| | YTDFWANGWEI- 积分:109888
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积分:109888 版主 | | | |
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| | | | | | | 1.在实际工作中,常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值,只是使晶体管进入了初始饱和状态,实际上应该取该值的数倍以上,才能达到真正的饱和;倍数越大,饱和程度就越深</b>。
2.集电极电阻 越大越容易饱和;
3.饱和区的现象就是:二个PN结均正偏,IC不受IB之控制 |
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| | | | | | | | | | | 找本模拟电子学的书再仔细看看,上边说的都对,关键你要理解。 |
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| | | | | 王工说的我感觉比较点睛。你看看数电吧,在TTL门前面的那一章上,忘了具体那页了哈,有详细的介绍。模电上说的比较笼统,重点放在了放大电路上了,很难找到明确的饱和导通条件。 |
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| | | | | | | 怎么确定此时的放大倍数应该取多少,是个随工作状态改变的值。因此还是两节都正偏更好些。 |
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