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| | | | | 感谢楼上诸位兄弟!
这个电源的频率为30KHz,用全桥LLC做。
对原副边而言,一个是电变磁,另一个磁变电,绕组的分布参数对这两种工作状况的影响
是否不同?搞清楚这个问题才能设计样品,因为这个变压器的发热是不会小的..... |
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做20KW的大家伙前,先参考一下数W的桥式CCFL升压变压器。
各位兄弟:副边分7槽主要是为了耐压,还是兼有其它因素考虑? |
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| | | | | | | | | 是的!分7槽时【最高匝间压差】得到有效控制,此时由【匝间】分布电容引起的损耗也大大降低。
另据说分槽时的散热良好,发热也更均匀...为高压绕的组常用绕法。 |
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| | | | | | | | | | | 你好!对于输出150V左右输出的电源,输出二极管上的尖峰有什么好办法解决! |
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| | | | | | | | | | | | | | | 暂没图,反激电源,就是MOS导通时次极二极管的震荡尖峰! |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 150V的电压虽算不上高压,但比一般的常规电源电压还是高不少。此时副边二极管的耐压
要求使得对二极管的选择范围小了很多。同时高耐压二极管的速度相对要比低耐压的慢一
些,在原边MOS开通时,容易引起振铃尖峰,此时合适的漏感、适度的MOS开通速度对减小
尖峰都有一定的作用,当然,加RC吸收也是不可或缺的手段。最后,选择更快速度的整流二
极管是改善问题的根本。 |
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| | | | | | | | | | | 觉得分槽后,匝间的电压差是没有改变的,改变的是层间的电压差。
分7槽时,副边的等效电容Cs等于7个分槽电容的串联,
而每个分槽的等效电容只等于没有分槽时的电容的1/7,(简单模型)
Cs降低了约50倍。
除了Cs引起的损耗可以大大降低外,由于升压变压器Ns>>Np,
反射到原边的电容可以很可观,所以需要用分槽来降低Cs。(除非可以利用做谐振元件) |
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| | | | | | | | | | | | | greendot 老师的言辞表述非常地规范精准!
我前面所说的“匝间压差”是指右图高压绕组“乱倒”绕制的情形,
greendot 老师所说的是象左图一层一层规范绕制的情形。 |
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| | | | | | | xkw1cn- 积分:131431
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- 主题:37517
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- 帖子:55631
积分:131431 版主 | | | | | | | | 即便是用Greendot说的方法;用在3KV每段的设计上;漆包线也是受不了的。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 如果用3层绝缘线不知如何,但体积和散热又让人头大。。。。 |
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| | | | | | | | | | | | | 【除了Cs引起的损耗可以大大降低外,由于升压变压器Ns>>Np,反射到原边的电容可以很可观】
这句话说中了【高升压比变压器容易低效率】的要害了! |
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| | | | | | | | | | | CCFL變壓器分7槽主要是解決耐壓的問題, 每個槽耐壓3~4KV很容易達成, 加起來耐壓就可大於20KV, 與降低分怖電容關係不大, 要降低分怖電容就得採用疏繞, 可是電源變壓器, 那有空間採用疏繞方式, 因此; 大都與其他繞組分層纏繞, 這就是俗稱的三明治繞法, 20KV 1A 不好處理... |
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| | | xkw1cn- 积分:131431
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- 帖子:55631
积分:131431 版主 | | | | 七槽有点少。结果也有点问题。需要用三层绝缘线和高压硅堆才合适。 |
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| | | | | 今天实测了个高频AC300V升AC9000V的 2KW实物,虽然铁芯是铁氧体的(材质型号暂时不清
楚,高压绕组的绕法也因全封闭而看不到真相),但由于副边450匝的分布电容的影响,
100Hz 1KHz 10KHz 40KHz 100KHz 的感量差别极大(好象有点类似非晶变压器了),
Np 15匝的感量分别为:3.8mH 3.75mH 6.7mH 546.3uH 46uH
Ns 450匝的感量分别为: 3H 2.9H 5.1H 501mH 70mH
为什么10KHz处的感量会突然上升? 为什么感量与匝数不符合公式? 是哪些分布参数在做祟? |
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| | | | | | | 估计电感+电容的自谐振频率在10KHz附近。
简单地假设Cs=35pF,Ls=3H,fo=15KHz,
测试频率10KHz时,等效电感=5.1H 。 |
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| | | | | | | | | 今天再用正弦波扫频法测试了谐振频率(高压绕组开路,测原边绕组),变压器摄氏33度时的谐振
频率为14.8KHz左右,空调冷风下不到2分钟,谐振频率降为11.8KHz,天哪!变化这么快!?
真搞不懂是铁芯引起的,还是线包引起的。再测正弦波时的空载升压比,100Hz时为30倍,25KHz时降为25倍,
要是加载测试,真不知升压比还会降多少。
实测与 greendot 老师[简单地假设Cs=35pF,Ls=3H,fo=15KHz,测试频率10KHz时,等效电感=5.1H ]真是十分地接近! |
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| | | | | | | | | | | 这个变压器是用于25KHz的? 高于谐振频率了?
空载升压比是如何测试的? |
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| | | | | | | | | | | | | 装回原机测了一下IC的输出,LLC的变频范围是约11KHz~23KHz ,高于谐振频率近一倍了。
另外请教 greendot 老师:当输出端接上非纯阻(据说是复合偏容性的)的电弧负载后,
实际变压器的谐振频率是否会偏离原来空载时的谐振频率,此时的谐振频率该如何估算?
实测高压绕组的Rdc 约为11.5欧,原边Rdc约为0.03~0.05欧。
空载升压比是用25KHz正弦波输入原边,然后用普通探头与高压探头分别测原副边电压波形,再比较读数,不知正确否? |
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| | | | | | | | | | | | | | | 这样看来,由副边反射过来的分布电容定貌似会参与并联谐振,像LLCC ?
