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【龙腾原创】一步一步计算正激有源钳位及同步整流(完结附华为资料)

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Sinican
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副总工程师
  • 2014-3-10 18:18:29
很多电源工程师继《详解一步一步设计开关电源》反激设计之后,希望再来深入一些的,呵呵~~
勉为其难,再加上本人学识有限,这一次不能抛砖引玉了,不加“详解”了,只能抛石子引玉了,估计下次再谈全桥之类的,只能抛砂子了;
不过相信会有更多的实践者来给我补充的,也顺便让我再温习一下以前的调试经验。
废话好多,正式开始,慢慢讲解如何设计,有任何技术问题可以随时打断,我将尽力来进行解答。

大家一起努力!!
Sinican
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LV8
副总工程师
  • 2014-3-10 18:23:42
 
正激拓扑: 个人理解就是一个隔离降压变压器,外加 buck 电路
同步整流:就是同步 buck
这里同步整流以自驱为本,讲解



参数详解
================================================
Vin: 输入电压
Cin: 输入滤波电容
C : 钳位电容
SW1: 主开关管,C1、D1 分别为寄生电容和寄生体二极管
SW2: 复位开关管(钳位开关管),C2、D2 分别为寄生电容和寄生体二极管
SW3、SW4: 同步整流管, D3、D4 分别为寄生体二极管
T1: 主变压器,初级匝数 N,次级接成中心抽头方式,匝数 N1+N1
LF: 输出励磁电感
CF: 输出滤波电容
D: 占空比
Vf: 同步整流管 SW3、SW4 的正向压降
K: 主变压器 T1 的耦合系数

Aaronhill
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助理工程师
  • 2014-3-10 23:08:38
 
期待后续详解,顶!
long223349
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高级工程师
  • 2014-11-2 19:44:19
 
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long223349
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LV6
高级工程师
  • 2014-11-2 21:57:16
 
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lyf591032149
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本网技师
  • 2014-3-11 10:50:20
 
期待啊,有没有新的改进啊,如开关管的型号和新技术的加入???
Sinican
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副总工程师
  • 2014-3-12 10:00:27
 
新的改进,真得不知道。
不过开关管的新技术发展,更加有利于电源效率的提高,及功率密度的提高

huhushuai
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高级工程师
  • 2014-3-25 20:03:47
 
楼主讲的详细,具体。很好。
世纪电源网-九天
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超级版主
  • 2014-3-11 16:27:14
 
楼主人呢
Sinican
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副总工程师
  • 2014-3-12 09:50:29
 
不好意思,全家都生病了~~~

ipod5566
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高级工程师
  • 2014-3-12 09:34:29
 
有源钳位加同步整流,电源效率可以轻松做到90%。自驱同步整流适用于低输出电压,如果输出电压高达24V,除了采用专用的次级同步整流控制芯片,请问楼主还有好的方法?
Sinican
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副总工程师
  • 2014-3-12 09:56:11
 
一般来说,同步整流,对于输出电压太高的话,不适合用(个人不建议)
输出电压高的话,也可以采取自驱模式,只不过输出的变压器需要增加抽头,还适合 MOS 的 Vgs 电压

delig
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高级工程师
  • 2014-7-11 14:15:25
 
在副边再加一个绕组用来作同步驱动绕组,为啥要在输出上取电压。
ailuer_shijidianyuan
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副总工程师
  • 2017-3-2 09:53:21
 
功率绕组干扰大?
THTTH1982
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  • 2015-2-6 14:48:40
 
空载功耗是多少?
cnm11cn
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本网技工
  • 2016-11-23 23:53:50
 
