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【龙腾原创】小功率开关电源中辅助供电VCC设计相关总结(已完结)

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拒绝变帅
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LV10
总工程师
  • 2014-3-16 11:35:31
开关电源是系统供电的核心,而IC的VCC供电又是开关电源的核心。在debug的过程中,很多时候通过观察VCC波形就可以发现问题所在或者直接就是VCC异常导致的。
小功率的基本是使用简单的绕组整流提供VCC,大功率的电源有专门的供电电源,但此供电电源里也存在绕组整流供电。针对VCC,网上看到的比较零散,同时也发现有一些存在认识上的不足。
本帖将结合自己开发产品过程中碰到的相关问题,对小功率电源中辅助供电VCC设计相关进行总结,供大家参考。同时也欢迎大家提出自己不同的见解,共同探讨,提高。
本帖目前主要从以下几点阐述,后面酌情增加内容,图会慢慢加上。
先列个大纲:



1.连接到VCC的3种典型启动方式的优劣分析;
2.空载的VCC电压到底该设置为多少;
3.D1、R1、D2的作用和选择;

4.VCC与功耗的关系(空载和短路);
5.VCC绕组与EMI的关系;
6.与VCC有关的几个典型问题.
小凡凡
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副总工程师
  • 2014-3-16 12:09:38
 

VCC绕组其实也可以做简单的过压、过流保护。
hwang9
  • hwang9
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  • 2014-3-16 17:11:16
 
你保护过压了,芯片怎么检测过载了呢。
支持楼主写到全桥的VCC去,全桥的VCC特别有写头。
oyang314
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  • 2014-3-16 17:32:50
 
等待更新
huhushuai
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  • 2014-3-20 21:29:47
 
同等
long223349
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高级工程师
  • 2014-11-2 18:47:50
 
/*********** 广告已删除 ***********/
long223349
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高级工程师
  • 2014-11-2 22:47:50
 
#广告已删除#
YTDFWANGWEI
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  • 2014-3-16 21:10:34
 
你过压过流会同时出现吗?全桥你不采用独立的辅助电源供电吗?
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-3-17 20:59:48
 
全桥,已是大功率的范畴了。领域不一样,对大小功率的划分也不一样。
Coming.Lu
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  • 2014-3-16 17:59:15
 
IC 的 VCC 是很重要。
爱国分子
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  • 2014-6-11 10:23:21
 
那是当然了, 输入电压取决于芯片能否正常工作
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-3-16 19:40:08
 
1.连接到VCC的3种典型启动方式的优劣分析:
第一种方式:从整流桥后的Vbulk处接电阻到VCC,见下图的R3、R4。
此处要注意R3、R4的耐压,如果是普通的1206电阻,至少要3颗;用高压类型的,也最好用2颗。




这种启动方式是早期的,由于R3、R4一直在消耗功率,在追求低空载功耗的今天,基本已被淘汰。


拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-3-16 20:03:02
 
由于第一种方式启动功耗较大,于是又了第二种方式:从整流桥前的L或者N处接电阻到VCC,见下图的R2、R3、R7。
这种启动方式比第一种相比,R上的功耗降低了,缺点是启动速度变慢了,但一般电源的开机时间要求并不严格,基本可以满足要求,也是目前用的较多的启动方式。











对于存在X电容放电电阻的,还可以利用这放电电阻,见下图。可以省去多余的启动电阻,节省空间和成本。
zhojianjin
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  • 2014-3-16 22:36:38
 
是否把软启动的各个电路发来欣赏下啊
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-3-16 22:46:04
 
这只是启动哦,不是软启动,是想学习软启动原理?现在初级软启动基本都集成在IC内部了。
爱国分子
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  • 2014-6-11 10:25:53
 
以前设计的时候主要就是RC了
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-3-16 23:00:49
 
以上两种方式在启动结束后都有功耗,且启动速度不够快,第三种方式高压启动,可以避免这两种不足。高压启动一般是通过内部电流源给VCC电容充电,充满由VCC绕组供电后切断电流源,断开电阻,损耗
启动速度快,损耗是高压启动的优点,但其成本会增加,对成本敏感的小功率电源而言不是首选。






拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-3-16 23:04:58
 
典型的3种启动方式已列出,不知大家是否还有其它物美价廉的启动方式?
这里留个开放讨论题吧:
如果采用方式二来启动,有什么好方法来加快启动?

qq80644864
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  • 2014-3-17 00:29:03
 
用第二种的话,再弄一级启动,最终又要加钱
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-3-17 18:12:16
 
你给个图出来?
关于这个加速启动的,相信很多人都不一样的,适当加点钱可以接受,要的是性价比。
qq80644864
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  • 2014-3-17 19:01:41
 
在VCC那里多加一个D和一个电解
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-3-17 20:38:18
 
这个方式在第三个主题里会涉及到,有利也有弊。
huhushuai
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高级工程师
  • 2014-4-1 20:57:05
 
了解了。
爱国分子
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禁止发言
  • 2014-6-11 10:26:19
 
这个电容是主要缓冲
学海游轮
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LV8
副总工程师
  • 2014-4-23 21:32:32
 
较小启动电阻的阻值能否达到?
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-4-23 21:35:35
 
减小启动电阻效果有限,因为你不可能减的非常小,有能耗要求。
从理论上讲,如果设置启动电流=IC的工作电流,那么VCC电压就不会掉,但那是不可能的。
wzy616611
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LV8
副总工程师
  • 2014-5-5 17:24:58
 
切断电流源,断开电阻是怎么回事呢?辅助绕组供电的话不是会通过电阻吗?
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-5-5 18:11:59
 
切断恒流源,是IC内部的逻辑,相当于HV脚与bus断开了。
辅助绕组的电压与HV pin不直接相连哦,且电平关系,不会有电流流过电阻。
爱国分子
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禁止发言
  • 2014-6-11 10:27:48
 
恒流源I为定值,断路后R为无穷大,导致U为无穷大。
恒压源U为定值,短路后R为0,导致I为无穷大。
无论I还是U变成无穷大都是很可怕的。


eric.wentx
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  • 2014-3-20 21:32:25
 
桥前的话,是不是存在浪涌或是spike过高时损坏IC的风险?
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-3-24 12:36:48
 
不会,详见68楼
化二为一
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LV8
副总工程师
  • 2014-6-10 17:00:03
 
这么大的电阻,浪涌或spike的能量能够进入IC的很少(被电阻消耗掉了),基本上不考虑
not2much
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副总工程师
  • 2014-3-24 00:11:01
 
ncp1250的vcc最大值为28v,从整流桥之前接AC电源过来会不会电压太高?
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-3-24 12:37:44
 
为什么电压会太高?
一般空载电压设置为十几V,满载的时候就20V左右,没有问题的。
not2much
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副总工程师
  • 2014-3-24 12:48:30
 
整流桥前段的电压不是85-260AC吗
eric.wentx
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  • 2014-3-24 13:29:44
 
有一堆电阻啊...
not2much
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LV8
副总工程师
  • 2014-3-24 23:25:29
 
是指这些电阻限流给电容充电,所以电压不会过高时吗?我试着仿真了一下,忽略共模电感,结果在电容上的电压非常的小并且电压会到0.



