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未解决

三极管的饱和条件

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1
paco
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本网技师
  • 2012-7-19 13:48:42
10问答币
三极管的饱和条件是什么?
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YTDFWANGWEI
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版主
  • 2012-7-19 17:12:46
 
IC小于IBX放大倍数。
employee
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高级工程师
  • 2012-7-19 18:15:48
 
Vbc和Vbe都正偏。
blueskyy
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总工程师
  • 2012-7-19 18:46:52
 
哈哈,上面的都对 ~
Coming.Lu
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版主
最新回复
  • 2013-9-30 07:59:09
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同意。
天剑002
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副总工程师
  • 2012-7-20 09:28:20
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ks213456
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本网技师
  • 2012-7-20 10:15:31
  • 倒数9
 
1.在实际工作中,常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值,只是使晶体管进入了初始饱和状态,实际上应该取该值的数倍以上,才能达到真正的饱和;倍数越大,饱和程度就越深</b>。
2.集电极电阻 越大越容易饱和;
3.饱和区的现象就是:二个PN结均正偏,IC不受IB之控制
yedaochang
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LV8
副总工程师
  • 2012-7-20 10:27:04
  • 倒数8
 
加正偏电压。
jacky_zhang1975
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高级工程师
  • 2012-7-20 11:43:08
  • 倒数7
 
找本模拟电子学的书再仔细看看,上边说的都对,关键你要理解。
SKYQD
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高级工程师
  • 2012-7-20 11:55:47
  • 倒数6
 
王工说的我感觉比较点睛。你看看数电吧,在TTL门前面的那一章上,忘了具体那页了哈,有详细的介绍。模电上说的比较笼统,重点放在了放大电路上了,很难找到明确的饱和导通条件。
jacky_zhang1975
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LV6
高级工程师
  • 2012-7-21 16:36:23
  • 倒数4
 
怎么确定此时的放大倍数应该取多少,是个随工作状态改变的值。因此还是两节都正偏更好些。
牛角
  • 牛角
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高级工程师
  • 2012-7-20 12:00:36
  • 倒数5
 
发射极,集电极都正偏,Uce小于或等于0.3v
jiame2006
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LV6
高级工程师
  • 2012-7-21 20:40:03
  • 倒数3
 
楼上正解,教科书上是这么写的。
terence
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助理工程师
  • 2013-9-29 23:05:48
  • 倒数2
 
最本质的条件就是 IC<β*IB
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