请教楼主,正激有源钳位“一般主流”的做法是次级半波整流的,主要利用主开关管做功,变压器仅在一象限传递能量。复位管仅对变压器磁芯复位,不向后传递能量。而您的电路有点“非主流”应用,在次级做了全波整流,这样初级的两个管子交替做功,变压器一三象限全都在传递能量。另外次级滤波部分频率相当于翻了一倍,电感电容的参数可以取得更小。您这样做看起来既解决了变压器的利用效率,又降低了初级的峰值电流,还可以使滤波器件体积更小。但是为什么这种“非主流”应用非常少见呢?除了在大于50%占空比下主开关的电压应力更大以外,还有什么缺点限制了这种应用?忘解答!谢谢!
huhushuai
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高级工程师
  • 2014-3-10 19:58:21
 
跟的楼主学学。
Sinican
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副总工程师
  • 2014-3-12 21:02:41
 
大家一起学习,互相沟通,共同进步!
admin
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管理员
  • 2014-3-11 10:30:59
 
等待楼主完善资料,辛苦了
何仙公
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版主
  • 2014-3-11 23:28:45
 
顶起
Sinican
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LV8
副总工程师
  • 2014-3-12 21:09:41
 
不好意思,之前只是列了个提纲,尽快将这个提纲变成丰满的文字给大家(有时码字挺累的,而且还可能出现错误!)

一花一天堂
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  • 2014-3-12 08:10:18
 
Sinican
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副总工程师
  • 2014-3-12 09:38:00
 
正激有源钳位电路,将会包括:主开关管 SW1, 复位开关管 SW2,复位电容 C,变压器 T1 等计算和选择
1. 主开关管 SW1 的参数计算
1.1 SW1 的 Vds 的计算



Vin 从最小值到最大值变化时,Vds1 的最大值 Vds1(max),作为选择SW1的依据之一,考虑裕量,选取 Vds 的最大值应≥ 1.5 Vds1(max)的MOSFET




1.2 SW1 的 Ids 电流计算

同样可算出 ID1最大值,实际选取ID≥ 2.0XID1max 的MOSFET,但有时为提高效率,在成本增加不多的情况下,可选用ID更大的MOSFET

1. 3 SW1 的其它参数
其它指标:Cgs 应尽量小,Cds 的大小应由试验来确定,过大的Cds会增加SW1的导通损耗,过小则增大其关断损耗。可在外部并一电容方法来调节,使整个损耗最小
Luckycwx
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高级工程师
  • 2017-10-14 11:47:00
 
K是啥,到底取多大?
Sinican
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副总工程师
  • 2014-3-12 09:49:44
 
2 复位开关管SW2 的功能
SW2 的作用主要是形成一个双向开关,一方面 SW1导通时,对SW1的Vds电压进行钳位;另一方面,当 SW1截止时,使得电容C与L产生谐振,对变压器T1进行复位
2.1 SW2 的Vds 电压计算


SW2 和SW1在稳态工作时,最高电压是相等的(出现在不同的占空比时),但考虑另一种情况,在非稳态(开机、关机过程中),由于导通脉宽可能很宽或很窄,使得SW1、SW2上的电压出现较高尖峰。因此,实际应选择V≥2Vds2(max)的 MOSFET


2.2 SW2 的Id 电流计算


SW2 实际选择 Id ≥2Ids2(max)的MOSFET


2.3 SW2 的其它参数
1) 导通时间尽量小
2) 输入电容尽量小,C2根据实际情况调整,以使整个有源钳位电路工作的损耗最小为宜,较大的C2将会使SW2,SW1的Vds 尖峰减小,但过大则会加重开关损耗
YTDFWANGWEI
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  • 2014-3-13 14:17:24
 
这句不对吧,sm1导通时,对sm1电压进行钳位。。。导通电压就是零了,怎么钳位?
荨麻草
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  • 2014-3-13 17:49:03
 
顺便请教个问题:
如果用普通的384x做有源钳位正激的控制IC,有没有什么办法控制PWM死区时间?
YTDFWANGWEI
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  • 2014-3-13 18:07:23
 
要做应该也可以吧,问题是都有专门的ic了,找那种麻烦干什么
荨麻草
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  • 2014-3-13 18:15:26
 