荨麻草
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  • 2014-3-25 07:58:38
 
不二兄,不能这么仿的哦
高压母线给Vcc电容充电到IC的启动电压后,converter工作,Vcc被辅助线圈接管


not2much
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副总工程师
  • 2014-3-25 08:58:19
 
是的,我也看到了楼主对充电方法的说明。一开始我觉得上电的时候vcc的电压会非常大,但是我的那个电路里貌似vcc达不到开启电压,我仿出来的只有350多mv。
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-3-25 12:58:03
 
提醒一下,注意AC电压与桥后GND的之间的波形,你上面仿真共地了,再试试。
not2much
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副总工程师
  • 2014-3-25 13:34:18
 
仿真修改后如下,




vcc的电压是





设计的原理是当vcc上升到工作电压后,电路启动,然后由辅助绕组来供电,是这个意思吗?我这个仿真的vcc电压会一直上升,辅助绕组不会被二极管屏蔽了吗?
荨麻草
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  • 2014-3-25 13:42:24
 
一旦converter启动,与Probe1-node相连的辅助线圈,就变成了一个独立的电压源Vcc,由叠加原理得,Probe1-node被钳位到Vcc
not2much
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副总工程师
  • 2014-3-25 23:15:32
 
谢谢,我再放到电路里试试。
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-3-26 09:04:33
 
你说的被屏蔽意思是二极管的单向导电性,如果阴极电位高于阳极电位,一直无法导通是吧?这种情况是不会发生的。
huhushuai
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高级工程师
  • 2014-4-1 20:57:40
 
楼上说的有些道理。
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-4-1 21:03:01
 
说那种情况不可能发生是因为假如不导通,电容撑不住,VCC电压就会掉到阳极以下,VCC绕组迟早要过来接管,只是时间快慢而已。
爱国分子
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禁止发言
  • 2014-6-11 10:28:32
 
为什么不能导通呢,一般情况下都可以的
a52632035
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LV3
助理工程师
最新回复
  • 2020-7-28 17:19:54
  • 倒数1
 
……我觉得吧是VCC内部有个稳压二极管,20V左右。刚开始BULK提供的电流仅仅能让芯片打嗝启动一下,和VCC电容有关。然后功率MOS工作,辅助绕组开始供电。这里提供的功率是远远大于BULK的。所以后面BULK提供不了多少能量。
hames
  • hames
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助理工程师
  • 2015-3-27 16:23:41
 
由叠加原理,先计算高压启动交流电单独作用时Vcc的电压。由于辅助绕组被看作电压源,因此视为短路,由于二极管1n4148反偏,相当于开路;此时交流线电压被限流电阻R21和Vcc引脚到地的阻抗分压,分压后得Vcc电压,该电压也是交流,记为U1。
然后计算辅助绕组单独作用时Vcc的电压。交流源被视作短路,因此Vcc电压就是辅助绕组电压;记为U2。
所以Vcc在任意时刻电压应为U1+U2,即一个直流分量加一个交流分量,交流分量直接影响Vcc纹波。
实际测试时确实观测到Vcc电压纹波较大,不知道是不是因为使用这种高压启动方案而不可避免的。




拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-3-25 13:04:17
 
草兄,可以扩展一下:
假如现在IC的VCC pin虚焊了,会出现什么状况?
荨麻草
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  • 2014-3-25 13:46:02
 
如不二兄仿真的那样,因Converter不工作----->辅助线圈相当于悬空------>VCC电容上升到Vbulk---->VCC Capacitor死的很有节奏感
gl_fish
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LV3
助理工程师
  • 2014-5-25 19:19:21
 
VCC电容到了启动电压后,IC工作一下,把VCC电容电量消耗掉,不是进入循环吗?
爱国分子
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禁止发言
  • 2014-6-11 10:29:15
 
这个也要看温度的,你想啊,如果温度使元件变热,参数有变化了
gl_fish
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LV3
助理工程师
  • 2014-5-25 19:20:11
 
哦,是VCC虚汗。。。没看清楚 - -
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-5-25 19:32:58
 
hames
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LV3
助理工程师
  • 2015-2-15 15:27:21
 
请问整流桥工作后Vcc被辅助绕组接管,为什么下面您说是由叠加原理得到,能详细解释一下吗?谢谢。
lichangyun1991
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LV8
副总工程师
  • 2016-6-30 16:54:30
  • 倒数9
 
你好,我想知道你是使用什么软件来仿真AC-DC或者DC-DC的电路的?
tonyduan1988
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LV6
高级工程师
  • 2014-10-25 23:09:01
 
那接到整流桥前的话,那几个启动电阻阻值应该如何去计算?
PB15211486090
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LV3
助理工程师
  • 2016-11-24 16:22:34
  • 倒数7
 
同问,这几个电阻怎么计算
何仙公
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  • 2014-3-25 22:58:51
 
对于第三种解法,实际上引入了交流50HZ电流到IC,并且在Y电容2端的纹波变大。不知道过传导和辐射会有什么影响不?
拒绝变帅
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LV10
总工程师
  • 2014-3-28 12:31:46
 
50Hz是低频,而且已经转化为直流了,对传导和辐射没有影响。
何仙公
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  • 2014-3-29 09:33:51
 
没有经过整流管,怎么会变成直流?
楼主实测下,Y电容的纹波,传统大电解拉电阻的启动方式下,Y电容的纹波
X电容拉电阻的启动方式下,Y电容的纹波
结果很明显,X电容纹波较大。50HZ为主。因没有仪器,无法判定是否合格
拒绝变帅
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LV10
总工程师
  • 2014-3-29 09:41:15
 
启动后由VCC整流钳位住了。
这是你的理解还是有相似经历?

何仙公
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  • 2014-3-29 22:58:39
 
示波器看得,以前爱这样用,用示波器看Y电容上有80-110V 50HZ就不敢这样接了
何仙公
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  • 2014-3-29 23:01:05
 
还有个缺点是,大电解的电放电速度慢,调试的时候,经常无意被电到
拒绝变帅
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  • 2014-3-30 12:31:41
 
1、你的Y电容是怎么接的?
2、在调试的时候一般关机后都对大电解放一下电,习惯问题。
同时缺点也明显啊,功耗加大了。而且这里是高压,要用几颗电阻串联,加钱加空间。
爱国分子
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禁止发言
  • 2014-6-11 10:30:01
 
电阻和电容串联吗 主要作用是用来吸收反向电压尖峰
mmc_21
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  • 2014-5-26 06:59:26
 
占位
化二为一
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  • 2014-6-10 16:57:29
 
理解了,蛮不错的知识啊!
black_cheung
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LV8
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  • 2014-7-23 11:11:07
 
很精彩的一个帖子,好。
请教楼主一下,如果是从AC接启动电阻的话,那么算这个IC的启动时间要如何算?
谢谢
tonyduan1988
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高级工程师
  • 2014-10-12 21:11:39
 
你好:
1:你说的第二种方式:从整流桥前的L或者N处接电阻到VCC,我输入为85V~265V,那 R2、R3、R7阻值如何取值呢?取多大的电阻才满足输入为85V~265V开机可以正常启动。
2:这种启动方式通过电阻分压还是AC电压,请问PWM IC是如何启动的呢?


hlp330
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  • 2014-10-12 21:20:37
 
这种电阻采样的方式需要兼顾高低压,计算的方式一般是满足低压启动所需要的最小电压为标准。
这样就带来了一个问题,高压的时候,电阻上面的功耗会很大,你可能需要增加额外的电路,在IC启动后,关断这个回路,降低功耗。
tonyduan1988
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高级工程师
  • 2014-10-12 22:28:05
 
那我该按输入为低压算 R2 ,R3 ,R7电阻呢?还是按高压来算呢?
hlp330
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  • 2014-10-12 22:41:22
 
算电阻的阻值需要按照低压来计算,以满足最小的启动电流。确保IC低压可以启动。
算电阻的功耗需要按照高压来计算,确保在高压的时候电阻的功率降额满足要求,不至于烧坏了。
明白了吧?
tonyduan1988
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高级工程师
  • 2014-10-13 12:38:49
 
谢谢,明白了。对了,我还有一点不明,就是输入电压已经定了为85Vac,电流不知,那IC的启动电流一般取多少来算呢?有了电流才能算出 R2 R3 R7的阻值呀。
XIAOTU80
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  • 2015-9-29 22:05:17
 
从整流桥前接电阻,最近见过几个图这么画的。
第2图利用的挺好
荨麻草
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  • 2014-3-16 23:18:00
 
一种改进待机功耗的办法,估计不太实用...


