|
| | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
- |
- 主题:142
- |
- 帖子:45909
积分:109774 版主 | | | | 熟能生巧,调试简单,优化会难 |
|
|
| | | | | | | | | 大师能分享下,怎样一个调试过程吗,这个我还真的不行了。更不要说是优化了 |
|
|
|
| | | | | | | 反激电路,一般来说只要设计的时候细心一点,基本是不需要调试的,当然优化属于另一个方面,不知道你说的调试头疼具体指的哪方面,如果有具体的方向也许更好讲解。 |
|
|
|
| | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
- |
- 主题:142
- |
- 帖子:45909
积分:109774 版主 | | | | | | 简单的反激电源,基本设计出来上电就OK了,抄板的反而不一定,因为抄板的不一定了解电路原理,抄错一个地方就 |
|
|
|
|
| | | | | | | 反激线路,RCC比较难调一点,对于现在用控制IC来做,调试就不会太难吧。 |
|
|
|
| | | | | | | | | 其实对于拓扑来说,反激我觉得是最难调的。因为相比与反激,正激可以给IC提供辅助电源后,慢慢升高输入电压知道电路稳定,有问题可以立即调低主输入。我们平时觉得反激好调是因为反激都是小功率的,而桥式什么都是大功率的,这只是说明,大功率难调,小功率好调而已 |
|
|
|
|
| | | | | 曾经有一位同事说:
从来没见过哪个人,能把反激说清楚。
反激比正激类的原理复杂得多。
我听了,是 将信将疑。 |
|
|
|
|
| | | | | | | 每个拓扑要想详细的说清楚每个时刻的工作状态,都是很难的,只要抓住重点即可。 |
|
|
|
|
| | | | | | | | | 不好意思 ,电路图是从网上截图过来的.
1.EMI这部分电路不知道那里不合适?
2.吸收电路这样是有优点的,在尖峰达不到TVS导通电压的时候,RCD吸收起作用,在短路或启动瞬间,TVS可以吸收过高的电压,保护MOS管.
3.反馈部分是那个104电容吗? |
|
|
| | | | | | | | | | | 这个电路只能用来讲一下反激的原理,不能整个用来学习,万一被新手全盘拿去学习就误导人了。
EMI电路没有热敏,也没有压敏,一点雷击,或者电流冲击就挂了。
吸收电路TVS和RCD用一个就能实现功能,同时用有点浪费,当然可靠性会高一点。
既然电路追求低成本怎么用副边反馈不用原边反馈。还有反馈环路的设计,只放一个104是有很大问题的。不缺一个贴片电阻的钱(几乎零成本)。
从网上找来的图一定要辨别下,网络也有很多错误的东西。或者你就截取他的反激原理部分就好,不用全图弄来。 |
|
|
| | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
- |
- 主题:142
- |
- 帖子:45909
积分:109774 版主 | | | | | | | R1是什么?如果抄别人的东西,做产品出了问题只能怪自己了。至于只有一个104我不知道是不是可行,但我记得CMG说过,如果你不知道反馈如何设计,在TL431的RK之间接一个105的电容就可以了。如果我记错了勿喷我哈。(当然我都是串联一个5.1K的电阻的,虽然我不知道到底起什么作用) |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | 串个电阻:可以使低频增益很高,
最好取1K以上,单级PFC另外 |
|
|
|
|
| | | | | 由于反激电路的特点,根据变压器传输能量的差异,反激电路在工作模式上又分为DCM、CCM、BCM。
DCM,每个周期MOS管开通,变压器储存的能量在MOS管关闭后,完全传递到副边去,而且在能量传递完成后,还有一段既不储能也不释放能量的阶段。
CCM,每个周期MOS管关闭前MOS管储存的能量,在MOS管关闭的时候,并不是完全传递到副边去,而是会留有一部分能量仍储存在变压器中,每个周期都是如此。
BCM,每个周期MOS管开通,变压器储存的能量在MOS管关闭后,完全传递到副边去,但在能量传递完成后,MOS管就会立即开通,进入下一个周期。也就是说BCM是介于CCM跟DCM转换点上的一个状态。
如果能控制工作频率的改变,让变压器时刻工作在BCM状态,这就是反激电路的另一个工作方式,QR模式。 |
|
|
|
| | | | | | | | | 只是会降低开关损耗,并不是真正的软开关。软开关程度要看VDS电压谐振到最低多少伏。 |
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | 开关损耗就是在开关管开通关断过程中,由于电压及电流的存在造成的交叉损耗,所以事先软开关有两个方法,零电压软开关及零电流软开关。
零电压软开关,就是在DS电压为零的时候开通或关闭开关管,这个时候即使有电流流过,也没有交叉损坏,像移相全桥的超前桥臂的开通就是零电压。对于QR反激,他这是在谐振的谷底将MOS管打开,这个时候DS电压并不是零,所以并不是真正意义上的软开关,只是降低了开通损耗而已。
零电流软开关,就是在MOS管开通的时候,想办法让流过MOS管的电流降低到零,一样可以实现软开关。 |
|
|
| | | | | 反激电路的主要优点如下:
1、性价比高,在100W以内功率输出条件下,由于比正激电路少滤波电感,虽然需要增加滤波电容,但总的价格仍然会偏低。
