 |  | | | | 我认为和气息没有关系，主要和绕组之间的绕制的顺序和工艺水平和绕组的层数有关 |
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|  | | | | | | [size=14.399999618530273px]怎么会没关系？愿听高论。 |
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| | | | | | | | | 我认为是没有关系，如果有关系你说明一下两者之间是什么关系吧，依据是什么 |
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| | | |  | | | | | | | 你的说法是对的，漏感应该主要和绕组之间的绕制的顺序和工艺水平和绕组的层数有关，跟气隙没关系。刚测试了个推挽变压器，实际情况加气隙跟没加气隙，漏感没变化。 |
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| | | | | | | 陆版，你说的是对的，刚拿了个推挽变压器测试了下，有垫气隙跟没垫气隙，漏感没变化。还是想请教下，推挽变压器不是说加气隙可以防止饱和，跟没气隙的相比，有没有什么缺点？ |
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| | | | | | | | | 以前用推挽时多是用开环的，也没加过气隙。
这个问题，还真不太了解。 |
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| | | | | | | 前辈，我自己绕了一个反激变压器，将副边接在一起时，漏感居然和原边差不多，甚至比原边略大一点，我绕的只有一个输入，一个输出
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| | | | | | | 漏感和漏磁是一个概念吗？气息变大，激磁电感会减小，漏感不变，所以其所占的比重会变大了 |
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| | | | | "反激变压器气隙与漏感有没有关系"
做个假设，不加气隙（或者是0.1MM），NP=50T，NS=5T（短路），LP=1MH，LS=20UH（2%的漏感）。
绕组结构保持不变，然后去掉磁芯（磁路长度为纯粹的空气），LS=？
还是20UH吗？可以试试...... |
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| | | | | | | | | 气隙与漏感的关系就像PF值与效率的关系一样。
都是人为把本没有关系的它们强扯在一起，如果非要钻牛角尖，找些特例，那还是可以认为有点关系的。 |
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| | | | | | | | | | | 漏感的本质定义就是磁通泄露量的多少（用百分比表示，也可以描述磁性元件的耦合程度），显然，气隙会对耦合程度会产生直接影响。
绕组结构不变，气隙增大，原边电感量肯定是会变化的。
而漏感是相对LP而言的，必须用百分比表示，而不是具体的数值！
如果LP不同，单纯比较LS没有意义。
磁通泄露量的多少（百分比，相对LP）与磁通泄露量的大小(具体值)是两层意思。 |
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| | | | | | | | | | | | | 漏感是相对LP而言的，必须用百分比表示，而不是具体的数值！[size=13.63636302947998px] 如果LP不同，单纯比较LS没有意义。
[size=13.63636302947998px] 单独的LS没有意义如何理解？
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| | | | | | | | | | | | | | | 我估计是这样的。反激变压器对漏感要求高，漏感要控制的很小，所以气隙对漏感有较大影响的。几个UH的变化，都比较可观。
LLC需要大的漏感，如果外界的因素影响一些小的变化，在如此大的漏感量下，是微不足道的。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 例如，
已知LP=100UH，LS=10UH，假如原边存储100W，那么漏感存储的能量大概是10W左右（不精确去分配）。
已知LP=1000UH，LS=10UH，假如输出100W，那么漏感存储的能量大概是1W左右（不精确分配）。
同样是LS=10UH，差别显而易见！这就是单独讨论LS没有意义的原因。
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| | | | | 如果原边付边绕法耦合度很好，比如双线并饶或者用同轴电缆绕制，气隙跟漏感关系就小。 |
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| | | | | | | 绕组结构不变，漏感和气隙没关系。
这是是基于：BAC=V*TON/AE*NP
在TON、AE、NP不变的前提下，如果BAC也没有变化，所以LS不会改变。
现在的问题很明白了，气隙会影响磁芯截面积AE吗？
如果气隙增大，AE怎么办？..........不变？.......增大？......减小？
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| | | | | | | | | 补充说明：
漏感和气隙存在关系，是因为气隙会影响（尽管不明显）到磁芯的截面积AE，也就是气隙会影响到磁通密度的变化。
而电感量（不管是LP还是LS）的定义，与磁通密度是紧密相连的，所以..........
在相同的绕组结构中，无气隙和无磁芯这两个极端的例子就足以充分说明。 |
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| | | | | | | | | | | 在相同的绕组结构中，无气隙和无磁芯这两个极端的例子就足以充分说明。
这两种情况漏感分别是？ |
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