我是谁
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  • 2014-3-17 07:34:54
 
这种电路书中很多,用的多不多就不知道了。
YTDFWANGWEI
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  • 2014-3-17 07:39:03
 
实用,如果你的ic用3525这种ic,你就知道这种电路多好乐。
Coming.Lu
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  • 2014-3-17 07:44:56
 
一直这么用。
拒绝变帅
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  • 2014-3-17 22:41:11
 
在小功率的应用中,不仅是成本,空间也很有限,加上以上电路占空间太多,这种情况下,高压启动IC是首选了。
你们也许不信,我们现在的设计,没有多余的元件,无法去掉任何一个元件。
Coming.Lu
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  • 2014-3-18 21:22:06
 
我信。
不同产品,要求不一样。
这段来做的项目,要么就是用这样的启动电路,要么就是有辅助电源。
拒绝变帅
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  • 2014-3-18 21:38:40
 
要向你们多学习大功率电源的设计经验,一直以来玩的都是小功率。
Coming.Lu
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  • 2014-3-18 22:14:01
 
我也没做很大功率的。
目前,也就1kW以下。
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-3-18 22:57:44
 
对于我来说,也是大功率,我做的较多的是300W以下的,所以对小功率的应用熟悉些。
Coming.Lu
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  • 2014-3-19 07:54:14
 
呵呵。
一般来说,500W左右,算是一个砍。
超过500W,是有很多东西要注意了。
做出功能是不难,但要做出好的效果就要下点功夫。
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-3-19 20:43:04
 
大功率的电源,至少在空间和成本方面不会被限制的很死。
对于小功率的,开发过程解问题,由于空间和成本所限,很多时候都是有对策没法导入,要很仔细的设计,不断的尝试,多方面的平衡。
Coming.Lu
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  • 2014-3-21 07:58:34
 
是的,功率稍大点的,对成本要求就没那么紧。
待机功耗什么的,一般也不要求。
主要是要求的可靠。
风雨风情
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高级工程师
  • 2014-5-29 22:20:40
 
确实是这样的,我也需要学习大功率的电源了。
qq80644864
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  • 2014-5-29 22:28:00
 
被说中了~~~
huhushuai
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  • 2014-3-25 19:49:22
 
占楼学习下。
潇湘夜雨
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高级工程师
  • 2014-3-21 20:25:41
 
这种电路很常见。
爱国分子
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禁止发言
  • 2014-6-11 10:31:13
 
在两级开关电源中,应关断PFC级,以满足待机功耗法规的要求。关断PFC级的主要原因是大多数PFC控制器没有间歇工作(Burst- operation)特性。如果PFC控制器不支持间歇工作模式,PFC级将会连续工作,即便在无负载条件下也会吸取能量。因此,对于带有现有PFC控制 器的两级开关电源设计而言,关断PFC级是唯一可行的方法。
爱国分子
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  • 2014-6-11 10:31:38
 
建议使用一种简单的辅助电路,将PFC的工作与准谐振反激DC-DC转换器进行同步,因为当DC-DC转换器开始间歇工作时,PFC级也能够进入间歇工作模式。一旦第二级反激转换器结束间歇模式工作,PFC级会立即退出间歇工作模式。PFC级的偏置电源受到准谐振反激DC-DC转换器反馈的控制
爱国分子
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LV0
禁止发言
  • 2014-6-11 10:31:59
 
负载从满负载到无负载,再到满负载过程 中的工作波形。一旦第二级反激转换器进入间歇工作,PFC级便进入间歇工作模式,并与反激转换器同步停止间歇工作模式。通过对PFC级执行间歇工作,可以 消除可能引起潜在问题的大浪涌电流,并且大幅降低待机功耗。
爱国分子
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  • 2014-6-11 10:32:59
 
下面的图片,怎么看?

mandy2
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  • 2014-6-11 10:33:19
 
不知所云,真心看不懂你在说什么!真是搞笑!
XIAOTU80
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  • 2015-9-29 22:07:25
 
这方法用过
XIAOTU80
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  • 2015-9-29 22:02:01
 
这种方式还是经常见的。一些芯片还在用,没有被淘汰
小法
  • 小法
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LV8
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  • 2014-3-16 23:50:16
 
哈哈,好久没见你开帖,顶下~~~
拒绝变帅
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  • 2014-3-17 21:10:18
 
可以说多年不见啦,看了也提点建议哈~
w137155390
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高级工程师
  • 2014-3-17 21:36:21
 
学习学习
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-3-17 21:57:23
 
2.空载的VCC电压到底该设置为多少?
有说法是设在Vcc(min)之2V左右,这算经验值,但并严谨。



此时虽然可以保证VCC工作,但在一些动态的时候可能出问题,见下图。



在时间t内,Vo下降很慢,此时原边MOS不传递能量,但VCC由于IC耗电导致下降速度大于Vo,如果VCC设计不够高,很容易下降到下限值导致VCC重启。
这种情况下一般有以下几种方法解决:
1、加假负载,让Vo的下降速度大于VCC,这种方式在追求六级能效要求的今天,不会采用。
2、加大VCC电压,也就是增加VCC绕组圈数,这会增加几个mW的功耗;
3、加大VCC电容,但需要确认开机时间是否会超出规格;
4、加快环路反应速度,这需要重新确认相位和增益裕量。


由于VCC跌落到多少与IC功耗,VCC设定值,环路反应速度等有关,我的建议是:在最恶劣情况(一般为满载切空载)VCC跌落到的最小值要大于Vcc(min)1V以上。具体取多大需要折中考虑。
zhojianjin
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LV6
高级工程师
  • 2014-3-17 22:47:43
 
空设在9V
拒绝变帅
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LV10
总工程师
  • 2014-3-17 22:51:57
 
你的IC规格以及应用情况?设在9V一般都是不够的。
拒绝变帅
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LV10
总工程师
  • 2014-3-17 22:50:27
 
对于一些特殊的要求,按以上考虑还不够,比如具有CV/CC功能的适配器,需要保持CC模式到多少V以下,此时输出电压较低,VCC绕组电压也降低。
这就需要在整个CC范围内都要保证VCC都有足够的电压。一般是通过增加VCC圈数来满足要求。
其实有时候也可以不用增加VCC圈数,而是通过改变VCC与Vo绕组的耦合关系来提升VCC电压。具体该如何绕制以及其中的道理相信大家也明白。
lu-zgsh
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LV3
助理工程师
  • 2014-3-18 13:17:14
 
电源技术群:107448327
何仙公
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  • 2014-3-18 17:19:40
 
HV脚上的电阻要取多大,有没有个合适的算法
拒绝变帅
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LV10
总工程师
  • 2014-3-18 21:13:56
 
这个具体要看IC的HV脚的原理,有的需要接电阻限流来达到保护IC的目的。
现在很多IC的HV是通过内部的恒流源给VCC充电,可以不接电阻,直接从bulk接到HV脚。建议还是个电阻,这个电阻的取值要根据IC规格来定,取大了在电阻上的压降就大,可能达不到HV所需要的最小电压(一般为30V~50V)而无法启动;取小了或者不接,IC的功耗可能会加大,比如短路保护的时候。
能否提供个具体的IC规格来算算?
p201kk
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LV6
高级工程师
  • 2014-6-17 15:01:30
 
保护芯片有很多方法吧, 电阻是最直接的
风雨风情
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LV6
高级工程师
  • 2014-5-29 22:28:26
 
这是什么时候开的群,适合什么类型的电源,是专搞技术的不?
eric.wentx
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  • 2014-3-20 20:03:54
 
此图不错!
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-3-20 20:52:12
 
是说24楼的图吗?这个只有在VCC这里碰到过问题的人才有体会,要不看了也没感觉的。
peng237
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LV3
助理工程师
  • 2019-9-27 19:02:17
  • 倒数2
 
虽然这是14年的帖子,但还是请教一下,关于你说的加快环路响应,请问如何加快, 具体是如何调整,PC817输出端对地的电容,还是431的基准与K上 的电容, 是减小还是增大,真心请教
拒绝变帅
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LV10
总工程师
  • 2014-3-18 22:12:23
 
