • 2012-7-12 22:34:35
 
看了几遍,觉得 greendot 老师用这个公式来解释这个问题,好象有些不妥。
因没把原副边之间的交链互感作用反应在公式里.....
greendot
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  • 2012-7-12 23:30:25
 
这个解释是最‘经典’的了

晶老师的【原副边之间的交链互感作用】,是不是指原副边之间的正负磁场的相互抵消作用?
这个安培定律的公式里已反映了。
晶纲禅诗
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  • 2012-7-13 12:53:25
 
是的。
我再细细地理解一下。
blueskyy
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总工程师
  • 2012-7-13 08:05:33
 
同时也在您的下方对称地画出红线和蓝线框,红线部分重合。

从上层看,您画的红线处磁场记作Hr1,Hr1=N1I / h
从下层看,俺画的红线处磁场记作Hr2,Hr2=N2I / h
最后,红线处总的磁场是不是Hr=Hr1+Hr2 呢?
greendot
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专家
  • 2012-7-13 13:56:28
 
不是的,红线处磁场只有一个值,它 = Hr1 =Hr2
blueskyy
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LV10
总工程师
  • 2012-7-13 14:16:54
 
两个路径,各自包含各自的电流
在两个路径的交集处的磁场强度是不是:电流各自单独作用,在该处产生的磁场强度矢量和呢?请教老师 ~
greendot
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LV12
专家
  • 2012-7-13 15:09:57
 
我大概只能说:磁芯窗口内任何一点上的H,是所有电流元在该处产生的磁场强度矢量和。
这和安培定律没有矛盾。
lesonlee
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高级工程师
  • 2012-9-2 23:28:39
 
累进式绕法很理想,可是不知怎么绕。
我在日本进口的高压触发线圈中见到过,2000T,0.02线径松松绕制在不足10mm的磁棒上。性能真TMD好。一直在做梦能够在开关电源里实现。
cdzx11
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LV10
总工程师
  • 2014-8-23 14:31:00
 
蜂房线圈吧?
lansunhsu
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LV8
副总工程师
  • 2012-7-4 13:40:26
 
小电源的反激变压器上试验过,三层的,C型与Z型,EMI无明显差异;设法搞了个双槽Z型,EMI差异就大了。
greendot
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LV12
专家
  • 2012-7-4 13:30:05
 
哦,那电感呢? 测谐振频率的是什么仪器,测原边和副边有无差别?
方便量 一下原边和副边之间的静态电容?
晶纲禅诗
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  • 2012-7-5 11:05:24
 
非我亲自操刀实验测试,目前我只清楚变化趋势与结果,我能提供的是绕组层间分布结构示意图。

greendot
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专家
  • 2012-7-5 16:09:31
 
这样的结构,Z或C绕法,
该如何估算呢?
晶纲禅诗
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  • 2012-7-5 22:10:30
 
要找到准确的估算方法,肯定不太容易,呵呵...
我觉得1层与3层存在[直达]的电场,1层与2层或2层与3层的[段]与[段]电场是走[斜道]的.....
瞎猜瞎说了.....
分段实属无奈,因漆包线的耐压才500V左右。
greendot
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  • 2012-7-6 13:30:07
 
估算只能求诸FEA了。
也许Z和C绕法在这结构里,造成的小信号动态电容分别不大,
但考虑电场的分布,C绕法中的电场hot spot,应该比Z的强,
绝缘体受的’应力‘,比Z的大,如果达到危险值(如14楼提到的),
绝缘体的损耗会不会大增?如果会,则【
可测出Z型后原边空载会电流小很多】这结果的可能解释之一。
我也是瞎猜瞎说了。。
晶纲禅诗
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  • 2012-7-6 22:26:24
 
没有没有,greendot 老师的这个思路让我想起了高频AC 1000V 时就会产生的较轻微的电晕,只要有电晕存在,这时的“损耗”必大。而Z型绕法时,电晕强度要比C型小。
powercheyne
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高级工程师
  • 2012-7-15 09:22:32
 
好贴,学习.
lesonlee
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高级工程师
  • 2012-9-2 21:30:05
 
本来就各有利弊,讨论啥?
从本人来讲,已经不用Z型绕法。
晶纲禅诗
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版主
  • 2012-9-2 22:27:45
 
从[性能改善]与[制造成本的增加]的比值来说,小功率低压的高频变压器确实大都不用Z型绕法了。
但在高频高压时,情形就有所不同了。 常规经验解释不了高压时的很多现象.....
lesonlee
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高级工程师
  • 2012-9-2 23:20:15
 
是,理想当然是分槽加z型。
我现在在高压输入电源(3000V输入)采用普通绕法,主要还是考虑工艺性。但在可能情况下增加层数。
你的这一贴到提醒我,为提高效率和安全性是否可以尝试Z型。
晶纲禅诗
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  • 2012-9-16 18:25:48
 
这个电压级别的,是我肯定会考虑Z型的。
lq520yxh520
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助理工程师
  • 2013-12-14 09:20:40
 
学习
cdzx11
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总工程师
  • 2014-8-23 14:38:26
 
换我会考虑用合适粗细的线绕城单层,导体面积不够就再在上面加1-n层,然后并联起来。
楼主这个例子,好像要9层,嫌不嫌太麻烦?
晶纲禅诗
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  • 2014-9-2 23:15:45
 
AC高压输出,与普通变压器有所不同。
cdzx11
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LV10
总工程师
  • 2014-9-2 23:25:33
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抱歉,以为是普通脉冲变压器呢。
高压多半分槽绕制吧?或者不是特别高的电压?
不过3层能绕的下,改成9层单层线圈并联也是可行的。(线径为原先的三分之一,单层就能绕下原先3层的圈数;线径为三分之一,截面积为九分之一,所以需要九层并联)
hungrywolf1987
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高级工程师
  • 2013-12-24 09:38:52
 
真心好贴!!顶!!
小胜
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高级工程师
  • 2015-12-21 11:14:16
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这个绕法,我个人意见觉得。。。。,主要看电路的需要
weisw0310
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高级工程师
  • 2015-12-29 15:50:20
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我觉得也是
yunchao
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高级工程师
  • 2019-8-1 15:57:52
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电子世界
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助理工程师
  • 2021-5-26 17:20:50
  • 倒数4
 
上面神仙打架,下面的我只想混点资料看看
PNWZDL
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LV0
禁止发言
  • 2021-5-27 16:53:45
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在理论模型里面没有差异!在现实中有差异,是Z型绕法(顶端拉回线到底端)加大了略微增大了层与层之间的间隙。
yangdaodao8
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本网技师
  • 2021-5-28 13:52:46
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平面变压器如果采用Z型绕法就没有工艺上的问题,EMI从理论上来讲也会比C型绕法好。
my770809
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副总工程师
最新回复
  • 2021-8-16 11:37:01
  • 倒数1
 
很实用的一个问题,我也来学习一下。
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