不带负载,输出端也会有输出电容,应该不大影响谐振频率吧。
惭愧,还是在理论上找不到25KHz时空载升压比下降的原因,可能是心目中的模型太简单了。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | greendot 老师啊,其实是没什么可惭愧的,呵呵...今天我在同一个匝比n=30的升压变压器中,
再次用正弦波扫频测试,与前次不同的是原边串入了一个10欧电阻,结果更是大跌眼镜!只要改变不同的测试频率,
Np/Ns空载升压比可以是10,也可以是 25甚至可以是40!我想书上的理论是不会错的,只是现实中还有很多我们没想到的情形存在...请看实测波形照片:
升压比大于40 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 没有准确参数,唯有粗略地模拟一下,Lp=4mH, Lk=0.1mH,Cp=40nF,Rpp=50R
其结果有点像您的数据,因为出现谐振点,升压比高于30,高频时,升压比下降快,相位延迟大,(30楼图,180°了)
又25楼提到的LLC机子,可否告知谐振元件Lr和Cr的数值? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 十分感谢 greendot 老师的理论解析!
关于LC的实际参数我下周查证后就会上传。 |
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C为0.6uF/2000V,L为75mm内径,多股绞合线55匝,总长度130mm。 |
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| | | | | 再回归主题,对绕组绕法与发热现象做了一些测试后,发现即使是单层绕组,密绕的温升最高,分段间隔一定距离绕制后,绕组温升明显下降.....
对于匝数不多的原边,简单地分段间隔一定距离绕制也许可行,对高压绕组,就必需定制骨架了,但在试验阶段是无法实现的。 |
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其实绕组温升不仅与散热条件相关,猜测也与绕组磁场分布相关,右边是采用特殊绕法的原边,
所有条件相同时,发热大大降低。这是普通变压器的例子,在高压升压变压器中,估计发热与磁场分布关系的基本原理还是一样的。 |
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| | | | | | | | | | | | | 高压骨架 Model (1).pdf或者这个对你有帮助。
20KW,20KV。变压器设计为主,我觉得这个变压器得交给有经验的人来做。高压电源有劲啊,有没有不想做的课题给我做一个玩玩。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 十分感谢二胡兄弟的资料!
我只有300W 5KV的经验。当然我不会直接上手去做20KW 20KV的,会先做一个2KW 10KV的小模型试一下,成功后再上20KW 20KV。也会先学而后做。
真有忙不过来的那一天,就分个课题给兄弟玩玩..... |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 小弟最近做出了个700W,5KV的高压电源
起初也由于变压器副边热量过大导致烧焦的现象(空载下)
后来是用2个变压器才做出来的,满载老化之后,变压器基本没什么热量了。
变压器没有做骨架,如果加上分槽骨架不知道单个变压器可行不行? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 变压器没有做骨架 不懂你这个变压器是怎么绕制而成的?
加上分槽骨架不知道单个变压器可行不行 这个要看具体情况了,除了耐压必须过关,还得要铁芯的功率足够。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | UY16磁芯,工作频率75KHZ 原副边绕组是分开绕制的。 |
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| | | | | | | | | | | 绕组损耗大部份是涡流损耗,和磁场分布相关,此即邻近效应也。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 是的,不知26楼的特殊绕法可会是没有槽的分槽绕法 ? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | greendot 老师说的26楼是在指32楼的右图吧? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 在一层副边包裹一层原边的变压器中,实验发现将密绕的原边中间分开3mm后,原本最高
温升的中间匝的发热明显降低;继而拉开中间距离,并在两个绕组的边缘都叠绕数匝后,
发热更低,并且绕组热量变得均匀了,即最热处向两边分散了,中间匝的温升大大降低。
同时整个绕组线包的温升也大大降低了,不知何故? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 记得以前讨论过中间匝最热的机理。
可否实验一下,就是只用DC电流流过线组,看温升的分别,
这样就可以把磁场或分布电容的影响先排除,单看散热的情形。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 根据实验推测,中间最热的原因中,DC的因素也是不能被完全排除的。
但与磁场分布相比,觉得磁场分布占更主要的地位。当然我只是简单地实验,简单地推测。
原边平密绕法 原边偏向绕法
副边完全一样时,原边只要偏向一边多1匝~2匝,最热处就大大地偏向多1匝~2匝的一侧,
证明DC因素小于AC因素。
32楼的左图也是偏向2匝的实验后的原边。
注:实验有局限,结果供参考。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 是AC的结果吧。
一般原副边互相最接近的地方磁场最强,发热最大,
偏多的2匝在最上层的话,就是最热的地方。
原边实在有几匝几层? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 【一般原副边互相最接近的地方磁场最强,发热最大】...这个说到点子上了,所见到过的实验结果基本都是这样
原边1层或2层与副边【多股绞合线】单层的结构都试过,原边偏向发热时,副边也跟着偏向发热。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 或许可以从另一方面考虑
例如:漆包线匝与层之间的分布电容,当输出高压时,这个损耗考虑过吗? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 匝与层之间...我有点似懂非懂,二胡兄弟能否画个示意图 |
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假设你按照常规来绕制这个输出电压达20KV,电流足1A,频率为30KHz变压器。就类似上图。
举例:绕组1-2为输出,电压是20KV,那么一共4层,单层的电压是5KV,一层是50T,匝之间的电压是500V,而层与层之间的电压是5KV+5KV=10KV。10KV的电压+30KHz频率,层与层之间哪怕有个10PF的电容,可想而知,损耗是多少。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | LLC变压器磁芯中柱开气隙了吧?开气隙处最好不要绕线包 |
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| | | | | 由于耐压问题,原本认为可用EE110来做一个2KW~3KW 10KV的先试一下,结果一算耐
压距离与匝数,因铁芯是导体,普通EE型的窗口是没法做到10KV的.....同时,在高压变压
器里,用AP算法估算功率,是没实际意义的.....绕组结构的抗电强度也是设计的主导原则之一。
看来这东东也真不好玩...似乎用多付U铁组合起来是唯一的选择了..... |
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| | | | | | | 那耐压距离与匝数 变压器功率如何计算?
我原本按AP法计算功率和匝数的 可实际运用中的匝数和计算出来的匝数相差甚远! |
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| | | | | | | | | 耐压距离与介质特性有关,一般如需满足宽温条件与长期稳定的可靠性,耐压距离需放数倍的余量。
对于2KV以上的升压变压器,如用环氧树脂做绝缘与导热介质,Np与Ns的距离至少得在4~5mm以上。
Ns得分段绕制,【段】与【段】也需有一定的耐压间距。一般EE磁芯是不适合做2KV以上的变压器的,必需根据不同功率等级,选择UY或UF磁芯。
5KV以上的升压变压器,工艺上更不好处理.....8KV~10KV时,硅胶线都会被电离而拉弧..... |
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| | | | | | | | | | | 请教大师:UY与UF二者的区别在哪? 是否功率大小有关?
