| | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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积分:109874 版主 | | | 请问,没做过相应的产品,但见过有用气体放电管的,气体放电管在输入端一般是怎么接的?我见过是压敏电阻串联气体放电管到地,这样输入高压测试就不能通过了。 |
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| | | | | | | (1)气体放电管有“续流遮断”问题:即导通之后,残压为30~40V(化二亲自测试过,有供应商说续流电压为12V左右),如果气体放电管应用于DC24V以上的电源,或AC220V的电源线(GDT动作之后的尾随效应,即使交流过零,GDT也不会关断);
——但是其寄生电容小,2pF
(2)压敏电阻VR有老化失效的问题:多次冲击后,其漏电流加大,压敏电阻变低,导致其低阻化(甚至短路)、发热、自燃)。
此外,压敏电阻的寄生电容太多,高达10nF,如果直接与机壳地PG相连的话,漏电容很吓人。
(3)压敏电阻与气体放电管串联使用,可规避上述问题。 |
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| | | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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积分:109874 版主 | | | | | 压敏电阻与气体放电管串联使用,可以过2500V交流耐压测试? |
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| | | | | | | | | | | 是的,受潮也会有影响,这就是为什么工厂在喷完防潮胶后要先烘干了 |
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| | | | | | | | | 严重同意,补充下,气体放电管的反应速度慢于突波吸收器,在用的时候,一般气体放电管在突波吸收器之前,气体放电管接地距离尽量短,接地面积要充分 |
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| | | | | | | | | | | 对于1.2/50us的浪涌来说,气体放电管的反应速度不成问题,一般小于1us,实际测试可能在100ns内。 |
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| | | | | | | 关于印发《铁路信号设备雷电及电磁兼容综合防护实施指导意见》的通知
——气体放电管必须与压敏电阻串联使用
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| | | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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积分:109874 版主 | | | | | 这个图,LN短接,与PE之间能过2500V交流耐压测试? |
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| | | | | | | 高压测试,是指安规耐压测试吧?加了VR、GDT有利于浪涌、雷击测试,但是会影响安规测试中。这种开关电源的防护设计有技巧。
——化二可以做到,安规(安规测试中,不拆瞬态抑制器件)、浪涌测试兼顾 |
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| | | | | | | 用放电管串压敏LN到地一样可过高压测试的,串联电压叠加达到高压上线就好 |
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| | | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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积分:109874 版主 | | | | | |
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| | | | | | | | | 压敏电阻与放电管,串联电压叠加是错误的思想。耐压的最大强度,仅取决于其中一个的最大动作电压。
——我曾经想用两个400V的GDT串联,过AC500V的耐压测试,信心满怀,结果发现连AC300V也过不了。
主要原因是,分压不均! |
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| | | | | | | | | | | 肯定是叠加的,只是在放电管击穿后其电压是跌落的,你说的AC耐压,峰值可能已超
我前曾试过1000V+470V压敏,打1.5KV会勉强击穿,1.2~1.3KV时没事 |
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| | | | | | | | | | | | | 当压敏电阻器两端电压超过其最大限制电压时,压敏电阻器将完全击穿损坏,无法再自行恢复, 你1500的话就是最大限制电压啊 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 压敏并不会损坏(10D471),最多吸改不完串到后面线路。我们LN间要求打2000V,也就用压敏吸收,一级不够用两级三级,当用一级时压敏也打不坏,也就后级线路打坏,
实际上面我说的LN对PE用的是1.5KV放电管+14D470V压敏,并没有出现打坏压敏的情况 |
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| | | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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积分:109874 版主 | | | | | 我见到的就是这种摆放方式,这种方式耐压是无法通过的吧? |
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| | | | | | | | | | | 如上图,为什么说耐压无法通过
放电管有1000~3000V的,LN对地耐压也就2U+1000这样 |
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| | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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积分:109874 版主 | | | | | | | 如果增加2、3千伏的气体放电管,对于浪涌这些还能起作用吗?我没接触过这些方面的测试,问题如果太简单,勿怪。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 如果开关电源的绝缘耐压能力强,本身就可以扛2~3V的浪涌冲击。
——我们现在选电源时,一般要求L、N对机壳PE的耐压强度为AC2000V,就是为了抗浪涌中。
绝缘防雷,也是一种有效的防雷措施! |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 浪涌2kv,L,N,PE之间的走线距离要求是怎样的? 没做过相关测试,所以不是很明白 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 符合安规要求就好,你的走线距离可以用Hi-pot仪测试,安规距离的文档很多的
浪涌有L-N的,有L-PE的也有N-PE的,是在正常工作的时候的一种可靠性测试手段 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 压敏串接气体管是为了什么??
求教!