最近在研究仿真,想试试能不能用384x搭建一个有源钳位正激出来,验证一下
YTDFWANGWEI
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  • 2014-3-13 18:35:52
 
呵呵,那你可以用p管做下钳位,驱动用rc延时整形做延时,用上钳位就是驱动取反同样道理做延时,只是猜想不只是否可行。
荨麻草
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  • 2014-3-13 19:27:00
 
好的,多谢提醒
荨麻草
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  • 2014-5-9 23:48:31
 






Sinican
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副总工程师
  • 2014-3-14 14:01:33
 
用P管做下钳位仿真还可以;
真实产品中,基本上还是不用下钳位的,多还是N管的上钳位;毕竟 P管不好找呀!

荨麻草
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  • 2014-3-14 14:20:00
 
嗯,我在simplis的原件库里,找到了一颗IRF6217(专为ACF[size=13.63636302947998px]下钳位设计的[size=13.63636302947998px]P 管),目前开环已经OK了,闭环还存在问题,关键点波形符合理论值,输出3.3V-30A,输出电压太低,闭环不好做
YTDFWANGWEI
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  • 2014-3-14 16:59:32
 
是,管子不好找,优点是驱动好做。
Sinican
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副总工程师
  • 2014-4-1 16:04:18
 
附上高边钳位与低边钳位的特性比较,与大家分享


Luckycwx
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高级工程师
  • 2018-3-9 17:06:50
 
我做有源钳位遇到了很多问题   能帮助我一下吗?如果可以我们可以加个好友吗?
delig
  • delig
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高级工程师
  • 2014-7-11 14:19:52
 
谁说的 你看看LM5025 LM5027 LM5041B N管驱动你准备怎么搞 自举电容 我没用过这芯片
ailuer_shijidianyuan
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副总工程师
  • 2017-3-2 10:04:06
 
输入低压的用下钳位
输入高压的用上钳位
sunny1014ab
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本网技工
  • 2014-12-17 12:47:47
 
可以的,我在做,效率最大是90%
Sinican
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副总工程师
  • 2014-3-14 13:59:27
 
专用的 IC 是有,从 UCC3580 到 UCC289X,但我了解的国内通信电源制造商使用的还是很少,即没听过量产的


不过从 UCC3580 的 application notes 可以更深入地学习有源钳位(active clamp)。
lyf591032149
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本网技师
  • 2014-3-19 14:53:30
 
还有没有更好的芯片啊?专用有源钳位正激变换器的??、、、、
Sinican
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LV8
副总工程师
  • 2014-3-20 21:30:31
 
专用的,而且算是新的是 TI UCC2897APWR
正激拓扑市场上产品就相当的少了;有源钳位那是相当的少; 你看看我在世纪这里的贴子,就明白了
flyback 拓扑还是市场上的主流
txj1985
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初级工程师
  • 2014-3-24 11:26:51
 
前段时间评估了我们公司以前做的一款1/4正激有源钳位模块,采用的是以前NS公司(现在也属于TI了)的LM5025,发现在过流、短路、空开关机方面还是有不少问题;
我司的这个模块采用的就是低边钳位,P管也不是太难找吧。
另外楼主所说的,SW2在SW1导通时钳位,个人不敢认同额,钳位主要就是为了钳住SW1关断时的应力,实际上SW2的钳位以及对变压器的复位都是在SW1关断后完成的。
Sinican
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LV8
副总工程师
  • 2014-4-1 16:03:06
 
其实钳位和复位,你将电路换成 RCD 吸收,最好是 TVS + diode 的吸收。这样对你比较熟
TVS + diode 做 snubber circuit 的,你分析啥时 TVS 工作,钳位电压等于 TVS 的电压

YTDFWANGWEI
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版主
  • 2014-4-1 16:36:53
 
SW1导通的时候,怎么钳位?是不是关断的时候?
Sinican
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LV8
副总工程师
  • 2014-4-1 17:10:25
 
