|
|
|
|
|
|
|
 |  | | | | 没有尖峰才奇怪呢！
书里画的是理想情况。
但任何事情都有惯性。
不可能发生书里画的，由一个方向到另一方向，拐直角或锐角或钝角的变化。
最好的情况是，平稳过渡，但一般情况就是振荡着过渡了。
理想来看，MOS关闭了，L就突然没有电流了，但会阻止MOS关闭时的电流减小。
电流变化很突然，L感应很大的电压，但阻尼并不大。
负载电阻越小，电容越大，阻尼越大。振荡就会越小。
如果负载电阻电压振荡，在转换的瞬间，那么这回路电流也必然是振荡的。
减小L，提高C，减小负载电阻，是降低振荡的方法。一般还是增大C为好。 |
|
|
|  | | | | | | 就是说，在PMOS关闭的瞬间，打开一样，会发生L的感应电压很大的情况，回路的阻尼不大，所以这个瞬间必定振荡。
书里说的是，稳定时的情况。
即书里不考虑，突然的MOS开关时的瞬态过程。
如果考虑，就是你这里的情况了。
|
|
|
| | | | | | | | | 如果你认为，PMOS关断的瞬间，电感两端的电压为电容上的电压，就是输出电压了，那么，你就上了教科书交待不明的当了！
只有这点变换时候的振荡结束后，才会是书里说的情况。
同样，PMOS打开的时候，也一样，这个瞬态过程结束了，才是电感电压为输入减去输出。
|
|
|
| | | | | | | | | | | 最后，需要指出的是，你什么都交代了，电感和电阻负载，来开关频率这么无关紧要的东西都交代了，就是唯独不交代电容大小，你不会是在故意测试这里人们的智商或概念认知等问题吧？
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | 额，不好意思，电容忘记写了。电容是2200uF 50V 的nichicon电容。 |
|
|
|
| | | | | | |  | | | | | | | | | | 计算出的是470uF，但是纹波和尖峰比较大，然后就又并联了一个2200uF的。 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | 按本大师曾经的计算公式，负载电阻R=0.5 * sqrt（C / L）/ 阻尼比。
阻尼为1，肯定不振荡。
负载电阻小于 0.5*sqrt（10）= 1.7欧姆左右，不振荡。
但你的负载不可能这么小，电流太大了。
要是50欧姆负载的话，50 = sqrt（C/ 220）/ 阻尼比，如果是1的阻尼比的话，就是50 = sqrt（220/C），C怎么着也得 550 mF为好。 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | 可是我把负载电阻值减小之后，发现尖峰并没有明显改善。
是不是续流二极管正向恢复时间 太长呢？ |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 那就是有改善喽？
毕竟你需要几乎短路的时候，才会有效果。
减小L比较现实些!
|
|
|
| | | | | | | | | | | 哦，首先谢谢你的耐心解答。非常感谢。
能不能在肖特基二极管上并联一个电容来改善呢？ |
|
|
|
| | | | | 这些现象很常见，亦很容易解释，实在是电感器本身的问题，跟什么layout，阻尼振荡等没有多大关系。
实际的电感器，可以等效成一个理想电感，一个寄生电容和一个等效损耗电阻三者并联。
明乎此，就不难知道为什么会出现这样的电流波形了。
|
|
|
| | | | | | | 这个电感式我自己绕的，寄生电容和DCR都很小可以忽略的。。 |
|
|
| | | | | | | | | LZ不相信，可以试试 ：
1. 加一个几十pF的电容与电感并联，看看尖峰是不是大了，
2. 加一个几百～1K欧的电阻与电感并联，看看那个不连续的台阶是不是大了，
(电感最好用那个较大感量的，较小的那个好像有点饱和的趋势）
|
|
|
| | | | | | | | | | | 近似地理解下，求大师证 ：
尖峰 = c*dv/dt 台阶 = (1/R) * v
c: 寄生电容
R: 等效损耗电阻
v: Voltage across inductor |
|
|
|
| | | | | | | | | | | 你好，请问怎么抑制这种尖峰呢？是换什么样的电感，还是调节驱动信号去解决？ |
|
|
|
| | | | | | | | | 嗯，你的大师，说的其实就是本大师说的。
只不过，把输出电容C和负载R，并联到了电感而已。
而R和C本来就是和L并联的嘛！
其实你的大师说的是不对的！
|
|
|
津公网安备 12010402000296号