3、D1、R1、D2的作用和选择
见下图:一般是C2远大于C1,通过D1的隔断较小的C1可以使启动时间更快,较大的C2和C1一起提供稳定的VCC电压。



启动电流经Rstartup对C1充电,直到VCC达到UVLO(on)点,之后IC开始工作打出驱动(此时VCC开始掉电,见下图),待VCC绕组电压建立稳压。在这过程中要特别注意C1的取值,不能太小,需要撑到VCC绕组电压来接管,否则IC将进入不断的重启状态。尤其是输出需要带容性负载,Vo建立较慢,VCC需要维持更久。


拒绝变帅
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LV10
总工程师
  • 2014-3-18 23:09:31
 
关于D2的选择很关键,有人说用快管,有人说用慢管,在实际的产品中慢管、快管均有用到,如何选择取决于D2对传导、辐射以及stress的影响。
关于R1,在此处承受压降,使空满载的VCC电压变化范围不要太大,这是其一。要注意R1的耐压,一般为几个ohm,根据功率来算耐压可能1V都不到,建议至少用0805封装。
R1的第二个作用是可以当作跳线,方便layout走线。
R1的第三个作用是在一些特殊应用中可以作为fuse用,从而满足安规要求。
wzy616611
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LV8
副总工程师
  • 2014-5-23 23:13:48
 
变化范围不要太大?电阻的压降也不多吧?
[size=14.399999618530273px]万一你VCC电压变化大,那电阻的压降也不多,怎么就变化不大了呢?
拒绝变帅
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LV10
总工程师
  • 2014-5-24 11:05:50
 
电阻的压降也只是微调,如果真的变化很大,那还是从耦合关系入手。有的多个电压输出甚至加线性稳压的都有可能。
怕瓦落地_li
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LV6
高级工程师
  • 2018-1-20 10:45:18
  • 倒数6
 
请教一下,这个电阻的作用是什么?
爱国分子
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LV0
禁止发言
  • 2014-6-11 10:33:46
 
那就看你周边元件的设计了
woshiyean
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LV6
高级工程师
  • 2014-5-24 10:16:40
 
补充一下:
D2的选择是很重要,实际产品中慢管和快管都可以,但是有没有挖掘更深的原因?
一般来讲,D2的反向恢复时间要大于反激次级整流二极管的反向恢复时间!
原因:如果比次级的整流管还要快,那么漏感尖峰会使IC OVP 保护。
R1电阻的第四个作用,我认为是最重要的一个作用就是抑制漏感Spike尖峰以免IC OVP。
拒绝变帅
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LV10
总工程师
  • 2014-5-24 11:17:28
 
1、抑制尖峰的目的是什么?其实对传导的高频段和辐射对有好处,电阻也起这作用。
2、关于IC的OVP作用,你可以去量尖峰电压的时间,很短的,OVP检测为了避免误触发会有个delay时间,不要这电阻也不会触发OVP。实际中我经常把这个电阻用0ohm电阻。
woshiyean
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高级工程师
  • 2014-5-24 11:38:45
 
那是你变压器的漏感控制的比较好,换个漏感大的变压器试试?
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-5-24 18:09:17
 
不知道你的OVP是如何做的?这个与OVP的触发模式有很大的关系。
我这里虽然也是通过VCC绕组来做OVP,但不受漏感的影响,不管多大的漏感也不会误触发OVP。
qq80644864
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  • 2014-5-24 23:51:26
 
FB检测电压去控制,但是检测的时候刚好在尖峰突起的地方,那应该是误动作了
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-5-24 23:54:44
 
有这样的IC吗?举个例子。
如果真是这样,这样的触发保护模式就不理想,存在bug。
qq80644864
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  • 2014-5-25 00:02:09
 
我现在做的这个机子也是这样子,所以如果那里有尖峰的话是挺危险的,会导致误触发
所以那里一般会多留一个小电容的位置,更烂点的IC,我还会留一个二极管的位置
结果那下拉那里好多个空着的位置~~~
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-5-25 00:11:06
 
我是不理解你说的检测FB如何得知是输出电压上去了?这个绕组尖峰与FB电压又有什么关系?
qq80644864
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  • 2014-5-25 00:23:38
 
输出电压是通过FB来反馈回来了
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-5-25 00:25:32
 
模拟OVP的时候,会短光耦的1和2脚,会导致FB上升,就靠这个来检测OVP啊?
qq80644864
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  • 2014-5-25 00:26:59
 
原边的没有光耦
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-5-25 00:32:53
 
即使是这样还是检测VCC绕组的电压是否上去,对于OVP保护应该要有避免误触发的措施,这与IC的设计有关。
比如下面的,不管尖峰多大,都不会误触发OVP保护,IC内部做了处理。

qq80644864
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  • 2014-5-25 00:36:51
 
IC内部有OVP保护阀值电压,到达之后触发。。。但是在国内这些IC里面没看到有说明这个的
更没有明确的说明有尖峰怎么办的。。。
拒绝变帅
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  • 2014-5-25 00:51:36
 
一般是这样的:
1、有个几百nS~1uS的blanking delay,如果尖峰小于这个时间宽度就没有问题。
2、需要持续几个周期都达到保护阀值才会触发,具体几个周期看IC内部设定。
qq80644864
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  • 2014-5-25 17:02:26
 
明白,多谢帅兄指点,目前都是用国内的IC,基本上都讲的不清不楚
拒绝变帅
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  • 2014-5-25 17:06:44
 
国内的IC为了所谓的保密,内部框图都不详细的,甚至故意画错都有可能,碰到过这样的。
这对于debug来说很麻烦,碰到一些现象很难理解和解释,还是需要原厂提供更多信息。
qq80644864
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  • 2014-5-25 17:10:19
 
小公司,原厂基本上是不会理会的
现在都是直接问你有多大的单啊。。。
我操,样品都没看到,东西都没经过我验证,还想直接下单给你啊。。。




我现在在用的这个OB的IC内部框图也是很坑爹的,基本上不明白是什么关系,只知道是有关系的
拒绝变帅
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  • 2014-5-25 18:25:28
 
是说的这个吧?这个框图的确很简洁
你用的这IC,可以深究下:OVP是怎么保护的?

woshiyean
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  • 2014-5-25 23:38:36
 
OCP_TH有一个恒流源,对外接的电阻充电,并且与CS脚的电压比较,达到限值触发OCP保护。
qq80644864
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  • 2014-5-25 23:49:33
 
叶工请教个问题


这个OCP_TH用不同的阻值表现出来的几个阀值电压,最根本的不同点是在哪里???
例如,用33K为0.9V,用110K为3V,那这个峰值保护有什么改变呢?功率方面是怎么变化的呢?
woshiyean
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  • 2014-5-26 09:27:41
 
根本的不同在于短路时的MOS管的峰值电流不同。电阻不同,短路时的峰值电流分别是对应的OVP电压除以Rs,自然短路的功率也就不一样。
话说你是怎么知道我的ID,还知道我的姓?
qq80644864
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  • 2014-5-26 13:06:52
 
这个还联系到OVP那边去了?OVP不是由ZCD去控制的吗?那么我们根据什么东西去选定这个值呢???这个是最主要的,感觉用哪个值都可以的样子。。。
https://bbs.21dianyuan.com/180802.html
叶工在这里讨论讨论,就是用的这个IC整的



额,知道你姓什么不难吧,你账号上面都写了啊。。。
woshiyean
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  • 2014-5-25 23:41:36
 
这个IC是用了乘法器的,由框图可以看出来他是一个电流模式的IC;有的IC也不用乘法器的,内部锯齿波做PWM模块的输入,这个时候检测CS的电压仅仅是为了OCP用,所以,这类IC基本上都是电压模式。
qq80644864
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  • 2014-5-25 23:47:14
 
这个IC的OVP保护是通过ZCD脚来实现的,内部有4V的保护阀值,到达之后会触发OVP保护
woshiyean
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  • 2014-5-25 23:57:04
 