如果是 RCD吸收时, 给C充电,是在 SW1 导通时,还是关断时? 你在好好考虑分析一下
Aaronhill
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LV3
助理工程师
  • 2014-5-9 22:46:02
 
LM5025是有这些问题,你可以选用LM5025B,相信会有所改善的,至于你说的空开关机问题,指的应该是副边同步整流管和续流管的电应力有问题吧?
yundesudu
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LV6
高级工程师
  • 2017-7-13 14:04:48
 
空开关机,整流管和续流管的应力问题你怎么解决的?
Sinican
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LV8
副总工程师
  • 2014-3-14 13:49:17
 
不知道近年是不是有改进,不过改进的可能性不会很大;后续我会分享一些 华为和中兴 的电路供大家参考学习!

Sinican
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LV8
副总工程师
  • 2014-3-14 13:25:55
 
谢谢你的指正,不过这个还真没错


一般钳位工作,是在主管 SW1 导通时;而关断时,就是复位;你可以仔细再想一想! 呵呵~~

小小瀑布
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高级工程师
  • 2015-1-30 11:57:02
 
您好,我有个小小的疑惑。
1.钳位,是不是钳位住sw1的电压?
2.sw1导通了,sw1的D极电压接近零电位,还要钳位干嘛?
楼主,解惑一下。谢谢
ckw271842372
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高级工程师
  • 2015-8-3 22:21:19
 
大师,请教一下上式中的L是不是初级感量,Ls是不是初级漏感?不解,求大师解疑,谢谢!
vigoss
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高级工程师
  • 2021-8-8 18:41:48
  • 倒数5
 
计算电流的时候这里的Ls是哪个电感?
Sinican
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副总工程师
  • 2014-3-13 13:35:21
 
3 钳位电容C
作用是储能,并向变压器T1的复位提供能量
3.1 电压的计算
求得最大值 Vc(max),实际选择(1.5~2.0)Vc(max)作为耐压选择的最低值。

3.2 容量的确定
电容C容量原则上只有下限值,无上限值,C的容量下限值应满足:
C>>C2, 一般情况可取 C=(50~200)C2
3.3 钳位电容容量的影响
电容大,SW1上相对应的电压应力就小,同时动态变差
电容小,SW1上相对应的电压应力就大,同时动态较好
小凡凡
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LV8
副总工程师
  • 2014-3-25 22:43:39
 
大和小是个模糊的概念。
记得TI的文档有过提示,就是通过钳位电容上的纹波大小来选择合适的容量。
Sinican
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LV8
副总工程师
  • 2014-3-26 10:05:15
 
本话题是针对有一定经验基础的,所以 ... ... 你懂的
TI 以及很多论文里,都有这个钳位电容的计算公式,但根据公式计算出来的,都与实际差别很大
我这里就是以前调试时,总结出来的经验分享给大家

Sinican
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副总工程师
  • 2014-3-14 13:23:17
 
4 变压器 T1 的计算
4.1 匝比的计算
针对DC/DC通信模块的正激设计,通常工作频率比较高(200~500kHz),此时一般初级匝数较少,所以可直接选定次级匝数N1,然后通过匝比推算初级匝数N。匝比计算公式:

Dmax 为最大占空比,Vin(min)为最低输入电压,Vo(max)为输出电压最高值最大占空比由设计根据需要选定,实际匝比要考虑裕量,应比实际计算值约小
针对AC/DC级的正激,工作频率相对比较低,此时我们可以先确定初级匝数N,然后通过匝比,来推算次级匝数N1,初级匝数计算公式:


4.2初级电感量的计算
由于有源钳位电路为正、反激组合方式。因此,实际计算时,电感量的计算同反激式电路的计算相同,由于正激式电路在兼顾主功率管损耗的情况下,如果磁芯不饱和,电感量可以任意选择。从而,电感量主要由反激部分确定,可按上述原则经过试验调整
初级电感应在满足反激储能的前题下,尽量选大,故初级电感量主要由输出功率决定,输出功率越大,初级电感量应越小,具体设计方法参见反激交换器中的变压器电感量的计算方法。