600W-800W的高压电源 用哪种性能好点? 我现在最主要的问题就在于副边带载后发热严重。 单个高压包(UY16磁芯)功率拉到750W都可以 ,可是带载老化后,连600W都抗不住,只能用2个高压包串联用。这样成本就高了很多 |
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| | | | | | | | | | | | | 我不是大师,我也刚学做高压变压器。
UY相对功率小些,铁芯截面至少一个是圆型的,老式回扫型升压变压器中用得较多。
UF功率更大些,也方便几付叠加起来使用。
我没见过你的实物,推测UY16最大能出750W也算是可以的了。其实按磁芯体积估算,在高频高压升压变压器时,
UY16的实用功率也就几百瓦,因为必须留出足够的分段绕组【间距】及【散热空间】,否则是无法持续工作的。
【只能用2个高压包串联用】其实是解决温升的不错的方法。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 是指高压DC电源? 是空载静态输出纹波? 还是.....? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 对,高压DC电源,3500V以上的电源,带载后的纹波 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这还真是个说难不很难的难题了!
在1KV以内,采用普通的高压探头,用示波器直接测量DC基值与AC纹波值即可。
在3500V以上,如对精度要求不高,可试试:1. 示波器与被测高压电源用高抗电强度的隔离电源分开隔离供电(抗电强度大于10KV);
2. 根据手上的装备,直接用20KV以上的差分超高压探头对电源进行纹波测试,如是普通高压探头,可先对3500V分压后再测试。
【玩高压非小事】.....操作前必需先熟读设备使用说明书,严格按规范要求操作,并请有经验的人指导陪同,注意人身安全。 |
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| | | | | 回归主题,假设一个变压器的原边与副边的所有条件都完全相同(如n型磁芯,1:1分开绕组,
Np/Ns散热条件相同.....),推测带载时原边的发热量必然大于副边.....在非升压变压器里,
副边空载开路时,副边几乎不再发热,而原边依旧耗能。 |
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这是"原边发热远远大于副边"的一个降压变压器例子,副边已采用“透空”绕法(为了通风散热),增加了Np/Ns耦合距离,
但原边的“中间匝”仍是最热的,从表象推测...【原边发热是远远大于副边】的,但原因还较难正确分析..... |
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| | | | | | | ...【原边发热是远远大于副边】跟 原副边损耗是什么关系? |
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| | | | | | | | | 哈哈...肯定是对应的比例关系了。
问题是为什么原边的损耗会高出“很多”或者“较多”,如何才能让原副边的损耗“差不多”...
图片中的实例是45KHz EE65B无气隙,n=18:6=3 单端正激单相供电时输出约4.5KW,有弱风冷散热,
Np: 2根1.80mm交叉并联绕制,Ns: 0.33mm 140根绞合,透空绕制副边,为的是给原边散热,但仍感原边散热十分“吃紧”.....
原边除了理论上存在线径太大与密绕的问题外,好象也没啥其他不足的了,而且将原边换成多股“李兹”线后,发热并无明显改善。 |
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| | | | | | | | | | | 大师:我的1200V/0.5A:老化之后,总会有高压包副边线圈烧焦的现象.
开关频率:56KHZ
匝比:25:130 原边输入:300VDC
变压器绕制图片如下:
怎么减小副边的热量?我用的是2个高压包,接法如下: |
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| | | | | | | | | | | 设计时估算的原边副边损耗是多小?
好像原边最外的一匝也焦了?
另漏感会不会大了点。 |
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| | | | | | | | | | | | | 只算了导线的DC电流密度,在DC输出130A 34.5V时,原边平均DC电流密度约4.9A/mm^2,
副边平均电流密度约10.9A/mm^2.....除去集肤效应原边电流密度约8.6A/mm^2,也比副边
的10.9A/mm^2要低,但实际AC损耗感觉要大于副边。
原边最外的一匝也焦了__这是背风端的原边,受风端最边上的漆包线还是接近本色的,只是略焦。
漏感40KHz 8.7uH 100KHz 10uH,比紧绕肯定大不少。
设计时并未估算过原边副边的损耗,这个还得请 greendot 老师指教 |
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| | | | | | | | | | | 铜线过电流的大小如何计算的?
单股0.4mm直径的铜线 过0.5A电流可以? |
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| | | | | | | | | | | | | 看你的照片,感觉的确有没做到位的地方。
上两幅横竖截面的中小功率高频高压变压器绕组结构解剖图供你参考。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 线径按工作频率下的“集肤”深度所对应的截面积,取3A~5A/mm^2即可。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 75楼的平密绕法是不适合高频高压变压器的,极易发热与击穿。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 高压变压器副边开路或轻载,有机会跳火,
因为这时Q值比较大,谐振的电压很高。
Q=R*sqrt(C/L) |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我空载的情况下,电源很稳定,磁芯的温度很低,长时间老化没出现过问题。
就是带满载之后,温升会比较快。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这是线包DC阻抗、AC阻抗引起的发热,你得从线径、电流密度、绕制结构等方面着手进行改进。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 0.95mm线径初级单根:25T
0.4mm线径次级单根:180T
改用8槽的副边骨架,平均绕制
开关频率:56KHZ
电源输出:1200V/0.5A
变压器原边输入:300V
效率:85%
移相全桥拓扑
磁芯:UY16
单个高压包用2副磁芯对接
总共2个高压包
这样设计出来之后 线径、工艺上可行? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 槽与槽的间距是多少?每槽是几匝?
56KHz时,0.4mm漆包线除去集肤效应后,有效截面积是多少?这些也都得搞清楚啊,呵呵... |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 56KHZ时,穿透深度为0.2794mm
“设计的时候,只要绕线的线径小于2倍的穿透深度即可。”这个对不?
所以我副边只用了0.4mm的铜线
原边和副边的导线股数公式:WN=I/(J*SW)
K是匝比 J取3~5A/mm2 SW是每根导线的截面积
I 原边电流最大值: P0/η*Vin=600/(0.85*290)=2.434 副边电流最大值: K*I K:匝比
以上计算完毕后,除了原边绕线存在线径过粗外,其他好像都没问题啊
*大师所说的除去集肤效应之后的有效截面积是什么意思?
