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反激变压器气隙与漏感有没有关系

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chxm8789

chxm8789
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2013-5-14 23:09:54

反激变压器气隙与漏感有没有关系，之前一直以为气隙加大，漏感会变大，看了里面的讨论，好像气隙跟漏感是没有关系的，又有人说实际是气隙加大，漏感会变小？明早我实验在实测下。有没有人在讨论下，有点迷糊了。
还有推挽变压器加点气隙可以防止饱和，我现在是在EE变压器边柱垫了层绝缘胶纸，这样可不可以，气隙是否太大了？推挽变压器的电感量是否就是按这个气隙来定的？
问题有点多，先谢谢大家了!

收藏1

		2 心囚蓝魔心囚蓝魔离线 LV8 副总工程师积分：4537 \| 主题：25 \| 帖子：1873 访问空间发消息积分:4537 LV8 副总工程师 2013-5-14 23:19:27
		我认为和气息没有关系，主要和绕组之间的绕制的顺序和工艺水平和绕组的层数有关回复 \| 举报 \|

			3 zhaohua2764 zhaohua2764 离线 LV10 总工程师积分：11183 \| 主题：40 \| 帖子：3774 访问空间发消息积分:11183 LV10 总工程师 2013-5-15 06:39:21
			[size=14.399999618530273px]怎么会没关系？愿听高论。回复 \| 举报 \|

				6 心囚蓝魔心囚蓝魔离线 LV8 副总工程师积分：4537 \| 主题：25 \| 帖子：1873 访问空间发消息积分:4537 LV8 副总工程师 2013-5-15 08:31:39
				我认为是没有关系，如果有关系你说明一下两者之间是什么关系吧，依据是什么回复 \| 举报 \|

					8 chxm8789 chxm8789 离线 LV6 高级工程师积分：1036 \| 主题：12 \| 帖子：228 访问空间发消息积分:1036 LV6 高级工程师 2013-5-15 09:44:40
					你的说法是对的，漏感应该主要和绕组之间的绕制的顺序和工艺水平和绕组的层数有关，跟气隙没关系。刚测试了个推挽变压器，实际情况加气隙跟没加气隙，漏感没变化。回复 \| 举报 \|

		4 Coming.Lu Coming.Lu 离线 LV7 版主积分：50193 \| 主题：39 \| 帖子：15999 访问空间发消息积分:50193 版主 2013-5-15 07:46:09
		和气隙没有直接关系。回复 \| 举报 \|

			5 蒋洪涛蒋洪涛离线 LV8 副总工程师积分：2086 \| 主题：36 \| 帖子：771 访问空间发消息积分:2086 LV8 副总工程师 2013-5-15 08:29:10
			有没有什么条件啦，比如匝比线径一致时来做比较回复 \| 举报 \|

			7 chxm8789 chxm8789 离线 LV6 高级工程师积分：1036 \| 主题：12 \| 帖子：228 访问空间发消息积分:1036 LV6 高级工程师 2013-5-15 09:42:18
			陆版，你说的是对的，刚拿了个推挽变压器测试了下，有垫气隙跟没垫气隙，漏感没变化。还是想请教下，推挽变压器不是说加气隙可以防止饱和，跟没气隙的相比，有没有什么缺点？回复 \| 举报 \|

				18 Coming.Lu Coming.Lu 离线 LV7 版主积分：50193 \| 主题：39 \| 帖子：15999 访问空间发消息积分:50193 版主 2013-5-15 13:29:55
				以前用推挽时多是用开环的，也没加过气隙。这个问题，还真不太了解。回复 \| 举报 \|

			32 小学弟小学弟离线 LV6 高级工程师积分：658 \| 主题：23 \| 帖子：138 访问空间发消息积分:658 LV6 高级工程师最新回复 2016-7-16 16:23:51 倒数1
			前辈，我自己绕了一个反激变压器，将副边接在一起时，漏感居然和原边差不多，甚至比原边略大一点，我绕的只有一个输入，一个输出回复 \| 举报 \|

		9 eric.wentx eric.wentx 离线 LV7 版主积分：46973 \| 主题：485 \| 帖子：17006 访问空间发消息积分:46973 版主 2013-5-15 12:05:30
		反激,气隙越大,磁不就漏得越多吗? 回复 \| 举报 \|