4.3磁芯的选择
这点主要是针对二次电源模块而言的,由于工作频率较高(200~500kHz),因此磁芯材料可选铁氧体材料,如 3F3、PC40、以及国产R2KX等材质,外形为减小辐射,最好选用类似RM、PQ或罐形
由于有源钳位变压器磁芯工作在磁滞回线的一、三象限。因此,变压器工作状态类似于全桥电路。

设计时应满足以下两个条件:
1) SW1 导通区间,最大占空比时,变压器T1不进入饱和状态
2) SW1 截止区间,变压器T1不进入反向饱和状态
实际磁芯大小的确定应留有裕量,可以根据试验加以确定,以效率最高,温升最低为宜。
天一生水
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LV8
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  • 2014-3-14 14:03:50
 
赞!感谢楼主无私分享,建立楼主能发一些关键点的测试波形就更好了!
Sinican
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LV8
副总工程师
  • 2014-3-17 14:25:06
 
这个主意很不错,希望哪位能补充分享一下 正激有源钳位及同步整流的波形 与大家共同学习


我现在只是一个小业务员,手上没有 DC source,也不能进行测试分享给大家

小凡凡
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副总工程师
  • 2014-3-25 22:32:01
 
TI不是有很多UCC289X的技术文档吗?去下载一个就是的。
Sinican
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LV8
副总工程师
  • 2014-3-26 10:12:39
 
是,也有翻过 TI UCC2897 289x 以及 3580 等文档以及 application notes,但波形等基本上都没有,多是理论上的东西,分享这些目的还是以实践为主的


我现在电源方面主要推广销售 ST VIPer53DIP(针对这玩意所有波形都可以随时测的),针对 DC-DC brick power 以及以前涉及的 AC-DC全桥等电源波形都没有记录的,所以也不能分享给大家,也算是遗憾


这里只是开个头,希望大家能分享和补充
Sinican
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副总工程师
  • 2014-3-17 10:54:23
 
5 同步整流MOSFET的选择
自驱动同步整流电路设计较简单,主要为MOSFET的选择,主要指标及原则:
5.1 MOSFET的G-S的最大耐压,主要根据输入电压最高值,最低值及占空比来确定,可由以下方式求得:
此式可确定SW4的G-S电压,选取SW3的VDS=(2.2~3)Vgs(max)的MOS

得出SW3的G-S电压,SW4的DS电压,选取VDS4=(2.2-3)Vgs3(max)的MOSFET

5.2 MOSFET的导通电阻Rds(on)
原则上Rds(on)越小越好,但应在成本与性能之间权衡,同时也应考虑到Rds(on)的降低往往意味着驱动损耗的增加。所以,具体的Rds(on)选取应由实验来最终确定。
Sinican
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LV8
副总工程师
  • 2014-3-18 15:46:14
 
6 输出励磁电感LF的选择

由于有源钳位相当于正,反激组合式电路,对正激式电路励磁电感LF不可缺少,另一方面,对应于反激电路,LF不应存在,同时兼顾正、反激特性,具体数值由试验确定。
应在电路稳定工作的前提下,尽量增大LF。
leopold_qu
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  • 2014-5-10 15:23:01
 
你好,能讲下,这个励磁电感的Vo是电源输出电压还是变压器输出电压啊?它是接在变压器后面,按理应该要以变压器输出电压来计算吧!del I一般的取值大约是多少啊?
Sinican
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  • 2014-5-11 11:11:33
 
Vo 是输出电压
ΔI 一般取值 10~30% Io

leopold_qu
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LV3
助理工程师
  • 2014-5-12 12:59:14
 