那这样结论的话,导致次级温升过高,烧焦绕组就是因为没用分槽骨架的原因? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 不好意思,插一句,
假设副边180T共绕3层,考虑集肤+邻近效应,对于56KHz的正弦波来说,0.4mm铜线的有效面积,约只有原来的1/3 ,
原设想 J=3~5A/mm2,实际是 9~15A/mm2 ,
对于DC来说,依然是 3~5A/mm2。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 为什么?
移相全桥拓扑 输出全桥整流
原边电流最大值:I=600/(0.85*290)=2.434A
副边电流I0=K*I=25/180*2.434=0.338A 有效面积1=0.338/4=0.0845(mm2)
56K穿透深度大概是:0.26mm
选0.4mm单根<2倍的穿透深度 有效面积2=pai*r*r=0.1256
副边股数 WN=0.0845/0.1256 <1......
这样计算不对?
“对于56KHz的正弦波来说,0.4mm铜线的有效面积,约只有原来的1/3 ,
原设想 J=3~5A/mm2,实际是 9~15A/mm2 ”这个怎么理解?大师 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 是【邻近效应】增大了导线的高频损耗与高频交流线阻。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 1.6mm槽距 总共8槽
我副边由180匝 改为200匝 每槽:25匝 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 在窗口体积允许时,分槽越多,槽距越远,每槽的匝数越少,即可获得更小的分布电容、更低的
槽间压差、更低的绕组高频交流损耗。当然实际情况是受到各种条件因素的制约的,所以如何分槽、分几槽
都需做一些顾及全面的折衷考虑,一般分槽绕制后,散热条件与高频损耗或多或少都是会有所收获的。
好在你的输出电压不算太高,通过试验改进,相信发热问题是可以得到明显改善的。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 1、加大每周期磁通变化量,减少匝数。
2、一定要分槽。
3、降低设计频率。
以前我遇到过这个问题,上面是我的经验。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 内侧的是分段绕的高压绕组,
外侧的是低压绕组。
图足够清晰了,圈数都能查出来。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 经验之谈!
不过再冒昧地问一下:您所采用的骨架材质、填充材质分别是?
因为这些材质的介电常数、介质损耗、抗电强度、导热性能等等都会影响到最后的成败效果。 |
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| | | | | 回85楼,
不敢说指教,晶老师的变压器经验肯定比我丰富得多。
按常规方法,是将电流波形用Fourier分解成DC,基波,谐波分量,
然后计算各分量在线组上的损耗,它们的和就是总线耗。
您的正激例子里,假设电流波形是占空比0.5的方波,峰值=Ipk,
DC =0.5*Ipk,基波 =0.637*Ipk ,3次谐波 =0.212*Ipk,5次。。。
DC的损耗简单得不用说了。
基波的,45KHz的skin depth δ 是0.35mm,原边线径1.8mm,是δ的5倍多,
原边只一层的话,查Dowell的临近效应曲线,AC线阻是DC线阻的4~5倍,
损耗=0.5*(0.637*Ipk)^2 *4*Rdc =0.8*Ipk^2*Rdc
DC+基波的损耗已是1.05*Ipk^2*Rdc,还未计高次谐波的。 |
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| | | | | | | 我只是积累了一些粗浅的感性认识而已,greendot 老师高深扎实的理论水平才是大家的指路明灯!
对于Fourier分解,我还有一种猜测,虽然其谐波电流的幅值是随频率的提高而递减的,但所造成的损耗可能不一定就象其幅度的递减那样成倍(次)递减。
对于Dowell的临近效应曲线估算AC阻抗,目前基本无异议。但另有一个【双副磁芯叠加使用的温差】现象,是否还可能揭示出其它导致发热的因素存在(纯属猜测)。
【双副磁芯叠加使用的温差】现象是:比如两付EE65B磁芯叠加做变压器,只对一付磁芯放气隙,则有气隙的铁芯温度低,线温也低些,而无气隙的半边铁温线温都较高。 |
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| | | | | | | | | 谐波次数越高,相应的skin depth越小,Rac越大,损耗不会只与其幅值成倍(次)递减。
【双副磁芯叠加使用的温差】现象,直觉是有气隙的铁芯的B低些,铁温低些,
不清楚线组的安排,不是同时包住两个铁芯的吗?为什么会有分别? |
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| | | | | | | | | | | 意思是线包的一边比另一边热? 会不会是受铁芯的温度影响?
晶老师是不是怀疑铁芯的高低磁密会是原因之一? |
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有幸还有骨架可以找到,当时实物是内原边,外副边,一层包一层。其中一付磁芯气隙处有碎沫,并非真的是人为加的气隙。
记得解剖时看到无“气隙”处的原边漆包线线已显焦色,有“气隙”处一侧的线则较新一些。
我猜测的原因与 greendot 老师所想的一样,铁芯的磁密高低是原因之一。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 猜想是无气隙的实在是有自然气隙的,(铁芯大,公差更大),使附近的铜线有气隙损耗而变焦,
有非人为气隙的,因为磁阻大,铁芯的磁密低,虽然边缘效应大点,但磁通量少,气隙损耗反而不高。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 气隙处外泄磁通涡流升温的现象肯定存在,国外文献常有所见,不过凭个人经验估测,
在数KW以上的变压器实例里,这种“气隙温升”的发热所占“总发热量”的比重应该不大。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 有道理,我也是瞎猜,那么差别就不只是在气隙处了哦。
忽略气隙的影响,磁芯磁密不相同的情形下,好像也解释不了线包的问题。(一边比另一边热点?) |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 是的,这个真要搞清楚,估计还得实测几次。但最近连续2次试验高压绕组时无意发现,如4付UF28并联当EE用,
2付有人为气隙时,2次绕组的起火点都在无人为气隙的磁芯的棱角处,让人猜测万千,是否也与磁密有关..... |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 为什么一边要有气隙,另一边没有?像Swinging Choke ? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 哦,这本想是利用手中的机会,实验一下双付磁芯时,单付放气隙的发热情况,可惜在高压实例里得不到明确结果,
不过几经试验,击穿着火点应该与磁芯气隙无关的,只与绝缘层材质的抗电强度的薄弱点有关。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 搞个示意图吧。 而且几KV的电压,绝缘做到位没有。有没有做挡墙,人为的使层与曾之间垫高;试试那种塑封的铜带。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 多谢何工关注支招!