			11 心囚蓝魔心囚蓝魔离线 LV8 副总工程师积分：4537 \| 主题：25 \| 帖子：1873 访问空间发消息积分:4537 LV8 副总工程师 2013-5-15 12:17:03
			漏感和漏磁是一个概念吗？气息变大，激磁电感会减小，漏感不变，所以其所占的比重会变大了回复 \| 举报 \|

		10 btclass btclass 离线 LV6 高级工程师积分：1648 \| 主题：7 \| 帖子：423 访问空间发消息积分:1648 LV6 高级工程师 2013-5-15 12:13:27
		没直接关系。玩过LLC的知道。飞兆有篇文章有个表格对比。回复 \| 举报 \|

			12 zhaohua2764 zhaohua2764 离线 LV10 总工程师积分：11183 \| 主题：40 \| 帖子：3774 访问空间发消息积分:11183 LV10 总工程师 2013-5-15 12:19:14
			难道漏感仅指“耦合强度”，不包括磁场的泄漏？回复 \| 举报 \|

		13 小凡凡小凡凡离线 LV8 副总工程师积分：3158 \| 主题：24 \| 帖子：1175 访问空间发消息积分:3158 LV8 副总工程师 2013-5-15 12:29:49
		"反激变压器气隙与漏感有没有关系" 做个假设，不加气隙（或者是0.1MM），NP=50T，NS=5T（短路），LP=1MH，LS=20UH（2%的漏感）。绕组结构保持不变，然后去掉磁芯（磁路长度为纯粹的空气），LS=？还是20UH吗？可以试试...... 回复 \| 举报 \|

			14 心囚蓝魔心囚蓝魔离线 LV8 副总工程师积分：4537 \| 主题：25 \| 帖子：1873 访问空间发消息积分:4537 LV8 副总工程师 2013-5-15 12:33:36
			哈哈支持测试回复 \| 举报 \|

				15 拒绝变帅拒绝变帅离线 LV10 总工程师积分：13659 \| 主题：66 \| 帖子：5527 访问空间发消息积分:13659 LV10 总工程师 2013-5-15 12:41:35
				气隙与漏感的关系就像PF值与效率的关系一样。都是人为把本没有关系的它们强扯在一起，如果非要钻牛角尖，找些特例，那还是可以认为有点关系的。回复 \| 举报 \|

					16 小凡凡小凡凡离线 LV8 副总工程师积分：3158 \| 主题：24 \| 帖子：1175 访问空间发消息积分:3158 LV8 副总工程师 2013-5-15 12:53:53
					漏感的本质定义就是磁通泄露量的多少（用百分比表示，也可以描述磁性元件的耦合程度），显然，气隙会对耦合程度会产生直接影响。绕组结构不变，气隙增大，原边电感量肯定是会变化的。而漏感是相对LP而言的，必须用百分比表示，而不是具体的数值！如果LP不同，单纯比较LS没有意义。磁通泄露量的多少（百分比，相对LP）与磁通泄露量的大小(具体值)是两层意思。回复 \| 举报 \|

						17 zhaohua2764 zhaohua2764 离线 LV10 总工程师积分：11183 \| 主题：40 \| 帖子：3774 访问空间发消息积分:11183 LV10 总工程师 2013-5-15 13:02:15
						相对值和绝对值。。。回复 \| 举报 \|

						19 btclass btclass 离线 LV6 高级工程师积分：1648 \| 主题：7 \| 帖子：423 访问空间发消息积分:1648 LV6 高级工程师 2013-5-15 14:02:29
						不是百分比吧。没看表格？回复 \| 举报 \|

						20 心囚蓝魔心囚蓝魔离线 LV8 副总工程师积分：4537 \| 主题：25 \| 帖子：1873 访问空间发消息积分:4537 LV8 副总工程师 2013-5-15 16:40:06
						漏感是相对LP而言的，必须用百分比表示，而不是具体的数值！[size=13.63636302947998px] 如果LP不同，单纯比较LS没有意义。 [size=13.63636302947998px] 单独的LS没有意义如何理解？回复 \| 举报 \|

