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| | | | | | | | | 就加三个零件,一个MOS,0.5-0.6,二个电解0.4,一个贴片电阻。 |
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| | | | | | | | | | | 填谷电路一般只能做到0.78-0.85之间,做到0.9很难,要不就是功率计有问题, |
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| | | | | | | | | 肉眼看频闪, 一般都可以的吧, 相机看是不是要求高了点 |
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| | | | | 请教下楼主几个问题:1,这个MOS的耐压和电流取值;2,G级接的这个电阻多大?电容多大?耐压多少?为什么?3,对效率的影响有多少?4,对频闪的效果有多大? |
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| | | | | | | MOS管的选取,根据输出电压而定,一般高个几V就行了,G级接100uf电容,可用贴片电容100uf10V,电阻我用的是10K,电流大小要调整这个电阻的,调整好了频闪纹波一扫而空。 |
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| | | | | | | | | | | 做多少V输出都没有关系,调整一下元件的参数就OK! |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 耐压是第一项,下面就是考虑内阻,功率再大就要加散热片。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 各方面都有的,电压高了电容的耐压也高,容量可以减小些,输出电压60V,就要用100V和MOS,偏流电阻也要增大点。 |
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| | | | | | | | | | | 100V没问题的,可以选择耐压高几V就可以了。如
10N15 |
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| | | | | | | | | 输出短路线路会进入保护吗,MOS是否会处于过载状态 |
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| | | | | | | | | | | | | 但是MOS一直处于反复大电流冲击中,要承受住冲击就必须规格也就不小了吧 |
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| | | | | | | | | | | | | | | MOS前面电容的能量瞬间全部消耗在MOS上,如果输出电压高,那个V2 可是不得了[sup][/sup] |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你做个40V输出,瞬间短路看一下,不炸才怪,做出来而不知道风险很可怕,赔钱的时候就晚了 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 一看就是不懂技术的,轿出短路G级电容不能迅速放电,G一S电压为40V,你说MOS不坏吗? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | G-S倒可以箝位,D-S承受功率将远超正常值,这只能靠自身来承受的 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 太深奥了,我也看不懂, 我只知道照例用, 每次选材都是靠经验的 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 楼上说G-S电压如果40V会损坏MOS,这个可以通过加个稳压管什么的进行箝位处理,而D-S在短路保护时,不断重复的电解瞬间经MOS放电的能量,是否能承受得了,或要多大的MOS能承受住冲击,可能就不是1元可解决了。
你说选材靠经验,那么这颗管你根据什么参数来选择 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 短路保护是 依靠 IC内部电路,我这个电源做了N次短路试验,没有发现炸机。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 先短路再开机是没问题的,初级IC会保护,但空载开机,再短路输出,MOSFET是很可能炸掉的,特别是输出电压高的时候,自己做自己用可以控制工艺没有问题,但做电源卖很难控制客户的使用情况。我们用三极管的也碰到过这种情况(三极管电流驱动,没有栅极驱动电压的问题,比MOSFET好很多),最后加了一小部分电路解决了这个问题。 |
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| | | | | | | | | | | 发热不严重,要是用三极管发热就大些。MOS管处于全开状态。 |
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| | | | | | | | | | | | | 发热分析
1.电路设计的问题,就是让MOS管工作在线性的工作状态,而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关,G级电压要比电源高几V,才能完全导通,P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗,等效直流阻抗比较大,压降增大,所以U*I也增大,损耗就意味着发热。
2.频率太高,主要是有时过分追求体积,导致频率提高,MOS管上的损耗增大了,所以发热也加大了。
3.电流太高,没有做好足够的散热设计,MOS管标称的电流值,一般需要较良好的散热才能达到。所以ID小于最大电流,也可能发热严重,需要足够的辅助散热片。
4.MOS管的选型有误,对功率判断有误,MOS管内阻没有充分考虑,导致开关阻抗增大。
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| | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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| | | | | | | | | | | | | 就是一个线性处理而已,让MOS的D-S承受了纹波电压
其实用MOS会比三极管更糟糕,因为MOS的开启电压要比三极管高很多,射随器器特性这个电压是垫底的,除非你再加个绕组把G拉的比D高几V,但本质上还是线性,损耗大家可以想象的 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 前面早就说了,但是大家不信,就这个电路而言三极管的发热比MOS小,另外如果输出电压高,输出瞬时短路MOS会炸掉(短路开机不会);可以把MOS放低端就很容易控制的,那些做IC的就是这么做的。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你同样没有理解,MOS放在LED串的下面,怎么会S入D出?串个电流采样电阻还可以限流,具体就不说了 |
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| | | | | | | 什么IC不限,这种IC有很多厂家在生产,我是用BP3319做的试验。 |
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| | | | | | | BP3309,其它厂家的IC也是一样用的,与IC无关系。 |
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| | | | | | | | | | | 在输出端还有一个MOS管电子滤波电路,光靠电解没有效果的。 |
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| | | | | | | | | | | | | 似乎电解用的也不少,不止一个MOS的成本吧,这么小功率增加一元,再大可能更高了,成本也不低 |
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| | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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| | | | | | | | | 用在去频闪的方面, 要1元...这个理解起来很贵啊 |