这个恰恰是这个IC的败笔--这个IC要带很大的假负载,才能够实现ZCD脚的OVP,如果假负载带小了,ZCD脚OVP动作两次就不保护了,VCC电压会一直上升,直到达到VCC的OVP点.
qq80644864
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  • 2014-5-26 00:03:11
 
叶工的意思是这个假负载的阻值小了,OVP动作两次之后就不保护了是吗?
woshiyean
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  • 2014-5-26 09:25:29
 
假负载的阻值小了,假负载更大啊!
我的意思是假负载太轻,也就是假负载的阻值太小了,ZCD脚OVP两次就不保护了。
不知道你手上有没有这个IC,反正我是碰到过。
qq80644864
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  • 2014-5-26 13:07:40
 
我没有弄到OVP保护过,因为我加假负载也是可以的,不会让他乱飘上去
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-5-26 22:43:30
 
你210楼回答的没有深入啊
这IC OVP是latch-off mode不?为什么能够锁得住?
qq80644864
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  • 2014-5-30 12:46:52
 
IC内部不清楚呀。。。
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-5-26 22:41:59
 
为什么OVP两次就不保护了?有进一步研究?
爱国分子
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禁止发言
  • 2014-6-11 10:35:16
 
OVP保护的电压是指哪的电压?是次级的输出电压,还是初级的直流母线电压?
司马仲达
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总工程师
  • 2014-6-10 16:32:45
 
话说,那些FAE是怎么成长起来的呢?一开始原厂培训下??感觉他们完全没有学习的技术来源啊
long609689209
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副总工程师
  • 2014-5-30 10:21:03
 
一般的IC都是延时2.5uS,来检测的,就是避免那个尖峰
woshiyean
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  • 2014-5-25 23:36:44
 
OVP就是Vcc达到IC的最高电压而触发过压保护啊!
可能我讲的还不是很清楚----
如果你的漏感尖峰大,而且正好你的Vcc整流管的反向恢复时间是比次级整流管的快,那么这个尖峰会优先从Vcc的整流管通过,从而触发IC OVP。
举个例子:PSR架构的恒流电源,输出最高60V,此时Vcc为18V,而IC标明20V达到OVP点。
假设次级输出选用50ns的快恢复管,Vcc整流管分别用1N4148(4ns),US1D (50nS),RS1D(150ns),带载60V,你会发现用1N4148的管子会有问题,用示波器看看Vcc的波形就明白我说的了。
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-5-26 22:41:00
 
PSR的都是用VCC来做OVP保护的吗?不做PSR。
我们基本不用VCC来做OVP,有很多不便或者说无法实现吧。
采用的IC有另外一个pin做OVP,VCC的电压不用设太高。
爱国分子
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禁止发言
  • 2014-6-11 10:36:29
 
想问下这个是吗?

怕瓦落地_li
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高级工程师
  • 2018-1-20 11:18:18
  • 倒数5
 
我也做过一款用Vcc触发OVP保护的反激方案,我的输出是5V/3A,我发现OVP点有些高,而且不好往下调!当我改变Vcc匝数至临界保护点之前1V,来调整5V的OVP点时,最多只能做到7~8V,我的规格目标是7V以下,但是很难做到!有没有好的办法?

拒绝变帅
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总工程师
  • 2018-1-22 09:08:39
  • 倒数4
 
5V输出,OVP设定在17V还有意义吗?这种情况可以单独外置OVP来实现,不一定要通过VCC。
怕瓦落地_li
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高级工程师
  • 2018-1-22 09:25:08
  • 倒数3
 
抱歉我打错了,应该是保护点7V以下,已改。
按照您的说法,就是只能用其他外围线路来做OVP才行?这样增加线路增加成本。
wzy616611
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副总工程师
  • 2014-4-22 23:00:06
 
打出驱动怎么解释?是说电容停止充电进入放电吗?然后二极管导通?
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-4-22 23:04:31
 
打出驱动是说IC开始工作了,提供pulse给MOS。
此时电容边充边放,只是充电电流较小,而IC的工作电流较大,反应在VCC电容上就是掉电压了。
爱国分子
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禁止发言
  • 2014-6-11 10:38:13
 
这个是放电的吗?

爱国分子
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禁止发言
  • 2014-6-11 10:38:40
 
从能量转化角度看,导体棒下落中减少的重力势能一部分转化为动能,另一部分转化为电场能,贮藏在电容器中
wzy616611
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  • 2014-5-5 17:28:56
 
为什么C2远大于C1呢?
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-5-5 18:16:23
 
C1小是为了启动快,C2大是为稳定工作后提供能量。
如果C2大,就会导致启动慢,加的那个二极管就失去作用了。
qq80644864
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  • 2014-5-5 19:00:12
 
发现,原来数字也有通假字
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-5-5 20:36:49
 
晕,果然打错了啊
应该是:如果C1大,就会导致启动慢,加的那个二极管就失去作用了。


qq80644864
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  • 2014-5-5 21:37:51
 
悄悄的改了嘛,这里没第二个人
wzy616611
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  • 2014-5-23 22:58:32
 
wzy616611
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  • 2014-5-23 23:00:42
 
能具体解释一下不?怎么C1大,二极管就没用了?电容越大充电越慢?
拒绝变帅
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  • 2014-5-24 17:59:10
 
加二极管的目的是为了平衡启动时间和VCC电容的矛盾,启动的时候给小的电容充电,减小了启动时间。如果C1太大,启动时间慢。
wzy616611
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  • 2014-5-27 16:45:42
 
怎么平衡二极管呢?可以解释一下不
拒绝变帅
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  • 2014-5-27 21:38:34
 
当启动充电的时候,只给小电容充电(大电容被二极管挡住了),启动时间就快了。
当输出上升,VCC建立后就通过大电容供电,保证足够的能量供应。
wzy616611
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LV8
副总工程师
  • 2014-6-4 16:05:07
 
en ,谢谢,充电是由通过电阻那个通路给C1吗?还有那辅绕组不会导通二极管对电容充电?
拒绝变帅
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  • 2014-6-4 21:24:43
 
是的,通过电阻给C1充电,辅助绕组也会通过二极管对电容充电,这就是我们需要的维持VCC能量啊。
wzy616611
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  • 2014-6-5 09:05:37
 
大电容供电的时候能确保可以导通二极管吗?
爱国分子
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  • 2014-6-11 10:39:43
 
这样电压会高一点,一般都用大容量的
学海游轮
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  • 2014-5-7 20:59:20
 
LZ 想问一个问题,如果在Rstartup上方的电压比D1负极
的电压低,D1会通过Rstartup给AC充电吗? 加一个二极管D3后呢?
拒绝变帅
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  • 2014-5-8 18:33:07
 
你说的这情况有可能,但只有当启动电阻很小的时候,才需要加D3,大多IC的datasheet里也会加个D。
但实际可以看情况,一般这里的电阻都会用Mohm级的,即使AC=0,放电也很慢的,不回影响VCC电压,可以省去这个D。
学海游轮
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  • 2014-5-8 20:25:33
 
我的启动电阻是10K,Vcc电容3uF。本不想加这个D3的,老大说加了轻载效率高,空载损耗小。帅兄,你怎么看?
拒绝变帅
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  • 2014-5-8 20:41:04
 
如果要空载损耗小,应该尽量增大启动电阻,用10K感觉太小了,启动时间要求多快?
学海游轮
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  • 2014-5-8 21:26:58
 
我也有点犹豫,其实开机时间有4S的。我还在辅助线圈的电解电容上,并了一个51K的电阻。目的是想让IC处于重启状态,这样能减小损耗吗?
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-5-8 21:28:58
 
你是说规格要求是4S吗?这样可以将启动电阻加大,损耗降低。
VCC电解并51K会增加损耗的,是基于什么考虑?
学海游轮
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  • 2014-5-8 21:37:16
 
想在空载的时候,IC通过电阻放电,VCC电压掉到UVLO以下,IC进入不断重启状态,类似深度Burst_mode。不知道能不能实现?
拒绝变帅
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  • 2014-5-8 22:01:23
 
你空载的时候输出电压不需要稳压吗?