2、适合多路输出,由于反激变压器多绕组输出各绕组输出电压与变压器匝比成正比,所以只要稳定了一路输出,其余各路输出就相对稳定。
3、输入电压在较大的范围内波动时,仍可有较稳定的输出,交流输入在 85~265V间,反激可以保证输出稳定,在一些极限情况下,采用反激电路更是不二选择,比如一些设备上用的20-500V输入这样的电路,估计只能采用反激才能得到稳定输出。 |
|
|
|
|
| | | | | 在反激电路中,基本可以说只要做过一个完整的产品,除了变压器以外的器件参数,一边画原理图,就可以一边确定参数,唯一需要计算过程的就是变压器了,反激电路的变压器我一般不将他看做是一个变压器,而看做是一个电感。这个电感在储能放能而已。 |
|
|
|
|
|
| | | | | | | 加的话成本高了,效率略有下降;不加的话VCC有尖峰电压,影响IC正常工作。是不是? |
|
|
| | | | | | | | | 增加这个电阻,可以是VCC电压在输出轻载及重载的情况下,电压差不会太大,因为这个电阻与后面的电容形成了RC滤波,可以降低尖峰对VCC电压的影响,但是如果这个电阻选择的不合适,有可能会造成空载时候电源无法正常启动,所以,如果你的电源轻载无法启动而带载能启动,可以适当降低一下这个电阻的阻值试一下。 |
|
|
| | | | | 能否着重讲解下
1.双路交叉调整率;
2.反馈和纹波电压的优化。 |
|
|
| | | | | | | 交叉调整率的产生大家都知道,由于绕组内阻及非完全耦合造成,所以,要改善交叉调整率最好从这两个方面下手,绕组内阻受导线粗细决定,在一些情况下是很难更改的,那么可以改善的就是绕组的耦合,输出绕组耦合越好,交叉调整率就好,我们知道,将原边绕组与输出主绕组采用三明治绕组,可以降低原副边的漏感,改善尖峰,但这种绕指方法将其与输出绕组排除再外,就造成了输出绕组之间的耦合变差,交叉调整率变差,所以,变压器的绕制应该根据实际情况具体设置工艺,可以尝试将输出绕组采用多绕组并饶、中心抽头等方式,让输出绕组紧密耦合。这样可以改善交叉调整率。
还有就是多路反馈,在牺牲主路输出负载调整率的同时,提高辅路输出的负载调整率。
耦合电感的方式,可以很好的改善交叉调整率,但这种方式一般采用的不是太多。
如果多路输出又期望得到很好的稳压精度,辅路输出估计只能采用两级,一级得到相对稳定的输出,然后再斩波得到稳定输出。 |
|
|
|
|
| | | | | | | 至于反馈与纹波电压的优化,可以着重从以下几个方面考虑
1、反馈供电的选择。
2、反馈回路的设计。
3、PCB的布局。 |
|
|
| | | | | | | | | 很多时候,我们为了降低输出的纹波,在反激输出的后级,再增加一级LC,组成CLC滤波,这样可以大幅度降低输出的纹波电压,但这个时候,反馈供电部分就需要注意,分压电阻可以从最后一级C取样,但供电应该从电感前取样,这样的好处就是,让绕组电压的波形尽可能快的反应到反馈上,提高电路的动态特性,从而电路更容易稳定。 |
|
|
|
| | | | | | | | | | | 确实应该是你说的那样接,我还差点看错了,我支持你的看法 |
|
|
|
|
| | | | | | | | | PCB的布局方面,反激电路,一定要让变压器输出,整流二极管,滤波电容这个圈回路最小,也就是这个通路组成的圈要包围尽量小的部分,同时输出滤波电容尽量采用多电容并联,比如能用两个1000的不用一个2200的。如果采用多电容并联还要保证各个电容的电流通路尽可能一致,否则容易导致靠近变压器的电容发热,而远离变压器的不发热。这种情况就是电容不均流造成的。 |
|
|
| | | | | | | | | | | 這個通路組成的包圍圈,主要造成那些影響。EMI ? |
|
|
| | | | | | | | | | | | | 尖峰、纹波都有影响,干扰大了,对EMI自然也有影响。 |
|
|
| | | | | 做个基本能工作的电源很容易,优化到很多细节点上就需要花点心思
平衡关键元件的耐压、线路效率、各种异常状态时的极限承受能力、安规,做起来就一堆事情了 |
|
|
| | | | | 问下楼主,5V2A的手机充电器,用一颗SR540整流能不能做到80%的效率(板端)? |
|
|
|
|
| | | | | | | | | 是啊,温度很高。在成本不增加的情况下还要提高效率,客户真是难伺候! |
|
|
|
| | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
- |
- 主题:142
- |
- 帖子:45909
积分:109774 版主 | | | | | | |
|
|
| | | | | 我们来分析一个过程中,反激电路的工作原理及经常测量到的几种波形。
首先我们认为,MOS管是开启的,此时原边电流在逐渐增大过程中,MOS管DS电压为零,RCD吸收电路在通过R放电,假设0时刻MOS管驱动信号消失。MOS管关闭。
此时,原边电流仍保持原来方向,次电流给MOS管的COSS电容及分布电容充电,MOS管DS电压逐渐升高。当电压达到VIN电压的时候,变压器原边承受电压为零。随着VDS电压的继续增加,变压器承受电压反向,副边电压也反相,但由于副边感应电压低于输出电压,副边仍没有电流流过,只有当VDS电压增加到VIN+VOR电压的时候,副边感应电压才会等于输出电压,电流从原边转移到副边提供给输出负载及滤波电容。
此时,原边剩余的能量即为漏感储存的能量,这部分能量无法转移到副边,只能继续给COSS电容及RCD电容充电,由于COSS电容小于RCD的电容,所以一般只考虑RCD的电容C,根据能量守恒,可以粗略估算尖峰的大小。
|
|
|