| | | | | 是否凡是相对大地EE或PE电位变化的电路接点称为”动点“,某电网供电带有PFC的正激电源--元件安装在机架上。传导-共模和差模 |
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| | | | | | | 减少共模电流的对策
(1) 屏蔽:功率 MOSFET与散热器PE或EE之间电容和变压器初级与次级之间电容用接静点屏蔽隔开。
漏极与屏蔽之间电容,将共模变换成差模电流,差模与共模互换。并让电磁骚扰低阻抗的返回到源,而不通过LISN
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| | | | | | | | | | | (2) 分流-将共模电流不流入LISN中(50Ω测量负载):
.测试升压电感对大地电容C,选择Cs=N1C/N2
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| | | | | | | | | PE或EE是不是接外壳的,GND是电源地;如果是这样上图右,不是短路了吗 |
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| | | | | | | | | 其实图2真正叫法是“旁路”
我个人觉得加屏蔽在EE初级与次级之间不是把电容隔开,而真实意义是把这个寄生电容减小变成两个电容串联。 |
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| | | | | | | | | | | 改变了耦合的路径,本初次级间耦合到功率线路中,现均被引导到初级GND回路上,初次之间电容电呈串联,实际有效回路已改变。 |
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| | | | | | | 变压器开关点对大地E或PE电容C:
相似地,变压器初级对地E寄生电容也可以利用类似方法求得寄生电容C,并在变压器,上绕一个Nn,接一个电容Cs,计算方法与,以上相同。
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| | | | | | | | | 所谓的缓慢变化是否有什么标准?例如DV/DT在多少算是比较缓慢的? |
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| | | | | | | | | | | 没有标准。dV/dt越缓慢(上升/下降沿),对CE、RE是有好处的,能够减小导通的峰值电流或减小(开关管关断时)漏感产生的尖峰。
但是开关管的损耗会加大,发热变严重。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | RCD是可以吸收漏感产生的尖峰干扰,但是影响其效率 |
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| | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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- 主题:142
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- 帖子:45909
积分:109774 版主 | | | | | | | | | 从大家实际的情况来看,增加RCD不一定就是一定降低效率。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 不是通过RCD吸收尖峰产生的干扰,也是一种能量,怎么不影响效率,除非漏感很少。 |
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| | | | | 对于EMI处理,还是经验及处理问题现场发挥比较重要。因为EMI不良,不确定因数太多。 |
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| | | | | | | EMI处理,经验固然重要,但是理论基础绝对不能少,否则不可能“一招致命” |
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| | | | | | | | | 理论的确是很重要,但是很多时候做EMC靠理论又解释不通! |
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| | | | | | | | | | | 不是理论解释不通,而是咱们的理论还没有到底,理解有难度或误差。
——理论就是真理,放之于宇宙的标准与指灯!怎能有错啊 |
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| | | | | | | | | | | | | 也不是说理论有错,只是EMC这东西很多时候还是靠调试! |
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