爱国分子
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  • 2014-6-11 10:40:52
 
空载的时候消耗那么小, 电压也是固定的
风雨风情
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高级工程师
  • 2014-5-29 22:42:25
 
请问,C1电容的取值该如何取呢,计算方法可以帮忙列出来吗?
拒绝变帅
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  • 2014-3-19 21:54:03
 
4.VCC与功耗的关系(空载和短路)
Ploss=VCC*IC空载工作电流(一般为0.5mA~1mA),一般情况下不必太在意,但对于超低功耗要求的电源,比如要求空载功耗小于30mW、10mW甚至更低,此时VCC的功耗设计就显得很重要。
下面说一下短路功耗:输出短路时的输入功率与原边的电流的IPK有很大的关系,限制IPK是一个方法。但IPK需要MOS开通才有,因此也可以选择以下的方式来进一步降低短路功耗。
VCC在over load时的情况:

VCC在前两次到达VCC(on)时不打出脉冲,直到第三次才打开脉冲,这样的模式对降低短路功耗非常明显。对短路功耗要求高的电源,可以选择具有这样功能的IC。
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-3-19 21:57:57
 
至此,前面4个主题就结束了。
后面的辅助绕组与EMI的关系,在此帖里不打算具体展开,主要是通过一个实际案例对比来说明,解决EMI也可以不多花钱、不多损效率。
drgjhy
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  • 2014-3-20 12:21:40
 
VCC空载 带载变化太大有什么办法解决
lianglpk
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  • 2014-3-20 16:40:25
 
好贴!精确计算供电电容的值,取最佳值,应该才是最有性价比的。楼主的方法好,就是有些需要加零件,那都是钱,对老板来说,你懂的!
拒绝变帅
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  • 2014-3-20 21:01:36
 
精确计算其实不是最有性价比的,稳态可以比较准。但在瞬态的时候,VCC电压会跌到多少与VCC初始电平、IC耗电多少、环路响应速度都有关,计算的一般都偏小。
尤其是瞬态时候的VCC,设计是否合理就很关键。
最简单的VCC启动方式是从X电容两颗放电电阻的中间直接拉到VCC端,目前我在用的方式,你还有更简的?
有时候加钱是必须的,比如开机时间要求在1S或0.5S内启动,你不采用高压启动的IC?还有更经济的方式?


为防止楼层太乱,下面一起回答42楼的问题:
空满载VCC变化范围太大问题,其实IC的供电范围都很宽的,只要没有其他影响,不下对策也行。
如果要下对策,可以串电阻,如34楼中的R1;也可以调整VCC绕组使它与副边绕组的耦合更好,减小漏感的影响。
荨麻草
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  • 2014-3-20 21:21:05
 
恰好下午搭建了个反激仿真,验证一下,动态负载对IC供电VCC的影响:(注:环路已经补偿好了)

The Schematic:



eric.wentx
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  • 2014-3-20 21:24:45
 
动态频率太快了,试下200HZ.
荨麻草
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  • 2014-3-20 21:27:45
 
嗯,Current Pulse就是设定的200Hz


拒绝变帅
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  • 2014-3-20 21:37:51
 
动态的范围是多少跳到多少?
荨麻草
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  • 2014-3-20 21:40:09
 
小功率5V-1A,动态0.1A--1A---0.1A,间隔2.5ms
拒绝变帅
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  • 2014-3-20 21:44:27
 
这个一般测试是直接在电子负载上测试,按load键ON/OFF,手动操作,频率1Hz~2Hz。
是从满载到空载0A,你可以按这个条件再仿一下。
荨麻草
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  • 2014-3-20 22:10:15
 
按照帅兄说的方法测试了一下,波形要多难看有多难看(应该是Vcc跌到欠压保护点了)


拒绝变帅
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  • 2014-3-20 22:19:43
 

我24楼的图就是实测的,可以看看VCC的max-min值有多大,解决方法我都总结在上面了。
很多人估计都没有这么测试,VCC设计不好就容易出事。
荨麻草
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  • 2014-3-20 22:39:07
 
赞一个,非常有实践价值
huhushuai
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  • 2014-3-27 19:30:09
 
学习了。
kendol
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  • 2015-9-29 21:43:59
 
非常好的总结,谢谢分享了
XIAOTU80
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  • 2015-9-29 21:59:29
 
哪些场合容易出问题的?
eric.wentx
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  • 2014-3-20 21:39:08
 
看错了,我以为是uS单位.
荨麻草
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  • 2014-3-20 21:42:41
 
PS:仿真对比发现,12楼的启动电路非常好使,启动非常快,就是成本不占优势
eric.wentx
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  • 2014-3-20 21:46:28
 
这个加速启动,只在有限的几处应用看到,小功率占地方占cost,大功率的话不太在意启动时间.
拒绝变帅
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  • 2014-3-20 21:51:28
 
启动时间就是看客户要求,看其应用场合,比如3S内启动,上面的普通的启动电路都可以满足。
之前开发一个要求1S内启动,不得不用高压启动。
拒绝变帅
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  • 2014-3-20 21:46:51
 
现在高压启动都集成在IC内部了,相对来说更省空间和成本。
对于一些传统IC,没有集成高压启动,外加这个电路是非常有用的。
hwang9
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  • 2014-3-20 22:26:27
 
pice仿真电源感觉精准度如何?
荨麻草
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  • 2014-3-20 22:37:59
 
个人理解,这取决于使用者的电源专业基础知识是否扎实,采用的仿真器件模型是否考虑到了实际情况------这样,谈仿真的精准度才有意义
hwang9
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  • 2014-3-20 23:05:50
 
挺羡慕pice的模型支持的,做运放的时候真爽,saber要转一下,经常性报错。
拒绝变帅
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  • 2014-3-21 08:25:51
 
你是说spice模型转saber吗?的确,很多都不能转化,因为有些spice模型加密了。
很多半导体厂商都会提供spice模型,对于支持此模型的软件非常方便导入,这一点saber远远不如。
huhushuai
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  • 2014-5-27 14:57:19
 
用saber的话 就是模型有点少啊。
拒绝变帅
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  • 2014-5-27 21:36:30
 
saber的自带模型在仿真软件中算是很多的了,比较齐全。
只是IC厂商支持的少,大多提供SPICE模型。
eric.wentx
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  • 2014-3-21 08:54:30
 
楼层太多了,51楼的问题再说一次,我以前碰到过这样的问题:
桥前接线到VCC的话,是不是存在浪涌或是spike过高时损坏IC的风险?
拒绝变帅
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  • 2014-3-21 19:56:42
 
不知道你打的浪涌等级是?以及参数?
这个是差模能量,到VCC一般都有Mohm级别的电阻,可以起到限流作用。加上VCC电容的吸收和IC本身的抗浪涌能力,过浪涌是没有问题的,观察这两点的波形,没有异常。
我们一般的规格都是差模2KV以下,打能力值到3KV也是OK的。
eric.wentx
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  • 2014-3-21 21:19:56
 
以前打过失效过,估计是LAYOUT问题。因为从你的描述来看,即使挂也是从启动电阻开始。
拒绝变帅
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  • 2014-3-21 21:25:29
 
后来怎么解决的?改layout好了?
eric.wentx
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  • 2014-3-21 21:30:18
 
夭折!
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  • 2014-4-24 21:11:21
 
启动电阻改为Surge电阻,保护IC。
拒绝变帅
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  • 2014-4-24 21:28:46
 
改surge电阻保护IC?这个位置一般是用的高压类型的,VDC=500V。
拒绝变帅
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  • 2014-3-21 22:27:17
 
5.VCC绕组与EMI的关系
VCC绕组与EMI有关系大家都已有共识,但到底影响有多大,影响什么频段呢?
在小批量测试中发现有的EMI很好,可以达到10dB以上,有的很差,见下图,存在一致性问题。