							21 btclass btclass 离线 LV6 高级工程师积分：1648 \| 主题：7 \| 帖子：423 访问空间发消息积分:1648 LV6 高级工程师 2013-5-15 18:26:41
							我估计是这样的。反激变压器对漏感要求高，漏感要控制的很小，所以气隙对漏感有较大影响的。几个UH的变化，都比较可观。 LLC需要大的漏感，如果外界的因素影响一些小的变化，在如此大的漏感量下，是微不足道的。回复 \| 举报 \|

								22 zhaohua2764 zhaohua2764 离线 LV10 总工程师积分：11183 \| 主题：40 \| 帖子：3774 访问空间发消息积分:11183 LV10 总工程师 2013-5-15 18:34:28
								如此的解释，应当是合乎逻辑的。回复 \| 举报 \|

							25 小凡凡小凡凡离线 LV8 副总工程师积分：3158 \| 主题：24 \| 帖子：1175 访问空间发消息积分:3158 LV8 副总工程师 2013-5-15 18:56:39 倒数8
							例如，已知LP=100UH，LS=10UH，假如原边存储100W，那么漏感存储的能量大概是10W左右（不精确去分配）。已知LP=1000UH，LS=10UH，假如输出100W，那么漏感存储的能量大概是1W左右（不精确分配）。同样是LS=10UH，差别显而易见！这就是单独讨论LS没有意义的原因。回复 \| 举报 \|

						29 forget forget 离线 LV8 副总工程师积分：2492 \| 主题：41 \| 帖子：654 访问空间发消息积分:2492 LV8 副总工程师 2014-3-20 21:31:25 倒数4
						嗯嗯哪，感觉气隙越大，漏感越大。回复 \| 举报 \|

							30 eric.wentx eric.wentx 离线 LV7 版主积分：46973 \| 主题：485 \| 帖子：17006 访问空间发消息积分:46973 版主 2014-3-20 21:33:39 倒数3
							本来就是气隙越大,漏感就越大啊. 回复 \| 举报 \|

		23 nc965 nc965 在线 LV7 版主积分：93742 \| 主题：115 \| 帖子：27377 访问空间发消息积分:93742 版主 2013-5-15 18:44:55 倒数10
		如果原边付边绕法耦合度很好，比如双线并饶或者用同轴电缆绕制，气隙跟漏感关系就小。回复 \| 举报 \|

		24 wfx12 wfx12 离线 LV2 本网技师积分：152 \| 主题：3 \| 帖子：15 访问空间发消息积分:152 LV2 本网技师 2013-5-15 18:48:05 倒数9
		磁集成的LLC变压器，漏感和气隙没关系。回复 \| 举报 \|

			26 小凡凡小凡凡离线 LV8 副总工程师积分：3158 \| 主题：24 \| 帖子：1175 访问空间发消息积分:3158 LV8 副总工程师 2013-5-15 19:03:19 倒数7
			绕组结构不变，漏感和气隙没关系。这是是基于：BAC=VTON/AENP 在TON、AE、NP不变的前提下，如果BAC也没有变化，所以LS不会改变。现在的问题很明白了，气隙会影响磁芯截面积AE吗？如果气隙增大，AE怎么办？..........不变？.......增大？......减小？回复 \| 举报 \|

				27 小凡凡小凡凡离线 LV8 副总工程师积分：3158 \| 主题：24 \| 帖子：1175 访问空间发消息积分:3158 LV8 副总工程师 2013-5-15 19:46:35 倒数6
				补充说明：漏感和气隙存在关系，是因为气隙会影响（尽管不明显）到磁芯的截面积AE，也就是气隙会影响到磁通密度的变化。而电感量（不管是LP还是LS）的定义，与磁通密度是紧密相连的，所以.......... 在相同的绕组结构中，无气隙和无磁芯这两个极端的例子就足以充分说明。回复 \| 举报 \|

					28 心囚蓝魔心囚蓝魔离线 LV8 副总工程师积分：4537 \| 主题：25 \| 帖子：1873 访问空间发消息积分:4537 LV8 副总工程师 2013-5-15 20:22:48 倒数5
					在相同的绕组结构中，无气隙和无磁芯这两个极端的例子就足以充分说明。这两种情况漏感分别是？回复 \| 举报 \|

		31 初学焊机初学焊机离线 LV3 助理工程师积分：247 \| 主题：8 \| 帖子：64 访问空间发消息积分:247 LV3 助理工程师 2014-3-21 21:45:57 倒数2
		应该结合饶组结够来分析吧！回复 \| 举报 \|

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