那正激变压器输出电压,应该是经过励磁电感通过占空比导通后得到的Io输出了?
正激的输出电压是等于电源输出电压Io+Id+IL的吗? Id为二极管压降,IL为励磁电感压降。是这样认为 的吗?
Sinican
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LV8
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  • 2014-5-12 17:20:43
 
电压有 V 表示,你这样让我很混乱
静态时,把它们等效成一个闭环,你可以理解一下,变压器输出是电压源,其它都是消耗电压的,闭环的电压应该等于0
可以参考 《电路基础》应该叫 戴维南定律吧?!
Sinican
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LV8
副总工程师
  • 2014-3-19 14:19:00
 
7 输出滤波电容CF的选择
CF原则上是在考虑ESR的基础上容量越大越好,但实际设计时应考虑成本、体积的限制,以正确选择,并由试验确定。

到这里,正激有源钳位及自驱同步整流的计算过程就全部完成了;

何仙公
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版主
  • 2014-3-20 11:01:57
 
ΔI 是纹波系数吗?如果是电流的话就有单位了!
如果是纹波电流的话,分母上面单位就是V,下面单位就是A2[sub][/sub]

YTDFWANGWEI
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版主
  • 2014-3-20 12:41:56
 
纹波系数是没有单位的。
leopold_qu
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助理工程师
  • 2014-5-10 15:24:03
 
这个输出滤波电容的取值能讲下计算过程的吗?谢谢!
Sinican
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  • 2014-5-11 12:02:09
 
如果电源输出负荷从空载加载到半载,Overshoot voltage 限制在 5%以下
此时: Iomax =50% Io
Iomin = 0
Vos = (1+5%)xVo 参考如下公式:
leopold_qu
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助理工程师
  • 2014-5-12 13:00:30
 
这个输出电容的容量怎么计算了?
pbx2015
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  • 2020-2-18 23:03:25
 
学习了,14年的,我现在还在看。哈哈
Sinican
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LV8
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  • 2014-3-20 21:25:21
 
华为 HGH50-48S05 功率板及相应的 BOM,因某些原因,控制板就不能贴了





小凡凡
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LV8
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  • 2014-3-24 12:30:02
 
完整的图贴出来啊!公司都做到了那么大,还怕人抢到生意了。
另外看到有报道,不是说你们现在的模块不是数字电源吗?
Sinican
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LV8
副总工程师
  • 2014-3-24 15:08:01
 
你说得很有道理,应该全贴出来,呵呵~~~
不过这种模拟电路的,基本上,大家看了相应的电路,基本上都能估出来相应的参数
模块虽说有数字化方向发展,主要是指这样二次模块再向下一级的模块,多是 5V 3.3V 转 2.5 1.0 0.8 的次级模块,多相控制的 DC2DC,以非隔离为主
Sinican
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LV8
副总工程师
  • 2014-3-24 09:56:11
 
华为 HGH100-48S05 电源,正激有源钳位及自驱同步整流 功率原边及控制电路
此处元件参数因某些原因掩去了,不过懂技术的人,可以补上,这些就应该与我无关了吧?


荨麻草
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版主
  • 2014-3-24 11:22:18
 
Q3产生死区?
Sinican
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LV8
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  • 2014-3-24 14:37:51
 
Q3 是产生反向 PWM, 会有一点 deadtime 调节作用

ailuer_shijidianyuan
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LV8
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  • 2017-3-2 10:10:45
 
我觉得是R10,D3和R7产生死区
小凡凡
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LV8
副总工程师
  • 2014-3-24 12:13:20
 
这张应该是早期的,也有同步整流,不过不是有源钳位。 半砖5V电源模块.pdf

Sinican
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LV8
副总工程师
  • 2014-3-24 14:41:23
 
呵呵~~ 是比较早 2002年的
不过我贴的比 2002 年还要早一些(时间基本上差不多),后面的规范标准都依据这些的

wzy616611
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  • 2014-3-28 22:16:13
 