以上结果虽然过认证没有问题,但明显裕量不足,在批量的时候会出问题。
下面为经过调整VCC绕组后的波形,裕量都有10dB以上。

小凡凡
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  • 2014-3-21 22:52:36
 
补充一点:
VCC绕在第二层(NP与NS之间),传导会好一点点,但辐射好像是差一点点,我记得几年前试过。
《精通开关电源》里面好像也有提到过。
拒绝变帅
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  • 2014-3-21 23:00:25
 
我们的设计都是把VCC绕组放在NP与NS之间,基本成了标配设计。
对于传导和辐射,经过我这几年的实践,对于一些结论,很多都持保留意见,很多写书、写资料的基本都基于自己碰到的案例给出结论,但这结论放到10个案例,100个案例,都能得到相同的结果吗?这个就不一定了,一样的对策,可能在这个案例上是变好的,在另一个案子上可能就没有效果甚至变差。
小凡凡
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  • 2014-3-21 23:15:56
 
传导、辐射其实与漏感的关系很大(耦合程度)。
而漏感与分布电容的关系是矛盾的,所以这个理论上是说的通的。
我也多次做过这种实验,小日本的那本《开关电源手册》里也有过介绍。
拒绝变帅
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  • 2014-3-21 23:25:55
 
漏感与分布电容的关系是矛盾的没有错,可并不是说分布电容越小或者越大好,这个要看你原边干扰源和副边干扰源哪个占主导。
理论只是基于特定的前提条件成立,实际中的情况千差万别。
小凡凡
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  • 2014-3-21 23:42:09
 
肯定是这样子的.谁都想过B,但好多时候头搞大了,只能硬着头皮在规格书里挂个A。
拒绝变帅
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  • 2014-3-22 13:13:01
 

你们的产品没有客户规格吗?没有安规认证要求吗?
如果是民用的,应该是class B。
对于辐射和传导,我们从来不会降低要求,即使多花一个月、两个月。。。

小凡凡
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  • 2014-3-22 13:53:06
 
不严格,民品一直比工业品严格
拒绝变帅
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  • 2014-3-22 14:24:36
 
我们经常民品和工业品在实验室里一起整改,做工业品的看到我们做民品的波形,相当羡慕,对于他们来说可以直接pass了,无需整改。而我们也羡慕他们的规格要求没那么严。
其实不管什么规格,要做成产品都很不容易。
ace2050
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  • 2014-3-28 08:58:28
 
那个en55022b 感觉非隔离 频率在30-40K 左右容易过些
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-3-28 12:30:00
 
采用隔离非隔离根据产品类型决定,频率设置在30~40K对传导的低频段有好处,特别是三倍频在150K之外,这样可以使用更小的X电容,节省成本和空间,但会带来一些新问题。
forxue
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助理工程师
  • 2014-5-24 13:09:51
 
帅总,可以简单谈下,当干扰源在初级,或者在次级的时候,变压器如何优先考虑漏感和分布电容呢?比如说,我一个电路,输入端EMI对策空间比较足,可以下很多功夫,但输出端不能接任何共模电感.EMI测试发现只要输出端加个电感就可以过了.在这种情况下,如何将次级EMI转嫁到初级?
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-5-24 18:06:08
 
以下供参考:
1、既然在输出端加共模电感有效,那一般也可以把这个共模电感加在输入端,至于圈数和core的μ值根据实际可能要微调。
2、如果这个干扰有通过变压器,就可以通过调节变压器的寄生电容来达到平衡(寄生电容不是越小越小也不是越大越好)。
3、要看此干扰是谁产生的,比如是副边二极管的反向恢复,或者线路寄生参数谐振产生等等,可以加磁珠,改变谐振参数这些招来抑制。
化二为一
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  • 2014-6-10 17:07:41
 
说得不错,EMC要针对具体情况与案例而言
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-3-22 15:14:09
 
接74楼内容:
上面案例中变压器的绕组结构为:初级--屏蔽--次级--VCC--初级
此例显示出了EMI与VCC绕组的关系,同时也说明解EMI并不一定需要以牺牲效率为代价,只要了解其原理,可以用简单、经济的方式。其实从变压器着手,不需要动layout,是个很不错的方法。
关于原理,此帖不展开,将在以下帖中说明:
传导超标整改——分析、建模、验证

https://bbs.21dianyuan.com/175724.html



6.与VCC有关的几个典型问题
第一个就是低温下,电源无法启动问题。
相信很多人都有碰到过,尤其是初做电源的人。其原因是低温下,VCC电容的容值降低,在VCC为IC供电但aux winding还未接管时间内,VCC下降到Vccmin以下而不断重启。解决方法一般是加大VCC电容,这个简单、方便。


第二个是打ESD时,会损坏控制IC。
经过进一步确认是VCC pin的GND之间短路。观察VCC波形发现在打ESD时VCC上的电压会超出IC VCC规格的上限。
解决方法是调整VCC绕组与副边绕组的耦合,使之耦合更好,同时在VCC处增加稳压管。
这个应该还有其他更好的解决方法,待发现。


第三个就是在动态的时候,VCC无法维持住导致VCC不断重启。
在24楼有详细的解释,同时也给出了解决对策。在60楼,草兄也模拟仿真了这种情况。


以上是我碰到的几个有VCC有关的问题,不可能包含所有的情况。
关于VCC的相关总结就到此了,希望对大家能有点用处。
如你有其他的问题和看法也欢迎提出大家探讨。
xiaoym998
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LV2
本网技师
  • 2014-3-22 22:50:33
 
总结得太好了,经典!好好学习一下
batteryli
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  • 2014-3-27 21:42:21
 
面案例中变压器的绕组结构为:初级--屏蔽--次级--VCC--初级
上述绕法是EMC变好了的,还是EMC参差不齐的绕法?
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-3-27 21:46:01
 
EMI好坏都是一样的绕法:初级--屏蔽--次级--VCC--初级 这里解决的是一致性的问题,就是变压器有的可以过,有的不可以过。
batteryli
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副总工程师
  • 2014-3-28 12:52:57
 
原来这样,就是调机余量再足,制造时乱搞一通,也会超标啊。
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-3-28 20:18:41
 
是的,所以我们需要把变压器的规格定义的更加细致。
black_cheung
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  • 2015-3-10 08:58:56
 
这里说的一致性差具体是指什么?变压器的绕制工艺吗?
black_cheung
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副总工程师
  • 2015-3-10 08:55:00
 
变压器的绕法一样,那一致性的问题是如何解决的?
ace2050
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  • 2014-3-28 08:55:50
 
楼主,问下现在我还在用38xx的芯片 我一般采用的是您介绍的第三种供电方法,但是我觉得,这个在VCC绕组给芯片供电后,实际上启动电阻还在消耗功率,您这有能够在VCC由辅助绕组供电后,切断启动电阻的的电路么??急求啊 现在做的这个电源打算用下
拒绝变帅
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  • 2014-3-28 12:37:07
 
是的,启动电阻在消耗功率,但这里是利用的X电容的放电电阻,对于这种泄放方式,放电电阻本身一直就在损耗的,并不能说是启动导致的损耗。
不知道你的功耗要求是多少?如果比较严,可以参考12楼草兄给的启动后切断线路。
其实38XX芯片有很多功能都没有,换带高压启动的IC也是一种选择。
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  • 2014-3-28 12:43:28
 
12楼的图只是在电源正常工作的时候也就是辅助绕组VCC电压正常的时候,当电源发生异常情况下,PWM关闭后,VCC电压不能保持了,这个时候启动电路还是要工作了…………,借帅哥的热帖发一下自己的求助帖https://bbs.21dianyuan.com/176546.html
拒绝变帅
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  • 2014-3-28 12:54:48
 
你需要的是PWM关闭后启动电路不工作?那启动电路什么时候动作得根据你的负载判断?
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  • 2014-3-28 13:07:41
 