这是匝间放电并起火。
这是铁芯与隔了2mm环氧树脂板加5层0.08聚酯薄膜的高压副边之间还放电晕! |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我个人觉得绝缘垫的宽度应该比绕线带的宽度要宽很多,把选用塑封的铜箔作为绕线是最合适的。如果圈数较少,使用三层绝缘线(铜丝)或者5层绝缘的铜丝。
如此高的电压,变压器应该选择串激式链接。20KV的话,弄个8个,每组3KV(上文 三台高压试验变压器串激工作原理示意图),这样材料上来说的话,才过的了关。否则的话,得弄成电力变压器那种样式了。而且去看高频磁芯做成的等离子切割机的电源,基本上都是好几个变压器串联而成。
有个单臂输出变压器有断文字是这样描述的:
单臂输出变压器:
为了确保高频不至于丢失,必须将初级分段、次级分部、分组间绕以实现初次之间的紧耦合。我们以初级去“迁就”次级=>设法使次级各分部绕组之间除了电压相等、电感相等而外,还实现了电阻相等;我们特意调节次级各分部绕组之间的线径,确保并联后的总载流不变;为了保持每对耦合组之间的占厚不变,我们又特意调整初级各段串联绕组之间的匝数,使串联后的总匝数不变。
对干式小型超高压变压器的特殊绝缘处理是这样描述的:
在系统而深刻地钻研了日本和俄罗斯在干式小型高压变压器方面的大量专著以后、在为医用加速器栅控枪测试台成功地设计制作了干式超高压变压器以后,我们对千瓦/十万伏级干式小型超高压变压器的主绝缘、横绝缘、纵绝缘、外绝缘、总绝缘等方面的工艺流程编写了全套规范文件,我们在全世界第一个提出了横向与纵向立体交织并同步分段、正绕与反绕横向交替并对称分档、段头与段头反向串联/段尾与段尾正向串联、横向段数必须取偶数/纵向段数最好取奇数等一整套特殊绝缘处理方法及其理论依据。针对广州地区湿度大的具体情况,我们采取了有效措施使环氧树脂灌注的收缩引力达到十分理想的平衡程度。---有必要输入他们公司名字,查他们专利或者搜索“干式小型超高压变压器”相关技术文献一定有收获。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 对于超高压变压器的绝缘 目前我们有:环氧树脂浇注式跟非环氧树脂浇注之分。
低压一般用0.18mmDMD(耐热环氧树脂预浸布),高压可以用D279,使用F级或H级环氧树脂;DMD耐热环氧树脂预浸布用来做高压的层间绝缘缺点是不利于树脂渗透。也可以使用
0.45mm的玻璃纤维网格布。漆包线采用改性漆包线(但是价格很高)
如果采用非环氧树脂如果是H级以上的绝缘等级有:1、用NOMEX绝缘纸的410作层间绝缘和高低压间的绝缘。2、用NOMEX的411作端部绝缘。3、也可以用MNM来替代410.除了用绝缘纸外,还可以用:F级环氧树脂带
用途
主要用于变压器铁芯、线圈、拉带紧固。电机、牵引电机、发电机、直流电机、电焊机、高压容器的缠绕和绑扎材料。
技术性
无纬带是绝缘性的优良热固性合成树脂经烘干而成形的半干粘状浸渍胶带。
序号
| 名 称
| B级带指标
| F级带指标
| H级环氧带指标
| 1
| 拉伸强度(N /mm<sup style="vertical-align:top;">2[/sup])
| ≮784
| ≮784
| ≮784
| 2
| 连续使用温度℃
| ≮125
| ≮155
| ≮155
| 3
| 挥发物(%)
| 1.5±0.5
| 2.5±0.5
| 2±3
| 4
| 可溶性(%)
| ≮90
| ≮90
| ≮90
| 5
| 含胶量(%)
| 27±3
| 27±3
| 26±3
| 6
| 厚度(mm)
| 0.17/0.20
| 0.17/0.20
| 0.17/0.20
| 7
| 宽度(mm)
| 50-10
| 50-10
| 50-10
| 8
| 卷装长度(mm)
| 可根据需要
| 可根据需要
| 可根据需要
| 资料来源:上海特祥电器绝缘材料有限公司
寿工图所示的变压器层间绝缘的胶带为一般B级变压器绝缘使用的胶带,主要成份:玛拉片(Mylar)、氩克力胶水。 耐温:130℃。 耐压:4.5kV。 特性:长66m的阻燃,长50m的不阻燃。
变压器的绝缘等级,并不是绝缘强度的概念,而是允许的温升的标准,即绝缘等级是指其所用绝缘材料的耐热等级,分A、E、B、F、H级。绝缘的温度等级分为 A级 E级 B级 F级 H级。各绝缘等级具体允许温升标准如下:
绝 缘 等 级 A E B F H N C
最高运行温度℃ 105 120 130 155 180 200 220
绕组最高允许温升K 60 75 80 100 125 135 150----------------------------------------------------------------------------------------------------
第四种选择:
-------------------------------------------------------------------------------------------
参考资料:
醋酸布胶带.doc
电感器磁芯材料性能比较表.pdf
变压器的绝缘材料和工艺的选择.doc
环氧树脂浇注式和NOMEX纸绝缘浸漆式干式变压器的技术.pdf |
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| | | | | 对于高压绕组的副边,在无填充物时,容易产生层间电晕(非击穿起火),见图:
这是高压绕组内部层间放电电晕(蓝色火光),不消除它时间一久仍将升温起火,
而用高压填充料填充时,由于填充料的介电常数一般比空气大,加填充料后大部分可测到原边电流上升,效率有所降低。 |
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| | | | | | | 高压包如果线径 和 匝比 磁芯取值合适的话
带满载后,温升还是比较高,跟输出整流部分有没有关系?
全桥整流,整流管比较烫,2阶LC滤波。输出滤波电感上也比较烫。 |
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| | | | xkw1cn- 积分:131431
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积分:131431 版主 | | | | | 有关系!
高压小功率变压器是典型的松耦合。一次、二次电流都会在临近绕组产生涡流感应效应。 |
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| | | | | | | | | | | 许工,有什么好的办法解决整流部分的问题?
我整流桥 每个桥臂用的是 4个HER208串联
输出一阶电感量3mH、1UF的X电容 2阶电感1mH 1UF的X电容 |
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| | | | | | | | | 肯定跟输出整流部分有关系!