,小凡凡怎样理解有源钳位和同步整流?
小凡凡
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LV8
副总工程师
  • 2014-3-29 17:09:09
 
我不是做模块的,理解有限。但根据公开的资料:
1、占空比可以大于50%,这可以有效的降低原边电流;
(不同于反激,正激次边的有效电流本来就相对小)
2、有较宽的输入电压范围;
(一般可以达到2:1,极端情况下也有3:1、4:1的输入范围)
3、为续流管提供了相对完美的自驱信号;
(能够提供可靠自驱信号的拓扑并不多,另外一个好像是不对称半桥)
4、ZVS操作,适宜高频应用(似乎有些争议);
(这个需要核实,也可能是有源钳位正激的输入电压本来就低)
5、除了QR反激的部分特性较为接近,几乎再没拓扑能够有简单实现上述特性。
更多的时候是拿LLC、不对称半桥与有源钳位比较,其实不科学)
当然,有源钳位正激也有缺点,至少高压应用还不广泛,缺点不是很清楚。
Sinican
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LV8
副总工程师
  • 2014-3-31 16:22:42
 
总结很全面,也有高压应用的,市面上见的会比较少
自驱同步整流与它驱同步整流,主要还是看副边绕组的波形是否干净;还有输出“空载”,同步整流MOS的驱动电压的建立
同步整流这一部分,现在算是很成熟


附上: 绕组复位,RCD复位,有源钳位的比较


小凡凡
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LV8
副总工程师
  • 2014-3-31 23:04:58
 
真的可以大幅度降低开关损耗吗?
类似于QR反激、LLC那样?
Sinican
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LV8
副总工程师
  • 2014-4-1 16:56:42
 
是可以降低相应的损耗的
象 QR 那样在Vds近似零电压时主管 SW1 打开
附上相应的 Ip,Vds,driver 波形图


cajeptw
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  • 2017-6-2 19:51:47
 
请教一下变压器去尖峰DRC网络里的电阻封装一般去多大,还有RC时间常数和开关频率应该是倍频关系还是分频关系,网上各种说法,好像都有点道理
delig
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  • 2014-7-11 14:33:02
 
啥都木有啊
mike237123885
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  • 2019-5-25 16:45:27
 
居然没有用5026,厉害
txj1985
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  • 2014-3-24 11:10:22
 
哈哈!给力,坐等楼主更新!!
mmc_21
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  • 2014-3-24 12:35:05
 
关注好帖
Bodoni
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  • 2014-4-23 17:43:32
 
请问华为资料在哪里
Sinican
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  • 2014-4-24 09:38:34
 
呵呵~~ 看贴不仔细,就是冲着可下载的资料来的吧?
上面贴图部分的电路及部分电路的详细BOM都是华为的

cuncaosheng
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  • 2014-5-14 16:16:46
 
你也代理这类IC吗
Sinican
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  • 2014-5-14 16:41:04
 
这个不代理,电源类只有一颗
jiekou514
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  • 2014-5-14 18:26:06
 
谢谢楼主讲解,加油!
guicy
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本网技师
  • 2014-7-14 14:44:50
 
想请教楼主一个问题,看到一篇关于移相全桥的同步整流方案专利,副边是全波整流,两个同步整流管的导通时间是有交叠的,但是又记得在网上看过说要避免共通和电流逆流,到底是能不能共通呢?
delig
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  • 2014-7-15 10:45:57
 
能 我以前看过波形 你可以看DS波形GS不准确,管子烫得吓死你。烧了一会儿管子就炸了,换了两次,最后改了同步整流的匝比。
delig
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  • 2014-7-15 10:43:42
 
NCP1282 高压有源嵌位 可以做到500V 为嘛Vin1脚和2脚的焊盘距离才0.68mm的 我自己花的封装 这么小 可以吗?
yuyan
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  • 2014-11-27 08:59:01
 
学习
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  • 2015-7-31 09:33:33
 
xuexue
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  • 2017-10-15 08:49:19
 