恩 例如过压保护后,在母线电压有电的时候能切断启动回路(这样就不会存在元件损耗发热的问题了),当然在断电后能够释放,不然下次就不能启动了……
拒绝变帅
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  • 2014-3-28 19:22:20
 
你是要做产品还是做研究?
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  • 2014-3-29 09:40:40
 
帅哥,产品设计…………
拒绝变帅
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  • 2014-3-29 09:42:21
 
那你还用38XX?实现你要的功能需要很多外围电路。
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  • 2014-3-29 10:07:56
 
能给个参考吗?
拒绝变帅
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  • 2014-3-29 10:16:20
 
感觉逻辑有点问题:比如现在你OVP保护了,母线电压还有残电,你启动电路不工作,此时AC又进来不是起不来了?
OVP后对重启时间没有要求?
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  • 2014-3-29 10:52:53
 
没有要求,必须断电重新上电
拒绝变帅
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  • 2014-3-29 11:21:04
 
这样,你只是为了节省bus放电这一段时间内启动电阻的损耗,我觉得得不偿失。
这个设计对于IC内部来实现很简单,只要检测到OVP保护了就切断高压启动恒流源,当bus电压低于某个值又开始动作。可以问问几个主流IC厂商有没有相关产品,一般比分立的功耗更低。
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  • 2014-3-30 11:55:50
 
帅哥可能理解错了,不是为了节省bus放电这一段时间,即使OVP保护后,BUS上的电压也是一直存在的。所以启动电路上的功耗就一直存在的,除非想办法切断启动回路(例如关断电路中的高压三极管)
拒绝变帅
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  • 2014-3-30 12:29:05
 
嗯, 理解了。
就是说检测到OVP保护了就切断启动电路,如果bus电压一直在某个值之上就不启动,降低损耗。只有拔了插头断了输入使bus电压放掉才能再启动。
是这样吧?
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  • 2014-3-30 12:39:15
 
帅哥,是这样的
拒绝变帅
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  • 2014-3-30 13:12:07
 
这样用外围电路搭的话,还是要检测bus电压?损耗?
再说说我的理解:
对于OVP,对于电源来说,是内部出了故障,比如某个元件短路或者开路,电源也是不正常的了,此时再去关注它的功耗有什么意义?
电源要有OVP保护是为了保护后级电路或者后级系统,不是为了保护它自己。
荨麻草
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  • 2014-3-30 13:27:47
 
也就是说检测到了故障后,变换器直接进入锁定状态,只有重新上电它才启动,可以这么理解不?
如实如此,3843估计就不合适了,实现此功能外围太复杂,可考虑用集成度比较高的IC:
http://www.nxp.com/documents/data_sheet/TEA18361LT.pdf
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  • 2014-3-30 13:36:38
 
看一下这个帖子https://bbs.21dianyuan.com/176546.html,另外你提到的这个IC的特点是?价格和供货如何?
荨麻草
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  • 2014-3-30 13:42:43
 
检测到故障(OVP,OCP,OLP等),均会促发变换器的Latch off,拔掉插头重新上电才会Restart. 价格和供货不详,没采购过
拒绝变帅
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  • 2014-3-30 15:06:54
 
草兄,这颗IC不错,刚出来没多久,很多功能都集成了,价钱应该不便宜。
是否调过,空载损耗能否做到50mW以下?
荨麻草
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  • 2014-3-30 15:19:58
 
我没有调过,官方做的Demo基本待机指标为:


附链接:
http://www.nxp.com/documents/user_manual/UM10758.pdf
拒绝变帅
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  • 2014-3-30 15:42:06
 
嗯,不错,看来NXP在空载损耗方面做的很不错。
同时看到了平均效率,其实91%没太大参考价值,用了同步整流,而且测的是PCB端,而不是线端。
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  • 2014-3-30 13:29:17
 
如果是不允许重复启动的OCP呢?
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  • 2014-3-31 14:08:11
 
帅哥,我和领导说了一下这个情况,但是领导说电源可以保护了,但是电源启动电路部分如果一直在工作,功耗太高(由于输入范围跨度太宽),导致元件发热失效,导致电源炸了,影响就不好了……
拒绝变帅
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  • 2014-3-31 19:23:48
 
草兄推荐的芯片不错,只是HV脚的耐压只有700V,不好直接利用。
如果只是担心发热失效,其实不用担心,用最原始的拉电阻启动也可以,用Mohm级的,你可以自己算算损耗多多少,注意电阻耐压。
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  • 2014-4-1 08:38:43
 
如果只用最原始的拉电阻的方式,由于电源输入电压跨度太大(200-1500),这样会导致在高压的情况下电阻功耗太大……
拒绝变帅
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  • 2014-4-1 19:01:00
 
不知道你说的功耗太大是多大?用5~6个电阻串联,每个分担到的也就80mW左右,启动后关断。
缺点是低压的时候启动很慢,看看能否采用分段启动,不同的bus电压采用不同的启动电阻。
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  • 2014-4-1 20:11:27
 
80mw?DC200v的时候启动电流选的多少?
拒绝变帅
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  • 2014-4-1 21:29:32
 
你得换启动电流1uA左右的IC,现在这样的IC很多了。
学海游轮
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  • 2014-4-23 21:50:42
 

第一个问题
LZ我有些疑问,一般Vcc电容是电解电容型,你加大了容值,尺寸方面能满足吗?
第二个问题
在确定是误动作的条件下,能不能尝试更改铜箔的走线方式,比如Cbulk GND 、CY1 GND 、 辅助线圈GND 、Vcc GND
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-4-23 21:55:11
 
1、加大容值,尺寸可以满足。一般VCC电容的高度较矮,大容值的可以找瘦高的,直径可以不变。
2、第二个问题,的确可以尝试,GND受干扰容易引起误动作。
化二为一
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LV8
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  • 2014-6-10 17:09:36
 
楼主上述的前面的两个问题,化二也遇到过。
black_cheung
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副总工程师
  • 2014-7-23 11:15:36
 
这里说调整VCC绕组,具体是指调?谢谢
not2much
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副总工程师
  • 2014-3-22 23:34:48
 
更完了?没有跟上大部队啊。
拒绝变帅
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  • 2014-3-22 23:36:46
 
原计划的内容就更新到此,如有问题,可以提出来探讨,我会继续关注的。
钜微电源-小罗
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  • 2014-3-24 16:53:55
 
不错,这种帖子感觉最棒,有始有终!多谢!
xieyuanfu
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  • 2014-3-25 14:06:45
 
副边绕组的能量 会不会 也传到辅助绕组的啊?他们之间应该有相关性吧?科普下
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-3-26 09:08:47
 
副边绕组的能量不会传到辅助绕组,它们之间的相关性就是交叉调整率了。
归来
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初级工程师
  • 2014-3-28 19:57:08
 
这也是一种辅助电源的方案
https://bbs.21dianyuan.com/177061.html
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-3-28 20:16:25
 
我这个小功率的,一个二极管,一个电容就行了。
一花一天堂
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副总工程师
  • 2014-3-28 20:06:38
 
来晚了啊,呵呵。
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-3-28 20:17:51
 
什么时候来都不晚,欢迎发表看法。
SEA_RONG
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  • 2016-9-25 18:02:36
  • 倒数8
 
谢谢帅哥,学习了!每个学到东西的人都该感谢楼主的辛勤劳动!
XIAOTU80
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  • 2014-5-27 21:53:44
 
收藏一下
liweikang822
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  • 2014-6-12 18:16:47
 
[size=14.44444465637207px]认真看看先,楼主什么时候在做一个贴关于saber
wgkaixing
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本网技师
  • 2014-7-4 00:03:53
 
收藏一下

xinhurenfengsl
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高级工程师
  • 2014-7-21 17:43:08
 
我们小功率的基本使用第二种
其它都是另作辅助电源
汗啊
知而行
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高级工程师
  • 2015-3-10 13:37:53
 
顶,楼主总结的很好,支持下!
pizige5241
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高级工程师
  • 2015-10-7 14:24:46
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不错,顶楼主。
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