其中二极管的反向恢复速度也将影响到副边绕组的温升。 |
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| | | | xkw1cn- 积分:131431
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积分:131431 版主 | | | | | 电晕是设计的曲率半径过小;导致局部电场过高而引起的。
优化设计、真空环氧浇筑、油浸、SE6密封都可以解决电晕问题。 |
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| | | | | | | | | | | 你说对,但产生电晕的根本原因还是绝缘强度不够。
①与海拔高度有关.海拔越高,空气越稀薄,则起晕放电电压越低.
②与湿度有关.湿度增加,表面电阻率降低,起晕电压下降.
③端部高阻防晕层与温度有关.如常温下高阻防晕层阻值高,则温度升高其起晕电压也提高.常温下如高阻防晕层阻值偏低,起晕电压随温度升高而下降.
④槽部电晕与槽壁间隙有关.线棒与铁芯线槽壁间的间隙会使槽部防晕层和铁芯间产生电火花放电.环氧粉云母绝缘最易产生局部放电的危险间隙在是O.2~0.3mm左右.目前我国高压大电机采用的环氧粉云母绝缘的线膨胀系数很小,在正常运行条件下,环氧粉云母绝缘的线棒的膨胀量不能填充线棒和铁芯间的间隙.这是与黑绝缘区别比较大的地方.
⑤与线棒所处部位的电位和电场分布有关.越高越易起晕,电场分布越不均匀越易起晕.
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| | | | | | xkw1cn- 积分:131431
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积分:131431 版主 | | | | | | | 不知在哪看到,搬到了这。可惜很多是错的!
1)海拔与电晕爆发阀值有关,但不是单调的。例如;如果海拔高到大气层外还有电晕这说吗?理解一下巴升曲线,你的认识会有质的飞跃。
2)无论沿面放电还是电晕;和湿度有关,但非单调。在25C下每立方空气含8克时的击穿电压最高,湿度再低或再高都会降低放电电压值。
至于表面电阻对气体放电的影响,和湿度关系随物质清水性而异。说白了;是介电常数及体电阻对沿面场强的畸变导致局部场强升高而会提高或降低气体放电电压。
3)端部放电不和高祖相关;而和介电常数及曲率半径、气体放电阀值有关。低阻物质等效的增大了曲率半径;可以提高放电电压,但;本质是 曲率半径!
温度不是放电电压变化的直接因素,单位体积的摩尔数是影响的根本原因。
4)槽部电晕和绝缘介质介电常数、电阻率、曲率半径、工作频率有关。我国大功率高压电机是用半导体绝缘材料处理出线电晕问题。这就是相对低电阻率材料被用来等效增加曲率半径的典型实例。
5)曲率半径及绝缘材料的复合使用、气体放电阀值大小、频率大体决定了起晕电压。合理的设计;可以避免电晕爆发。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 看到“电晕” 两字网上搜索下了,看我理解的电晕跟标准的定义是否一致。上面的那断文字是拷贝的。下面那图是一本介绍特斯拉效果资料中截图的。
能否来个图文呢。 这个“曲率半径” “巴升曲线” 很陌生呢。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 何工:我凭我见到过的电晕,觉的有点类似“尖端放电”的原理。
抗电强度达到15KV/mm的硫化硅胶,5mm厚的表面也能有电晕产生。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | “尖端放电”这词专业性,搜索了一下才。终于理解徐工上面提到的,“强电场”跟 “曲率半径” 是怎么回事了;想象力丰富下,这不跟天龙八部里头的一阳指一样了么,能量集中在一点。
这个视频非常有意思。 |
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| | | | | 对于线包发热,过去认为原副边之间会最热,现试验了特种结构,结果觉得让人难以定论。
在无风冷,输出DC 90A 46V时,最初几秒钟里,绿色层温度急剧升高,红色层升得慢一些。
20多秒后,红色层温升赶上绿色层,至50秒~60秒时,红色高于绿色8度~9度,之后红、绿
同步上升,温差基本不变..... |
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| | | | | | | | | 是的,红绿都是原边,只是每根漆包线【一半占第一层(绿),另一半占第二层(红)】,共2根漆包线交叉绕制,最后再并联。
今天细想之后这个模型并不能“很好地、正确地”反应出Np/Ns的温升情况,准备择日重做。 |
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| | | xkw1cn- 积分:131431
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积分:131431 版主 | | | | 红色指的是白色部分还是漆包线部分?这变压器的漆包线咋这么粗? |
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| | | | | | | | | 许工:白色的不是粗,而是数百根绞合而成的啊,呵呵...
总体这次没测好,【红色处】实际测试点是在【中间匝的原副边之间】,而绿色处测试点位置在边上第1匝处。
准备重做..... |
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| | | | | xkw1cn- 积分:131431
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积分:131431 版主 | | | | | | |
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| | | | | | | | | | | | | 红外成像测表面是平面的或单一温度的物体时的确不错,但测局部温度差别或与非平面复杂的物体时,有时也会有较大的误差。 |
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| | | | | | | | | 呵呵...小占您可能是误会了,这个模型主要是为了测试关于Np/Ns之间最热的说法的。 |
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| | | | | 看来Np/Ns之间最热的说法是有根据的,
在30KHz D=0.5全桥时,多次测试都是:接近副边的原边的温升要
大于远离副边的原边的温升,即外层原边温升要高于内层原边的温升。
图为实验时3个并联的0.51欧/3W电阻上的实测电压波形。 |
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| | | | | | | 原边波形上升前和下降后的中心线怎么会不在0V位置? |
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| | | | | | | 我搞了好几个高压包,做出来之后,关于温升问题真的是非常难解决。
要么磁芯烫,要么线圈烫,都失去信心了。。。。。。
现在直接把自认为最合适的匝比和线径取值给定下来了, 实验只做了8个小时满功率老化,但愿今后不会出问题。 |
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| | | | | | | | | 小占:方便的话最好上个照片,看看高压绕组的绕制结构是否有问题。 |
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| | | | | | | | | | | | | 首先闷在盒子里,散热通风不良.....
