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| | | | | | | 先说说我的理解:
四种方法我都试过。
关于1:非三明治绕法,这个无可厚非,要与次级耦合好,必须绕在最外层;
关于2的ABC三种绕法,主要是两种:Naux放在外面还是里面的区别。
放在外面一定要居中密绕,而且Vcc的电压比较稳,漏感尖峰比较小,适合充电器的应用;放在里面的话,漏感尖峰比较大,这个时候要注意两点:
A一定要绕满一层,否则IC很容易因为漏感尖峰OVP!
B Vcc整流二极管一定要比输出二极管的Trr要大!譬如说输出用HER系列(75nS),那Vcc整流管千万不能用4148(4nS),不然IC很容易因为漏感尖峰OVP。
Naux放在最外面,虽然Vcc尖峰比较小,但是与初级的耦合差,大家都知道PSR就是检测辅助绕组的信号来决定Tdemag结束的,所以放在最外面,Tdemag的检测就有延迟。
放在里面,与初级耦合好,但是很容易因为漏感的尖峰是IC达到OVP点,我目前的做法是B法,Vcc绕组用多根线并绕来铺满一层。
一点小经验,欢饮大家拍砖! |
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| | | | | | | | | QR一般都是按照B C饶法,普通的就是按照A饶法。 |
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| | | | | | | | | | | | | 这种绕法的好处是Vcc可以当做EMI屏蔽层,一举两得! |
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| | | | | | | | | 可能因为公司产品的限制吧。一般我手头上的电源都是小功率的,10W以上都很少。
主要考虑的都是变压器成本。三明治绕法没绕过。不知道具体价格方面跟普通的
能差距多少。 |
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| | | | | | | | | 不太明白为什么辅助绕绕在里面漏感会大呢?不是离初级绕组越近耦合越好吗?
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| | | | | 弱弱的问下,用C法来绕,辅助绕组要绕满整层,那么多股绕的话线径就会比较大,是不是辅助绕组没有肌肤效应这么一说呢? |
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| | | | | | | 1. 辅助绕组也有,只不过辅助绕组的电流比较小,一般0.2mm的线足矣;
2.多股绕的目的之一是为了减弱趋肤效应;
3.这里的多股绕是为了铺满一层Bobbin,而不是为了减小趋肤效应引起的AC损耗。 |
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| | | | | | | | | 也就是说,多股并绕,加起来的线径多粗都没关系对吗? |
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| | | | | | | | | | | | | 呵呵 我弄错了, 我想问的是,绕组多股绕线,加起来的多粗都不怕是这样吗? |
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| | | | | | | | | | | 呵呵,在你那个帖子看到了;输出大电流的都是次级包初级的三明治绕法,做的很不错! |
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| | | | | | | | | | | | | 那位仁兄讲一下三明治绕法中,分绕组串绕和并绕的区别?(例如初包次绕法,则串是指NP1-NS-NP2,并绕是指NP-NS-NP,初级用两个线径相对较细的绕组并接在一起),实际测试中发现串绕效果相对较高,且方便作业!多谢! |
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| | | | | | | | | | | 又学到一招了,多绕组输出,且相互隔离,而负载调整率又能比较好,咋绕呢? |
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| | | | | | | | | | | | | 他的输出是低压大电流的,所以是次级包初级的三明治绕法。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 这种传导、辐射很不错,而且漏感也很小,一般都是3-5uH的样子。 |
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| | | | | | | | | | | 請問附檔中第3個的繞法, 可否做正負電壓同時輸出呢?還是只能並聯加大輸出電流.
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