我的理解,能不用防护器件就不用防护 器件。
绝缘抗浪涌我认为是最好的方法。。
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| | | | | | | | | | | | | | | 本身L、N对地的浪涌就4000V或要求更高(我们公司要求就比标准更高达到6000V),加入1000多伏的浪涌吸收是有必要的。 |
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| | | | | | | | | | | 气体放电管使用DC2800V或3000V的,可以通过AC1500V的耐压测试 |
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| | | | | | | | | 这是一般工控系统中,比较常见的防浪涌或雷击的结构,但是铁路产品的是不允许出现的。
(1)安全问题,压敏电阻失效,会引火,或让保护动作而掉电;
(2)耐压测试不过关,AC1500V的耐压测试,瞬态抑制器件会动作的。 |
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| | | | | | | | | AC2000V的耐压,PCB的走线与机壳之间的距离一般只能做到2.5mm,但是几乎没有出问题。
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| | | | | 刚没注意到LZ的帖子,也没关系,一起讨论。
我也是碰到了Surge方面的问题,请问LZ有测量过Surge测试时的波形吗?我一直不敢测。 |
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| | | | | | | | | 再付一张测试波形,虽说本贴还未讲述到那一步,大家先睹为快了
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| | | | | | | | | | | | | 输入的电解电容充电的电压也不高啊,有量过Bridge Diode两端的波形吗? |
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| | | | | 支持楼主原创手绘图,多讲讲浪涌抑制措施和原理,期待楼主形象生动的讲解。 |
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| | | | | 楼主经验丰富。。我一直以为共模电感。对浪涌起的作用很小。。。 |
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| | | | | | | | | 5. 以上浪涌防护器件的配合使用
为了能更好的发挥作用,应该合理放置以上四种浪涌防护器件的位置,我的一般是:先气体放电管,再Variostr,最后在RCD吸收电路,实际测试发现,RCD吸收电路中电解电容C的容量越大,改善的性能越好,
下来可能就要更多的关注电源的具体工作状态了,在此再阐述下
雪崩击穿的原理:(摘自百度)
雪崩击穿Avalanche Multiplication
材料掺杂浓度较低的PN结中,当PN结反向电压增加时,空间电荷区中的电场随着增强。这样通过空间电荷区的电子和空穴,就会在电场作用下,使获得的能量增大。在晶体中运行的电子和空穴将不断的与晶体原子发生碰撞,通过这样的碰撞可使束缚在共价键中的价电子碰撞出来,产生自由电子-空穴对。新产生的载流子在电场作用下撞出其他价电子,又产生新的自由电子和空穴对。如此连锁反应,使得阻挡层中的载流子的数量雪崩式地增加,流过PN结的电流就急剧增大击穿PN结,这种碰撞电离导致击穿称为雪崩击穿
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| | | | | | | | | | | 6.实际分享一款30W的Fly-Back的LED电源的Surge防护经验,
a. 拿到电源,首先观察了电源关于Surge方面的防护措施,一颗10D 561,RCD吸收电路,C 较小,
b,实际测试原装的电源发现,在Surge来的时候,IC的Ton时间和Duty会变化,
c, 测试平面MOS和SJ MOS会有较大差异,
d,关注MOS的雪崩电流和最大耐压 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 通过对IC的了解和变压器的调整,尽量保证变压器的饱和电流小于雪崩电流
原理即是:6=1+1+1+1+1+1也=2+2+2,通过提高工作频率,减小电流来满足功率需求 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | c. 平面的MOS管和SJ的MOS在开关特性及导通电阻Rds on等都有较大的区别,应该注意区分它们的差异带来的设计变化和对整机性能的影响, |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | d. 可能前面我们的设计就是为了尽量规避或者减小我们MOS所能承受的最大VDS及Id等因素,这些设计是很有必要的,如果我们的MOS管能在这种场合有更好的性能,我想应该是大家乐意见到的。
针对目前各大厂商面对Cost down的压力越来越大,而各项产品规格也需要稳步提升,特别是大家越来越重视安全智能等方面的时候,好而Cheap的设计应该会更受大家青睐。
所以我个人建议,以上推出的方案可以协同作用,而不是单纯的靠一种设计去解决问题
最后给大家推荐一款个人感觉还不错的SJ MOS ,也刚好对应此贴的(龙腾原创)字样。
附LSC11N65 SJMOS datasheet 一份,!感谢龙腾举办这么好的活动! LSC11N65.pdf
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 龙腾这款MOS的参数非常不错,Rdson、Vds、Qg都超过英飞凌的SPP11N65C3.
当然,谁有试用过,效果如何 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你可以找他们的销售要点样品自己试试啊 ,可能由于Sj MOS比较快,EMI可能需要去注意把, |
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| | | | | | | 丰富不敢当,只是见的多而已,
所以叫做共模扼流圈, |
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| | | | | | | | | 楼主对共模电感的材质和绕线对EMI的影响有什么体验 |
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| | | | | | | | | | | 具体的体验暂时还没有,只是上次听过一次陈为老师的讲座,自己稍微学习了下,你可以看看他这方面的讲义,很有启发性 |
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| | | | | | | | | | | | | 是啊,最近接触的这方面东西多了些,越接触越发现深, 感叹高数和大物当时没好好学啊 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 化二最近极其活跃,顺便给咱多讲讲磁芯元件方面的东西啊 ! |
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| | | | | | | | | Hi LZ, 現在我製作了一個5V 1A的 ADAPTER,測試SUGAR的1KV過不了,AC輸入沒加共模電感,FUSE-MOV(10D471)-X1-RET,現在的問題是打SUGAR 1KV總是燒掉FUSE(1A 250V),請幫忙給點建議,謝謝~~~ |
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| | | | | | | 这种坏法我们经常看到,基本都在l-n4000v测试下炸,目前我们的坏法有三种原因:
1、物料不合格,品牌问题
2、片径太小,功率太小,有些不炸也会很烫
3、限压值太低,同时也是功率问题导致炸,但提高限压值可能会导致后端炸管子,需要个人均衡 |
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| | | | | | | | | L-N 2KV 单级PFC 测试炸掉;
原因楼上分析准确。 |
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