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| | | | | | | | | | | 一元还贵,要几分钱搞掂吗,我这个电路目前是最便宜的电路,用一种IC,要二个,4块钱。看来你好像是古镇的。 |
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| | | | | | | | | | | | | 1元不算贵,但也不便宜,最好后面加个IC搞定,几毛钱,也可以空载,也没有这么多电解,最重要的是不能发热,也就是没有效率损失。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 可惜目前还没有这样的IC,有的IC是把那个简单的控制和MOSFET封装到一起了,发热没有变化。
目前有集成电感的BUCK IC,但价格不是1元。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 很多年前就听过CMG研讲这个方法,后来Jerry.lin也讲过用运放和MOS来做的,有人干脆就封装到IC里面,所以不会恨你的。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 用库MOS发热很小的,实际上降压越低越好,0.5V-1V之间 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 没有不发热的,只有尽量低的发热量,这种线性滤波,对功率管压隔要求很高,特别在输出异常时 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 图中MOS作恒流调节,这样输出不加滤波,纹波应该更高。最好在LED+、-之间放个电解,其原理是作恒流用,对纹波没什么作用。 |
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| | | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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积分:109774 版主 | | | | | 就是后面额MOS管部分?类似LDO?忘了谁提到过这个。 |
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| | | | | | | | | | | | | 下阶段准备用低阻MOS在进行试验,再加上同步整流,我想效率会上来,等我做试验后晒出来。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我用的电子滤波器很好用的,但是要调整好参数,如果参数调整的不当,也没用的,一样有频闪。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这种滤波用三极管,经过三极管就去掉频闪了,但是三极管成本高些,用2N3055,,2-3块钱,MOS现在价格便宜,20N06就0.6-0.7元。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 估计30W以下也就要有个一块钱成本?
主要可靠就好,成本也不算多。 |
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| | | | | (上面部分内容都合在一个贴子里了,请到那里看谢谢
这名话看得不明,到那里看?
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| | | | | | | | | | | 到现在有没有做这种电路实验的,我想看看你们的效果。 |
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| | | | | | | | | 这个只能减小,真的还是有频闪吧,只是提高了滤波效果 |
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| | | | | | | | | | | 用相机看没有频闪,但是这种电路调试不好也会有频闪的。 |
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| | | | | | | | | | | | | 想问楼主,你做的几十个电源的输出参数是多少,效率有多少,感觉这个电路损耗蛮大的 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 现在效率只有82-84%,输出都是40V500-600MA。相当于多了一级电路,没有更好的办法啦。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 这个效率达不到国内的一级能效,效率能再高一点就很好。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 效率高点是需要时间,还有成本的
时间是去优化变压器,成本是换好点的器件 |
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| | | | | 楼主能不能讲解一下原理呢?我的理解是应该是让MOSFET工作在线性状态,当有工频纹波过高的话,把MOSFET输出电流减小一些吧?
还有,这个电路的GS电压貌似不高吧,能不能让MOSFET导通呢》?MOSFET发热量大不大呢? |
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| | | | | | | 工作原理:MOS管是工作在线性状态,它的波纹是通过S极的滤除,才会使输出有干净的电流,GS的电压是很低,但是还能导通,这个GS电压也可以通过其他偏压方法,会有更好的效果,发热是有的,但是还顶得住。现在有2V左右的压降。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 这是工作在线性状态,不是开关状态,你降低Rdson不形的。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 压降太大了,可以让输出有适当的纹波,你这2V的压降做多大电流,500mA都有1W损耗,50W的电源都占了2%损耗,而且这还是小电流输出,大电流怎么办。所以认为还需要优化。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 目前就是这种电路,也相当于二级,只不过通用的PFC+PMW滤波在前面,这种滤波在后面,这种特点是电路简单,最后效率都差不多。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 确实比高频Buck线路来说,电路简单,元件不良概率要低。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我最近用三极管试验,压降是0.3,电流600MA时:0.6V。我认为MOS管的S极电压太低造成的,下一步我要用MOS管来试验。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 增加一些,这种2N3055要二块钱左右。我还是想用MOS试试,但是MOS的驱动供电比较复杂。试验好以后就没问题了。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 从成本上看如果用MOS会更高;
从技术上来说,MOS驱动目前的问题 是什么 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | S极的电压,如果用上端电压是不够的,一般要高于5V。所以不好搞,要引出一个稳定的电压来驱动MOS。现在三极管很少了,用2N3055要二块到四块,用最古老的国产管3DD15,3DD102也不便宜,早年这些管才卖0。6,现在找不到了,铁座的塑封的还要1。5。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我是这样想的,在变压器输出端用另一个二极管整流,如果电压不够,还可以做一个倍压整流,但是我试过,倍压整流的电压太高了,有140V,过几天有时间再搞。其实用一个电容串在二极管上也能提高电压。 |
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| | | | | | | 电子滤波,线性降压。选用开通电压低的MOS管,降低压降。 |
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| | | | | | | | | 这种MOS有低内阻的,过几天再试试。驱动电压也要有5V左右。 |
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