学习了
rensheng
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  • 2016-12-10 10:58:42
 
来迟了,饿补中。谢谢楼主发的帖。
ruohan
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  • 2017-1-5 16:59:42
 
期待再全点
zxz
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  • 2017-3-9 22:59:11
 
好好计算正激有源钳位及同步整流 学习了
目标地平线
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  • 2017-3-10 08:02:09
 
路过,看看。
fyen
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  • 2017-4-17 17:25:25
 
有源钳位 正激, 如何实现 ZVS,,调整了Lm 感量,钳位电容,影响不是很大。 Lm降低了,效率反而降低一点。
1212129.png
eli王金涛
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LV3
助理工程师
  • 2017-5-18 15:18:56
 
跟负载有关系的,有源钳位并不是全过程ZVS。
fyen
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LV6
高级工程师
  • 2017-6-6 15:06:36
 
,同步管续流MOS:Q502(AOD4184)VDS尖峰很大(无吸收),相比Q501的尖峰小很多(无吸收)。Q502需加很大的RC吸收,才能抑制,有没有好办法,解决? 同时示波器:TBS1102,,在开20M带宽与100M带宽 下测,尖峰相差很大。哪个为准?

Q502的Vgs,Vds

Q502的Vgs,Vds

Q502的Vgs,Vds

Q502的Vgs,Vds

示波器TBS1102:20M带宽下所测

示波器TBS1102:20M带宽下所测

示波器TBS1102:100M带宽下所测

示波器TBS1102:100M带宽下所测

输出部分电路图,无吸收

输出部分电路图,无吸收

PCB图

PCB图
yundesudu
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LV6
高级工程师
  • 2017-7-13 14:11:20
 
应力要读大不读小,以100M带宽测试,而且示波器存储深度越大越好。
fyen
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高级工程师
  • 2017-7-13 16:17:00
 
好的,;示波器,就这么一台。
佛砸米兰
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本网技工
  • 2019-8-29 16:07:34
 
请教一下,续流MOS管的尖峰为何这么大?
qianhuatuijin
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助理工程师
  • 2022-4-15 00:10:33
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你好,我想问下这个ZVS为啥跟负载有关系呢
qianhuatuijin
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助理工程师
  • 2022-4-15 00:11:16
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你好,请问最后全范围实现了ZVS么?是怎么实现额
Loly-Z
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本网技师
最新回复
  • 2023-7-14 00:33:10
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不能全范围实现软开

ly112113
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本网技师
  • 2017-7-9 14:43:34
 
haohaohaohaohaohaoha
ruohan
  • ruohan
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副总工程师
  • 2017-10-16 14:00:20
 
这个Dds1的取值是怎么算来的,DMAX的时候输入电压最小,输入最大的时候最小,VDS在正激里面不是2vin吗,

哇嘎理工
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本网技工
  • 2018-4-5 00:04:42
 
可以加你好友问问题吗,我的QQ842976621
a997416920
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高级工程师
  • 2019-6-12 18:41:11
 
顶啊
self21dianyuan
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副总工程师
  • 2019-8-31 08:09:17
 
感谢楼主,学习了
kidultbin
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高级工程师
  • 2020-2-23 22:33:49
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学习了
jim li
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高级工程师
  • 2020-3-16 20:27:55
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好资料,MARK 一下。 备份学习。
cjzjm100
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高级工程师
  • 2020-4-3 16:15:14
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谢谢楼主,学习
cjzjm100
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高级工程师
  • 2020-4-3 21:20:41
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楼主好人,谢谢
sk1993
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高级工程师
  • 2020-8-19 10:35:46
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看了很多文章,看到在谐振过程中的电感电流与电容电压表达式如下,实在是不知道是怎么求解出来的,请问大家有知道的吗?
1597804521(1).png
my770809
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副总工程师
  • 2021-8-10 09:22:04
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学习大师的作品,受益良多
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