看不到改良后的高压绕组结构啊? |
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| | | | | | | | | | | | | | | 高压绕组内部是8个槽,导线平均分段绕制,全部由环氧树脂封住了。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 那你在原边附近绕1匝,再在副边附近绕1匝,然后正常带载使用,这时用双踪示波器比较两个1匝的波形,把波形发上来,即能发现问题。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 哦 ,那等几天我再做高压电源的时候测试下看看。
最近的高压电源被我灌封了。 |
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| | | | | | xkw1cn- 积分:131431
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- 帖子:55631
积分:131431 版主 | | | | | | | 二次高壓包太粗了!这就是发热的主要原因之一。建议用高压包的骨架绕制。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 二次高压包的线径是0.4mm的线,内部有分槽骨架。引出线只是用高压导线做连接线。
现在高压包磁芯有点烫,原副边的热量还好。 |
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但当把频率调高到100KHz D=0.8时,远离副边的内层原边的温升就反过来要大于接近副边的第二层原边的温升了。
说明:原边为内外2个1.18mm 漆包线24匝串联,副边为0.1mm 宽32mm的铜箔1匝,负载0.17欧,图为0.17欧上之电压波形。
个人看法:100KHz时内层温升高于外层猜测与过多的匝数有关。
实验有局限,结果供参考。 |
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| | | | | | | | | 何工:整个电路是全桥拓扑,148楼的第一、第二张照片分别是原边绕组的第一层与第二,
它们是同相串联的,即实验时的原边是24匝+24匝串联,共48匝,副边是1匝铜箔,
但3各绕组之间是没有直接接触的,为的是防止热传导,负载是3个0.51欧并联成0.17欧。
两个波形是在0.17欧上测得的。
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| | | | | | | 按有限的理解,频率越高,原边内外层的损耗差异越大,至于温升的差异,就要看散热条件了,
100KHz时,内层会不会受磁芯热量影响?因为比起30KHz时,磁芯损耗大了约5倍哟。 |
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| | | | | | | | | 当是的确是没考虑到磁芯的发热会对第一个绕组的温升有影响。
请教 greendot 老师【磁芯损耗大了约5倍】的计算方法... |
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| | | | | | | | | | | 不知道磁芯的材质,假设是PC40,单位体积铁损 Pv=k*f1.3*B2.6 (约数,当正弦波计)
B当作不变,单就频率f增大3.3倍,Pv已增大4.7倍,。。
突然发觉我错了,频率提高,虽然D增大了,B实际是减小了,Pv反而更小了。 |
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| | | | | | | | | | | | | 我有一次别人问我,双副EE55C叠加时原边最少是12匝,如频率不变,拆开单副EE55C再串联,
原边应是几匝?我马上回答:是单个EE55C 绕6匝,再2个串联,结果让人家炸管了... |
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继续加大输出功率测试,在30KHz时,虽然原边外层只高一点点温度(高出摄氏1度),但以可以肯定接近副边的原边更热这个结论。
而对于100KHz的【内层更热的说法】今天觉得【说法欠妥】,虽然测得的结果是内层稍高一些(也是高摄氏1度),但之后也是接近同步上升的,
因为内层的线包质量小于外层的线包质量,即使两层原边发热两相等,也会是内层温度较高,所以还不能说【100KHz时就会使内层更热】,但30KHz
时,的确是符合【原副之间最热】的这个说法的。同时今天还发现在一定的输出功率下,两个原边温差可以测出,但功率过大或过小时,两个原边温差
似乎很小了,以致测不准。 |
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| | | | | | | 晶老师,相差摄氏1度,实在证明不了什么啊。
估计外层的直径是内层的1.3倍,于是Rdc和散热表面积也是1.3倍,
如果通过直流电,线耗亦是1.3倍,散热条件一样的话,温升大概是一样的, [ 假设 ΔT≈(P/As)n ],
从图片看,内层的表面积似乎是给堵死了一大半,DC电流下,温升较大是合理的,这个可以实验证实一下。
事实上通过的是AC电流,在线径比集肤深度大得多的情形下,外层的Rac和损耗,比起内层的,应该大得多,(就Rdc这个基数已大了1.3倍,这里忽略分布电容的影响),现在温差几乎一样,是不是还是散热的问题,还是对变压器的理解不够? |
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| | | | | | | | | 我也被眼前的所见搞得很晕...
也说不出个所以然来。之前说外层热是考虑了外圈绕组质量大,获得与内圈一样的温度会
需更多的热量,所以就认为:【与副边近的原边会更热】。
不过等有时间了,再搞个数KW级的模型,也许能得到有说服力的结果。 |
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| | | | | | | | | | | 建议用DC电流流过原边,看内外温升的差别,先弄清楚散热的问题,然后再研究AC现象。 |
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| | | | | | | | | | | | | 用纯DC电流测试更晕了,呵呵,真是没想到的事。
将两个线圈都拿出来,无风冷自然散热,通2A、5A两个线圈温升没差别!8A时大线圈稍高
一点点,气温30~31度时,历经1分30秒后,大线圈46度,小线圈45度,两个线圈同步上
升,时差才数秒钟,小的到46度,大的就升为47度.....温度同步上升,温差也为1度。
后测DC16A,温度上升是快些了,1分30秒后达到80度左右,大、小线圈达到相同温度的
时差也才数秒钟,不到5秒,小的达到80度,大的就升到81.5度.....
整体还是高频AC时的温升差别明显些,几秒到十几秒温升就有可测出的差别,几十秒温差
就可达1度左右。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 呵呵,晶老师的实验是不是把线圈从磁芯取出,然后物理上分开两个,各有各的测?
如果是这样,结果很合理啊。
原本意思是保存变压器的结构不变来测的(线圈不拿出来),因为觉得内层散热不好,估计会热些。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 是的。
请 greendot 老师有时间的话猜测一下在加载时,内层24匝与外层24匝的电压波形会是怎样的?
我已有输出4个电阻由0.51欧换为4个0.18欧后,实测的24匝+24匝的电压波形(日后上传),在“吃足”功率时,
外层24匝上的温升的确要比内层温升上升快很多,但100KHz时,内层的温升比30KHz时更快。 |
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幸好昨天没发上来,那4个0.22/3W(非0.18欧,当时拿错了)的电阻不足数分钟,就烧开路一个,其余3个均阻值变大,
拆下来一测,并联的总阻值已是0.155欧左右,而非0.055欧了。估计两个原边波形是在最后(测完温度后)带载0.155欧时所测得。
在100KHz(略高)时,CH1、CH2都是X10档,测得的外层24匝、内层24匝电压波形,不计尖峰,电压幅度相差达约15倍之多! |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 外层蓝色,内层红色?加起来是输入电压的倍数吧。30KHz时又是怎样的?
看来是链接的dφ/dt不一样,难道是分隔得太开,部分磁通漏掉了? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | greendot 老师、众位兄弟不好意思啊!
今细察才发现前天实验的24匝线包绕组已有数匝的匝间短路,与副边铜箔已熔化粘连,所以才有前面2个24匝绕组电压相差达15倍的现象。
重测波形见后面帖子..... |
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| | | | | | | | | | | 可能大家对【与副边近的原边会更热】的机理的理解有所不同。
下面是个原边导线的电流密度分布图(线径几倍大于集肤深度,副边有电流时)
可见外层的损耗是比内层大的,像您的例子里,损耗不是1.3倍,而是几倍。 |
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| | | | | | | | | | | | | 我猜测 greendot 老师的这幅图的副边可能是铜箔...
如副边是绕组,热分布会是:
最热会在中间。 |
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| | | | | | | | | 呵呵,小占,是我没讲清楚让你误会了,波形是只配合前帖的说明而已,并不是说看得出温升。 |
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| | | | | 禅诗老师,我想问下,你这个20KW的变压器是干式的还是油浸的?体积有多大呢?最近老师让帮忙整理一个项目,对方要求将一个15kW的高频变压器放在体积有限的密闭环境中工作。变压器的体积和设计让人很头疼。 |
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| | | | | | | 这个20KW做干式已不太合适了(对高压变压器而言的),必需用油浸式的。
但开始实验时的3KW~5KW,我在用干式风冷的方法先【闹着玩】,以摸索总结一些经验。
15KW体积有限还要求密闭??? |
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| | | | | | | | | 是啊,那个人对这方面不是很懂。要将整个充电、放电的系统放在一个长1m,直径0.5m的圆筒内,密闭置于水中工作。 |
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| | | | | | | | | | | 要是【置于水中工作】,那到也有办法好想了..... |
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| | | | | | | | | 寿工,我现在明白您为何关注非晶变压器了。用非晶磁材,能获得更低的损耗,更高的居里温度,更高的磁导磁率和更高的磁饱和强度,PC40 Mn-Zn材质磁芯最佳频率为250KHZ以上,1MHz以下。非晶适用于频率25KHZ以内,最佳为18KHZ。----文献上这么讲的。 |
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副边空载时,内、外层2个24匝的绕组电压波形基本重合。
当副边1匝 铜箔加载0.12欧后,内层24匝的电压(红色)波就会大于外层24匝(蓝色)的电压波。 |
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局部放大后
100KHz与30KHz情况都一样,加载后与副边接近的原边的电压会稍低一些。 |
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| | | xkw1cn- 积分:131431
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积分:131431 版主 | | | | 去磁现象!用T型电路等效一下就容易理解了。 |
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| | | | | | | | | 许工:我把2个24匝反相串联,即给2个24匝的漏感励磁,那温升快啊
空载电压波成这样了:
猜猜那个是内层的? |
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| | | | | xkw1cn- 积分:131431
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积分:131431 版主 | | | | | | 作孽啊!这番折腾!连红蓝都给翻啦! |
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| | | | | | | | | | | | | 不好意思,断章取义的波形,又误导大家了
红、蓝得基准不是在同一水平线上。
由于不是专门针对做【反相串联漏感励磁】的,所以有点马虎从事... |
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| | | | | | | | | | | 波形看来像LC串联谐振,其中一层的表现是L(红线),另一层是C(蓝线),
而每一层本身可看做是LC并联,这里C是寄生电容,
到底哪一层的LC并联,在激励下呈感性、容性?
有具体数据比较容易判断。
另请教许版,如何用T模型,解释201楼的图呢? |
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| | | | | | xkw1cn- 积分:131431
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积分:131431 版主 | | | | | | | Greendot老师,你觉得是不是很象LLC带重载时的二次输出及一次电容波形? |
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| | | | | | | | xkw1cn- 积分:131431
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积分:131431 版主 | | | | | | | | | 兰的象一次电流;红的象二次电压? |
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| | | | | | | | | | | | | 要数据不难,过几日测来就是。
从新玩一下这个实验也是很有意义的,两个原边的漏感,也就是两个原边的差别所在,没差别就没漏感了。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 我205楼的分析是不对的,再看实在不是LC谐振(针对203楼图)。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 两个原边的感量相差极小,40KHz测: 内层2.21mH 外层2.29mH
100KHz测: 内层2.24mH 外层2.32mH
40KHz与100KHz 的 漏感极接近,7uH~9uH,摆正相对位置时为8uH。
用正弦波测试得到的漏感值,总觉得少了点什么..... |
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| | | | | 初、次级改用利茨线(多股线)可以解决发热问题,以前有碰到过类似问题的。希望对你有用,少走弯路。 |
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| | | | | | | 感谢这位兄弟提供的经验!
在特定的拓扑、特定的绕组结构、特定的工作频率条件下,[初、次级改用利茨线(多股线)可以解决发热问题].....的确是很有效的方法。 |
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| | | | | | | | | 寿工参照下这种铜线的编制方法:2个类似EE55的变压器【骨架是天津的一家公司做的,名字一下子想不起来了】功率做到3800W的功率。峰值7000W。手感很温和,比一般车载及光伏逆变器的温度凉快多了。
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| | | | | | | | | | | 不错!
感谢何工的支持!
我反反复复看了好久,可惜看不到内在的绕组结构,只能凭想象推测其绕法.....
3800W也不算小了,不知在摄氏25度环境下,持续满功率输出时,变压器温升会达到多少? |
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| | | | | 如果没有铜损,绕组按理是不该会发热的吧,不同之处是引致铜损的原因。 |
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| | | | | 线材的绝缘漆膜、层间的绝缘披覆 或灌封浇铸物料,它们的介质损耗 能有多大,在阁下的讨论中 又是否包含此范畴? |
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| | | | | | | 包含啊。
这个用测试谐振频率的方法可以发现,未灌封前,fr会更高些。但介质损耗的增大,一般条件下不太容易精确计算。 |
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| | | | | 前段时间,一个硬开关全桥产品的MOS管从PE50换成17N80,结果,老烧高频变压器,同样变压器放在同样用17N80的同功率移相全桥上则一点问题没有,很是奇怪,怀疑和寄生参数有关,单一直没能分析出来。
在此贴抢个站位听讲,看是否能找到思路。 |
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| | | | | | | 猜测由于硬开关与谐振电源的工况是完全不同的,所以对变压器分布参数的要求
也不一样,再者不同MOS的开关特性也是存在一定差别的,与变压器有一个最佳匹配问题。 |
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| | | | | 建议最好用比较通用的BOBBIN,不然成型了,变压器工厂不能生产... |
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